【摘要】光電子器件理論與技術(shù)主講人:婁淑琴電學(xué)(或電子學(xué))和光學(xué)(或光子學(xué))在表面看來(lái)是兩個(gè)獨(dú)立的學(xué)科。在深入研究的過(guò)程中,人們發(fā)現(xiàn)兩者有著非常密切的內(nèi)在聯(lián)系。光與電打交道的第一個(gè)回合是19世紀(jì)60年代麥克斯韋提出的光的電磁波理論,他明確指出無(wú)線電波和光波都是電磁波。光和電第一個(gè)回合
2025-08-01 12:32
【摘要】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點(diǎn)接觸晶體管問(wèn)世;1950年代:可控制導(dǎo)電類型的超高純度單晶問(wèn)世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機(jī));1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時(shí)代;1970年代:集成電路(IC)
2024-12-28 15:55
【摘要】第三講半控型電力電子器件—晶閘管概述晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)。1956年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室(BellLab)發(fā)明了晶閘管;1957年美國(guó)通用電氣公司(GE)開發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品;1958年商業(yè)化,開辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的嶄新時(shí)代;20世紀(jì)80年代以來(lái),開
2025-06-24 08:14
【摘要】1.光電導(dǎo)長(zhǎng)度對(duì)光電流的影響()ppnpAAIUgUUqnLL?????????out2()npqUNL?????ininNN=:outoutVnpgNNV????????????????,:入射的光子數(shù),:量子效率,產(chǎn)
2024-12-31 22:44
【摘要】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述........................3電力電子元器件產(chǎn)品概述................................3電力電子器件的今后發(fā)展動(dòng)向............................3第二章、電力電子元器件應(yīng)用領(lǐng)域分析預(yù)測(cè).................4變頻器-
2024-12-15 21:21
【摘要】通訊IQC電子器件培訓(xùn)修訂日期修訂單號(hào)修訂內(nèi)容摘要頁(yè)次版次修訂審核批準(zhǔn)2011/03/30/系統(tǒng)文件新制定4A/0///
2025-04-02 00:19
【摘要】短溝道效應(yīng)當(dāng)MOSFET的溝道長(zhǎng)度L↓時(shí),分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴(yán)重起來(lái),這一系
2025-04-29 00:54
【摘要】-光電轉(zhuǎn)換的橋梁徐徐征征北京交通大學(xué)理學(xué)院光電子技術(shù)研究所v徐征博士教授博士生導(dǎo)師北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所光學(xué)學(xué)會(huì)光電專業(yè)委員會(huì)委員中國(guó)儀器儀表學(xué)會(huì)光機(jī)電技術(shù)與系統(tǒng)集成分會(huì)理事《液晶與顯示》雜志編委《光電子·激光》雜志編委《光譜學(xué)與光譜分析》
【摘要】報(bào)告人:高大永熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用前言在當(dāng)今時(shí)代,環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時(shí)代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護(hù)環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點(diǎn)。熱電轉(zhuǎn)化器件,因?yàn)榫哂协h(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點(diǎn)
【摘要】第二章、電力電子器件、電力電子器件的基本模型、電力二極管?、晶閘管、可關(guān)斷晶閘管?、電力晶體管?、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管?、絕緣柵雙極型晶體管?、其它新型電力電子器件、電力電子器件的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)、電力電子器件的基本模型電力半導(dǎo)體器件是電
2025-02-06 20:00
【摘要】關(guān)于轉(zhuǎn)發(fā)《國(guó)家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實(shí)施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)有關(guān)問(wèn)題的通知》的通知區(qū)內(nèi)各有關(guān)企業(yè):《國(guó)家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實(shí)施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)有關(guān)問(wèn)題的通知》已經(jīng)下達(dá),請(qǐng)符合條件的企業(yè)按通知要求認(rèn)真準(zhǔn)備項(xiàng)目資金申請(qǐng)材料(同時(shí)提供電子文檔),并于11月8日前送至長(zhǎng)沙高新區(qū)管委會(huì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展局。聯(lián)系人:肖秋良電話:8995479電子郵箱:WYOXQL@
2025-06-22 19:00
【摘要】目錄一·課程設(shè)計(jì)目的與任務(wù)……………………………………………………………1二·設(shè)計(jì)的內(nèi)容………………………………………………………………………1三·設(shè)計(jì)的要求與數(shù)據(jù)………………………………………………………………1四·物理參數(shù)設(shè)計(jì)……………………………………………………………………2………………………………………………2
2025-06-29 13:20
【摘要】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時(shí)的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【摘要】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說(shuō)明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號(hào)為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38