11光電子器件的基本特性-文庫(kù)吧在線(xiàn)文庫(kù)
【正文】 輻（射）通量： 以輻射形式發(fā)射、傳播或接收的功率；或者說(shuō)，在單位時(shí)間內(nèi)，以輻射形式發(fā)射、傳播或接收的輻（射）能。 (1) 輻（射）通量和光通量 顯然，輻（射）通量對(duì)時(shí)間的積分稱(chēng)為 輻（射）能 ，而光通量對(duì)時(shí)間的積分稱(chēng)為 光能 。 對(duì)發(fā)光強(qiáng)度為 1cd的點(diǎn)光源，向給定方向 1球面度 (sr)內(nèi)發(fā)射的光通量定義為 1流明（ lm）。 AΦEdd vv ? AΦ vv ?光照度 光學(xué)系統(tǒng) CCD2 輻射度參數(shù)與光度參數(shù) 是從不同角度對(duì)光輻射進(jìn)行度量的參數(shù)，這些參數(shù)在一定光譜范圍內(nèi)（可見(jiàn)光譜區(qū)）經(jīng)常相互使用，它們之間存在著一定的轉(zhuǎn)換關(guān)系；有些光電傳感器件采用光度參數(shù)標(biāo)定其特性參數(shù)，而另一些器件采用輻射度參數(shù)標(biāo)定其特性參數(shù)。 當(dāng)溫度升高時(shí)，峰值光譜輻射出射度對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)向短波方向位移，這就是維恩位移定律。見(jiàn)圖 14 1).最小探測(cè)功率 (噪聲等效功率 NEP)： 當(dāng)探測(cè)器輸出信號(hào)電流 Is（或電壓 Vs）等于噪聲的均方根電流（或電壓）時(shí)，所對(duì)應(yīng)的入射輻通量Φe稱(chēng)為 等效噪聲功率 NEP， 即信噪比等于 1時(shí)所需要的最小輸入光信號(hào)的功率，稱(chēng)為最小探測(cè)功率 2m inNIP N E PSNR R ??? ? ? 3 光電子器件的探測(cè)率 ? 用 NEP描述探測(cè)器探測(cè)能力的一個(gè)不方便之處是數(shù)值越小，表示探測(cè)器的探測(cè)能力卻越強(qiáng)，相對(duì)缺乏直觀性。 雜質(zhì)吸收 : N型半導(dǎo)體中未電離的雜質(zhì)原子 （ 施主原子 ） 吸收光子能量 hv。這種處于受激狀態(tài)的電子稱(chēng)為 激子 。其他吸收都程度不同地把輻射能轉(zhuǎn)換為熱能，使器件溫度升高，使熱激發(fā)載流子運(yùn)動(dòng)的速度加快，而不會(huì)改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。這是由自由載流子在同一能帶內(nèi)的能級(jí)間的躍遷所引起的，稱(chēng)為 自由載流子吸收 。 ? 這兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體吸收足夠能量的光子 ， 產(chǎn)生電離的過(guò)程稱(chēng)為 雜質(zhì)吸收 。當(dāng)光入射到半導(dǎo)體表面時(shí)，原子外層價(jià)電子吸收足夠的光子能量，越過(guò)禁帶，進(jìn)入導(dǎo)帶，成為可以自由運(yùn)動(dòng)的自由電子。即，器件輸出信號(hào)與輸入功率之比。 V（ λ)為人眼的光譜光視效率 。 m2 ） ]。 對(duì)點(diǎn)光源在給定方向的立體角元 dΩ內(nèi)發(fā)射的輻通量 dΦe，與該方向立體角元 dΩ之比定義為點(diǎn)光源在該方向的輻 (射 )強(qiáng)度 Ie，即 輻 (射 )強(qiáng)度的計(jì)量單位為瓦 （ 特 ） 每球面度 [W／ sr]。1. 光輻射的度量 2. 光電探測(cè)器的響應(yīng)特性 3. 光電子器件的探測(cè)率 4. 光吸收 光電器件的基本特性
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