【摘要】電力電子技術(shù)1.電力電子技術(shù)的內(nèi)容?電力電子學(xué),又稱功率電子學(xué)(PowerElectronics)。它主要研究各種電力電子器件,以及由這些電力電子器件所構(gòu)成的各式各樣的電路或裝置,以完成對(duì)電能的變換和控制。?它既是電子學(xué)在強(qiáng)電(高電壓、大電流)或電工領(lǐng)域的一個(gè)分支,又是電工學(xué)在弱電(低電壓、小電流)或電子領(lǐng)域的一個(gè)分支,或者說
2025-01-05 22:23
【摘要】第五節(jié)其它新型電力電子器件?電力晶體管GTR?可關(guān)斷晶閘管GTO?功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET?絕緣柵雙極晶體管IGBT?靜電感應(yīng)晶體管SIT?靜電感應(yīng)晶閘管SITH?MOS晶閘管MCT?MOS晶體管MGT一、雙極型器件GTO、GTR、SITH1、電力晶體管G
2025-01-07 02:39
【摘要】常用電力電子器件介紹一、晶閘管(Thyristor)的結(jié)構(gòu)及工作原理二、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)三、大功率晶體管(GTR)四、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)五、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)復(fù)習(xí)提問?1、什么是直流
2025-01-07 04:10
【摘要】《電力電子技術(shù)》電子教案第1章電力電子器件2第1章電力電子器件(4學(xué)時(shí))電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件(POWERMOSFET、IGBT)其他新型電力電子器件(自學(xué))電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的
2025-02-25 20:18
【摘要】1電子技術(shù)的基礎(chǔ)———電子器件:晶體管和集成電路電力電子電路的基礎(chǔ)———電力電子器件本章主要內(nèi)容:概述電力電子器件的概念、特點(diǎn)和分類等問題。介紹常用電力電子器件的工作原理、基本特性、主要參數(shù)以及選擇和使用中應(yīng)
2025-05-22 02:34
【摘要】1第2章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件功率集成電路與集成電力電子模塊2電子技術(shù)的基礎(chǔ)———電子器件:晶體管和
2025-05-26 22:16
【摘要】1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)第1章電力電子器件
2025-05-26 22:17
【摘要】第一章電力電子器件電力電子器件(2)晶閘管?1.晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理?2.晶閘管的基本特性?3.晶閘管的主要參數(shù)?4.晶閘管的派生器件1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管(Thyristor)——硅晶體閘流管的簡(jiǎn)稱又稱:可控硅整流器SCR,簡(jiǎn)稱可控硅。晶閘管
2025-01-26 09:01
【摘要】1-1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)1-2電子技術(shù)的基礎(chǔ)
【摘要】第二章、電力電子器件、電力電子器件的基本模型、電力二極管?、晶閘管、可關(guān)斷晶閘管?、電力晶體管?、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管?、絕緣柵雙極型晶體管?、其它新型電力電子器件、電力電子器件的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)、電力電子器件的基本模型電力半導(dǎo)體器件是電
2025-02-12 20:00
【摘要】第四講全控型電力電子器件概述門極可關(guān)斷晶閘管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO)在晶閘管問世后不久出現(xiàn);20世紀(jì)80年代以來,信息電子技術(shù)與電力電子技術(shù)在各自發(fā)展的基礎(chǔ)上相結(jié)合——高頻化、全控型、采用集成電路制造工藝的電力電子器件,從而將電力電子技術(shù)又帶入了一個(gè)嶄新時(shí)代;典型代表——門極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管(GiantTransistor——G
2025-06-25 17:38
【摘要】第1章電力電子器件??電力電子器件概述電力電子器件概述??不可控器件不可控器件————二極管二極管??半控型器件半控型器件————晶閘管晶閘管??典型全控型器件典型全控型器件??其他新型電力電子器件其他新型電力電子器件??電力電子
2025-01-26 18:13
【摘要】微電子器件封裝-封裝材料與封裝技術(shù)朱路平城市建設(shè)與環(huán)境工程學(xué)院Email:QQ:422048712?WaferPackageSingleICAssemblyPackagingAssemblyistheBridgeBetweenICandSystem!本課程為材料專業(yè)本
2025-01-03 15:55
【摘要】第三講半控型電力電子器件—晶閘管概述晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)。1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室(BellLab)發(fā)明了晶閘管;1957年美國(guó)通用電氣公司(GE)開發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品;1958年商業(yè)化,開辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的嶄新時(shí)代;20世紀(jì)80年代以來,開
2025-07-03 08:14
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時(shí)ID=0。但實(shí)際上當(dāng)VGSVT時(shí),MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時(shí)的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2025-01-03 23:00