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正文內(nèi)容

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2025-08-02 19:44 本頁面
   

【正文】 但實際上由于氧化層的缺陷與不均勻 ,應至少加 50% 的安全系數(shù)。由于溝道區(qū)摻雜遠低于源漏區(qū),所以穿通現(xiàn)象是除工藝水平外限制 L 縮短的重要因素之一。 總的說來, MOSFET 有較好的溫度穩(wěn)定性。 0dd T ?TVTVdd TTVVCLZTITVVITITIddddddddddTDSOXnnnDTTDnnDD????????????????因 , ,又已知 N 溝道 MOSFET 的 所以 的正負取決于 ID 的大小,也即( VGS –VT)的大小。柵極電流 IG極小,通常小于 1014 A 。 MOSFET 的直流參數(shù)與溫度特性 MOSFET 的直流參數(shù) 閾電壓 VT 飽和漏極電流 IDSS 只適用于耗盡型 MOSFET,表示當 VGS = 0, VDS VDsat 且恒定時的 IDsat ,即 ? ? 2 2D SS G S T T22I
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