【總結】微電子器件可靠性習題第一、二章數(shù)學基礎1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時間之間關系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【總結】課程設計課程名稱微電子器件工藝課程設計題目名稱PNP雙極型晶體管的設計學生學院___材料與能源學院____專業(yè)班級08微電子學1班學號3108008033學生姓名____張又文___指導教師魏愛香
2025-07-27 17:47
【總結】第四章微電子器件的軟釬焊及表面組裝技術第一節(jié)概述第二節(jié)軟釬焊的基本原理第三節(jié)、軟釬料合金第四節(jié)軟釬劑第五節(jié)藥芯軟釬焊絲和釬料膏第六節(jié)機械化軟釬焊技術第七節(jié)表面組裝技術及再流焊方法第八節(jié)SMT焊點的可靠性問題第一節(jié)概述所謂軟釬焊,是指采用熔點(或液相線溫度)低于427℃
2025-05-01 22:57
【總結】目錄一·課程設計目的與任務……………………………………………………………1二·設計的內(nèi)容………………………………………………………………………1三·設計的要求與數(shù)據(jù)………………………………………………………………1四·物理參數(shù)設計……………………………………………………………………2………………………………………………2
2025-06-29 13:20
【總結】微電子器件與工藝課程設計?設計一個均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時,β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設計時應盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應的影響。設計任務具體要求:1、制造目標:發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結及集電結的結深
2025-12-18 20:50
【總結】第五章非平衡載流子1.GeN?313410,101??????cmpsp?解:??13173141010110ppUcms?????????2.空穴在半導體內(nèi)均勻產(chǎn)生,其產(chǎn)生率00px???0???xE?22ppppEppppD
2025-10-09 14:52
【總結】?復旦大學微電子研究院?包宗明?半導體物理、器件和工藝導論(第一部分)半導體物理和半導體器件物理本課程的目的?為后繼課程的學習打基礎;?提高工作中分析問題和解決問題的能力;?提高今后工作中繼續(xù)學習和研究的能力。主要參考書:《雙極型與MOS半導體器件原理》黃均鼐湯庭鰲編著其他參考書:
2025-04-29 05:36
【總結】電力電子器件的驅(qū)動電路1)、驅(qū)動電路功能:是主電路與控制電路之間的接口使電力電子器件工作在較理想的開關狀態(tài),縮短開關時間,減小開關損耗,提高運行效率、對裝置的可靠性和安全性都有重要的意義。2)、驅(qū)動電路的基本任務:–將信息電子電路傳來的信號,轉換為電力電子器件所要求的開通或關斷的信號,及必要的隔離電路。–對
2025-12-20 06:38
【總結】第六章PN結1、??VnNNqTkViADD26171520??????解:查附錄,得到室溫下,Ge本征載流子濃度???cmni317315105,105??????cmNcmNAD接觸電勢差,2、解、P中性區(qū)電子擴散區(qū)勢
2025-12-14 14:01
【總結】第2章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件功率集成電路與集成電力電子模塊本章小結引言■模擬和
2025-07-20 08:30
【總結】微電子器件測試與封裝-第四章深愛半導體股份有限公司封裝部-謝文華器件的分類Page2內(nèi)容|半導體器件測試SHENZHENSISEMICONDUCTORSCO.,LTD?半導體器件?一、集成電路?ASIC?存儲器?FPGA?二、分立器件?雙極晶體管——Transistor
2025-12-23 04:40
【總結】課后習題答案為什么經(jīng)典物理無法準確描述電子的狀態(tài)?在量子力學中又是用什么方法來描述的?解:在經(jīng)典物理中,粒子和波是被區(qū)分的。然而,電子和光子是微觀粒子,具有波粒二象性。因此,經(jīng)典物理無法準確描述電子的狀態(tài)。在量子力學中,粒子具有波粒二象性,其能量和動量是通過這樣一個常數(shù)來與物質(zhì)波的頻率和波矢建立聯(lián)系的,即上述等式的左邊描述的是粒子的能量和動量,右邊描述的則是粒子波動
2025-06-20 05:30
【總結】第七章長溝道MOSFETs(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)?MOSFETs的基本工作原理?漏電流模型?MOSFETs的I-V特性?亞閾特性?襯底偏置效應和溫度特性對閾值電壓的影響?MOSFET溝道遷移率?MOSFET電容和反型層電容的影響?MOSFET的頻率特性
【總結】第一章電力電子器件電力電子器件(2)晶閘管?1.晶閘管的結構與工作原理?2.晶閘管的基本特性?3.晶閘管的主要參數(shù)?4.晶閘管的派生器件1晶閘管的結構與工作原理晶閘管(Thyristor)——硅晶體閘流管的簡稱又稱:可控硅整流器SCR,簡稱可控硅。晶閘管
2026-01-08 09:01
【總結】1電子技術的基礎———電子器件:晶體管和集成電路電力電子電路的基礎———電力電子器件本章主要內(nèi)容:概述電力電子器件的概念、特點和分類等問題。介紹常用電力電子器件的工作原理、基本特性、主要參數(shù)以及選擇和使用中應
2025-05-13 02:34