【摘要】電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀和技術對策2005-7-18摘要:敘述T電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀、主要技術和應用狀況,并討論了今后的發(fā)展方向。關鍵詞電力電子器件,功率MOSFET,功率ICl引言電力電子技術包括功率半導體器件與IC技術、功率變換技術及控制技術等幾個方面,,其應用已橙蓋了工業(yè)、民用、通信、交通等各個領域。分立功率器件能處理越來越高的電流和電壓;功率lC中已將CMOS、高性能雙極和
2025-06-22 00:16
【摘要】電氣工程學院ElectricalEngineeringInstituteofNEDU第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅動電力電子器件的保護電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用2023/3/1
2025-01-01 01:32
【摘要】對電力電子器件應用技術發(fā)展的思考-----------------------作者:-----------------------日期:對功率電子器件應用技術發(fā)展的思考內(nèi)容提要:功率電子技術誕生于晶閘管產(chǎn)生的1957年。發(fā)展到如今,就功率電子器件而言,早已從半控型的晶閘管進入以IGBT、功率MOSFET為代表的全控型器件的時代。
2025-06-17 13:40
【摘要】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述........................3電力電子元器件產(chǎn)品概述................................3電力電子器件的今后發(fā)展動向............................3第二章、電力電子元器件應用領域分析預測.................4變頻器-
2024-12-15 21:21
【摘要】通訊IQC電子器件培訓修訂日期修訂單號修訂內(nèi)容摘要頁次版次修訂審核批準2011/03/30/系統(tǒng)文件新制定4A/0///
2025-04-02 00:19
【摘要】短溝道效應當MOSFET的溝道長度L↓時,分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴重起來,這一系
2025-04-29 00:54
【摘要】1.光輻射的度量2.光電探測器的響應特性3.光電子器件的探測率4.光吸收光電器件的基本特性1.光輻射的度量光輻射的度量方法有兩種:一種是客觀的度量方法,研究各種電磁輻射的傳播和量度,稱為輻射度學參量.適用于整個電磁譜區(qū).另一種是主觀的計量方法,以人眼見到的光對大腦的刺激程度來對光進行
2025-03-04 11:02
【摘要】PN結的擊穿雪崩倍增隧道效應熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】微電子器件與工藝課程設計?設計一個均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時,β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設計時應盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應的影響。設計任務具體要求:1、制造目標:發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結及集電結的結深
2024-12-27 20:50
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【摘要】常用元器件的識別電阻電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示,如:R1表示編號為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識別:電阻的單位為歐姆(Ω),倍率單位有:千歐(KΩ),兆歐(MΩ)等。換算方法是:1兆歐=1000千歐=1000000歐電阻的參數(shù)標注方法有3種,即直標法、色標法和數(shù)標法。a、數(shù)標法主要用于貼片等小體積的電路,如:472表示
2025-06-24 15:01
【摘要】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當作是由一個電阻產(chǎn)生的,稱這個電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當可觀,對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
【摘要】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎由兩個相距很近的pn結組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠遠小于少子擴散長度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【摘要】18/18
2025-08-03 05:35
【摘要】電力電子器件創(chuàng)新技術與解決方案研討會(PECITS2007)邀請函縱觀IT產(chǎn)業(yè)不同器件的發(fā)展歷程,由真空電子管、晶體管、集成電路、大規(guī)模集成電路到超大規(guī)模集成電路,一代器件造就一代系統(tǒng),變頻器與電源系統(tǒng)及其子系統(tǒng)也不例外。從某種意義上說,是器件技術的發(fā)展水平?jīng)Q定著變頻器及電源行業(yè)的成長高度。因此,關注器件技術的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢對于變頻器和電源行業(yè)的企業(yè)無比重要。由《變頻器世界》發(fā)
2025-07-13 23:17