微電子器件課程復(fù)習(xí)題-免費(fèi)閱讀
【正文】 2某N溝道MOSFET的VT = ,β= 6103AV2，求當(dāng)VGS分別為2V、4V、6V、8V和10V時(shí)的通導(dǎo)電阻Ron之值。當(dāng)此管的有源基區(qū)方塊電阻乘以3，其余參數(shù)均不變時(shí)，其與變?yōu)槎嗌伲?某雙極型晶體管當(dāng)IB1 = = 4mA，當(dāng)IB2 = = 5mA，試分別求此管當(dāng)IC = 4mA時(shí)的直流電流放大系數(shù)β與小信號(hào)電流放大系數(shù)βO 。N溝道MOSFET ；P溝道MOSFET 某突變PN結(jié)的，試問(wèn)Jdp是Jdn的多少倍？ 因?yàn)樗砸阎砅N結(jié)的反向飽和電流為Io =10 12A，（）反向電壓時(shí)的PN結(jié)擴(kuò)散電流。2畫出高頻晶體管結(jié)構(gòu)的剖面圖，并標(biāo)出圖中各部分的名稱。當(dāng)把PN結(jié)作為開關(guān)使用時(shí)，在直流特性和瞬態(tài)特性這兩方面，PN結(jié)與理想開關(guān)相比有哪些差距？引起PN結(jié)反向恢復(fù)過(guò)程的主要原因是什么？1畫出NPN晶體管在飽和狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和倒向放大狀態(tài)時(shí)的少子分布圖。所謂大注入，就是注入到半導(dǎo)體中的非平衡少數(shù)載流子濃度接近或者超過(guò)原來(lái)的平衡多數(shù)載流子濃度（～摻雜濃度）時(shí)的一種情況。在一定條件下，假設(shè)冶金結(jié)附近的雜質(zhì)濃度是隨距離進(jìn)行線性變化的，這稱為線性緩變結(jié)。7閾電壓的短溝道效應(yīng)是指，當(dāng)溝道長(zhǎng)度縮短時(shí)，變（減小）。當(dāng)時(shí)，MOSFET進(jìn)入（ 飽和）區(qū)，漏極電流隨的增加而（不變）。6N溝道MOSFET的襯底是（P）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（N）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（電子）。當(dāng)（晶體管最大功率）降到1時(shí)的頻率稱為最高振蕩頻率。5基區(qū)渡越時(shí)間是指（從發(fā)射結(jié)渡越到集電結(jié)所需要的平均時(shí)間）。防止基區(qū)穿通的措施是（增加）基區(qū)寬度、（提高）基區(qū)摻雜濃度。3ICS是指（發(fā)射結(jié)）短路、（集電結(jié)）反偏時(shí)的（集電）極電流。這是由于小電流時(shí)，發(fā)射極電流中（勢(shì)壘區(qū)復(fù)合電流）的比例增大，使注入效率下降。P69為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（發(fā)射）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（基）區(qū)摻雜濃度。（減薄輕摻雜區(qū)的厚度）2PN結(jié)的擊穿有三種機(jī)理，它們分別是（雪崩擊穿）、（齊納擊穿）和（熱擊穿）。1勢(shì)壘電容反映的是PN結(jié)的（微分）電荷隨外加電壓的變化率。每經(jīng)過(guò)一個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度的距離，非平衡電子濃度降到原來(lái)的（e分之一）。當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（減?。?，勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（降低）。若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為（）和（）。當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（增大），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（提高）。1PN結(jié)擴(kuò)散電流的表達(dá)式為（）。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（ 大 ）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（ 小 ）。2PN結(jié)的摻雜濃度越高，雪崩擊穿電壓就越（?。?；結(jié)深越淺，雪崩擊穿電壓就越（?。?。2晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（正）偏、集電結(jié)（零）偏時(shí)的（集電極）電流與（發(fā)射極）電流之比。3發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)是指當(dāng)發(fā)射區(qū)摻雜濃度太高時(shí)，不但不能提高（注入效率），反而會(huì)使其（下降）。4ICBO是指（發(fā)射）極開路、（集電）結(jié)反偏時(shí)的（集電）極電流。P904比較各擊穿電壓的大小時(shí)可知，BVCBO（大于）BVCEO ，BVCBO（遠(yuǎn)大于）BVEBO。當(dāng)基區(qū)寬度加倍時(shí)，基區(qū)渡越時(shí)間增大到原來(lái)的（2）倍。5當(dāng)降到（1）時(shí)的頻率稱為特征頻率。6P溝道MOSFET的襯底是（N）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（P）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（空穴）。7由于電子的遷移率比空穴的遷移率（大），所以在其它條件相同時(shí)，（N）溝道MOSFET的比（P）溝道MOSFET的大。7在長(zhǎng)溝道MOSFET中，漏極電流的飽和是由于（溝道夾斷），而在短溝道MOSFET中，漏極電流的飽和則是由于（載流子漂移速度的飽和）。PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)的寬度與哪些因素有關(guān)？摻雜濃度和溫度寫出PN結(jié)反向飽和電流I0的表達(dá)式，并對(duì)影響I0的各種因素進(jìn)行討論。所謂小注入就是注入的
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