【正文】 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。 MOSFET及 IGBT并聯(lián)特點(diǎn)。 SCR過壓產(chǎn)生原因及保護(hù)措施，過流種類及保護(hù)措施，串并聯(lián)要求及措施。 MOSFET的電流和 電壓容量都比 IGBT低，但工作頻率高，可達(dá) 50100 kHZ以上， 因此， MOSFET在高頻小功率電路中占優(yōu)勢。 當(dāng)前的格局 : ★ 電力電子器件選用原則（比較） 目前普通晶閘管的輸出功率最大，但工作頻率低，在幾十到 幾百赫內(nèi)工作最為理想； GTO輸出功率稍低一些，但工作頻 率要高一些，最佳工作頻率約為幾百到 HZ。 電力 MOSFET：長足進(jìn)步 ， 中小功率領(lǐng)域特別是低壓 ， 地位牢固 。 GTO：兆瓦以上首選 ， 制造水平 6kV / 6kA。 (143) IGBT為主體 ， 第四代產(chǎn)品 ， 制造水平 / ， 兆瓦以下首選 。 電力電子器件類型歸納 不控型 ： 半控型 ： 全控型 ： 電壓驅(qū)動型： 所需驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單，工作頻率高。 (142) 本章小結(jié) 主要內(nèi)容 全面介紹各種主要電力電子器件的基本結(jié)構(gòu) 、 工作原理 、基本特性和主要參數(shù)等 。 ? 電力電子器件中電壓 ， 電流額定值從高往低的器件是 SCR、 GTO、IGBT和 BJT、 功率 MOSFET。 (2) 雙極型器件 二極管 、 SCR、 GTO、 BJT。 該類器件有功率MOSEET、 IGBT。 該類器件有 SCR、 GTO、BJT。 (3) 全控器件 GTO、 BJT、 功率 MOSFET、 IGBT等 。 4 IGBT的串并聯(lián) IGBT通常不串聯(lián)工作 小結(jié)（器件特點(diǎn)） 1. 根據(jù)開關(guān)器件是否可控分類 (1) 不可控器件 二極管是不可控器件 。 主電路需采用低電感接線 。 各 IGBT的開啟電壓應(yīng)一致 ， 并聯(lián)時(shí) 的接線方法： 在模塊的柵極上分別接上各模塊推薦值的 RG。 并聯(lián)時(shí)注意事項(xiàng)： 當(dāng)并聯(lián)使用時(shí) ， 使用同一等級 UCES的模塊 。 在以上的區(qū)段則具有 正 溫度系數(shù) 。 有些也可在源極電路中串入小電感 ， 起到均流電抗器的作用 。 注意選用 Ron、 UT、 Gfs和 Ciss盡量相近的器件并聯(lián) 。 ? 開關(guān)過程中 ， BJT的負(fù)載分配是不均勻的 ， 必須設(shè)計(jì)一種合適的電路 ， 使它能夠在動態(tài)下自動保持并聯(lián)的管子的均衡負(fù)載能力 。 ? 當(dāng)負(fù)載電流比較小時(shí) ， 兩個(gè)管子的集電極電流極不均勻 ? 隨著負(fù)載電流的增大 ， 電流分配將大為改善 。 ? 除了嚴(yán)格挑選并聯(lián)工作的 GTO通態(tài)電壓相等外 ， 精心設(shè)計(jì)門極控制電路 ， 采用強(qiáng)觸發(fā)脈沖驅(qū)動 ， 力爭做到并聯(lián)的 GTO同時(shí)開通和同時(shí)關(guān)斷 。 ? 開通和關(guān)斷過程中產(chǎn)生的動態(tài)不均流問題 。 GTO串聯(lián)均壓電路 2 GTO的串并聯(lián) 2. GTO的并聯(lián)連接 ? 一個(gè) GTO內(nèi)部就是由幾百個(gè)小 GTO單元并聯(lián)工作的 ， 這就給多個(gè) GTO之間的并聯(lián)工作創(chuàng)造了先天性的有利條件 。 ? 器件并聯(lián)后 ， 必須降低電流的額定值使用 ， 并聯(lián)后選擇晶閘管的額定電流為 式中 I— 允許過載時(shí)流過的總電流有效值 np— 并聯(lián)器件個(gè)數(shù) 晶閘管串并聯(lián)連接時(shí) ? 參數(shù)比較接近； ? 觸發(fā)脈沖前沿要陡 ， 電流要大； ? 適當(dāng)增大電感； ? 各支路銅線長短相同 ， 分布電感和導(dǎo)線電阻相近； ? 先串后并的方法 (134) T ( A V )p( ~ ) n? ?1. GTO的串聯(lián)連接 ? GTO串聯(lián)時(shí) ， 采用與晶閘管相似的方法解決均壓問題 。 當(dāng)需要同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時(shí) ， 通常采用先串后并的方法聯(lián)接 。 采用均流電抗器 。 但因通態(tài)壓降及開關(guān)時(shí)間不同 ，造成電流分配不均勻 。 目的 ：多個(gè)器件并聯(lián)來承擔(dān)較大的電流 晶閘管的并聯(lián) 當(dāng)晶閘管額定電流小于要求時(shí) ， 可以并聯(lián) 。 用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流 。 均流措施 ： 挑選特性參數(shù)盡量一致的器件 。 ? 由于晶閘管制造工藝的改進(jìn) ， 器件的電壓等級不斷提高 ， 因此要求晶閘管串聯(lián)連接的情況會逐步減少 。 措施：在器件兩端并聯(lián)阻容支路 ， 利用電容電壓不能突變抑制過電壓 。 2. 動態(tài)均壓：保證開關(guān)過程中器件承擔(dān)電壓相等 。 其阻值小于晶閘管斷態(tài)電阻値的 1／ 10即可 。 但因斷態(tài)電阻不同 ， 電阻大者承受過電壓 。 開通緩沖電路 復(fù)合緩沖電路 復(fù)合緩沖電路 饋能緩沖電路 饋能式復(fù)合緩沖電路 (130) 晶閘管的串聯(lián) 目的 ：當(dāng)晶閘管額定電壓小于要求時(shí) ， 可以串聯(lián) 。