微電子器件(5-5)(留存版)
【正文】 所以 的正負(fù)取決于 ID 的大小，也即（ VGS –VT）的大小。但實(shí)際上由于氧化層的缺陷與不均勻 ，應(yīng)至少加 50% 的安全系數(shù)。柵極電流 IG極小，通常小于 1014 A 。 D D n Tn O X D Snd d dd d dI I VZ CVT T L T? ??? ? ? (a) 漏 PN 結(jié)雪崩擊穿 由于在漏、柵之間存在 附加電場 ，使 MOSFET 的漏源擊穿電壓遠(yuǎn)低于相同摻雜和結(jié)深的 PN 結(jié)雪崩擊穿電壓。 漏源擊穿電壓 BVDS MOSFET 的 擊穿電壓 2sApt 2 LqNV?? (b) 源、漏之間的穿通 ? ?12s bi ptdA2 VVLxqN??? ??? ????略去 Vbi 后得 可見， L 越短， NA 越小， Vpt 就越低 。當(dāng) VDS 很小時(shí)， ID 可表示為 DSTGS2DSDTGSD )(21)( VVVVVVVIS ???????? ??? ??)()(1TGSOXnTGSDDSon VVCZLVVIVR????? ??
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