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電力電子器件(參考版)

2024-12-31 03:11本頁面
  

【正文】 晶閘管串并聯(lián)使用時存在的問題及解決方法。熟悉全控器件的工作特點、驅(qū)動方式??刂品绞讲豢煽匦?—— 二極管半控型 —— 晶閘管全控型 ——GTR 、 GTO、 MOSFET、 IGBT本 章 小 結(jié)電力電子器件分類導(dǎo)電方式雙極型 ——SCR 、 GTR、 GTO單極型 —— 電力 MOSFET混合型 ——IGBT驅(qū)動信號電流驅(qū)動 ——SCR 、 GTR、 GTO電壓驅(qū)動 ——MOSFET 、 IGBT78二極管: 具有單向?qū)щ娦? 晶閘管: 具有可控的單向?qū)щ娦? 全控型器件: 具有自關(guān)斷特性電力電子器件的工作特點共同特點 —— 開關(guān)作用本 章 小 結(jié)79過電壓保護(hù) 晶閘管的保護(hù)保 護(hù) 措施 保護(hù)措施過電流保護(hù)最常用 —— 阻容吸收保護(hù) 最常用 —— 快速熔斷器保護(hù) 本 章 小 結(jié)80晶閘管的串并聯(lián) 串 聯(lián) 并 聯(lián)要解決的問題解決方法均壓并聯(lián)均壓電阻均流串聯(lián)均流電阻本 章 小 結(jié)81掌握所學(xué)過的各種電力電子器件的圖形符號、電極名稱。晶閘管的并聯(lián)77( 3)采用門極強脈沖觸發(fā)。76晶閘管串并聯(lián)使用中應(yīng)注意:( 1)即使采取均壓、均流措施也不可能保證電壓或電流分配絕對均衡,所以元件的額定電壓和額定電流應(yīng)留有足夠的余量。理想情況: 各并聯(lián)的晶閘管承擔(dān)的電流相等。解決方法:串聯(lián)均流電阻 R串聯(lián)均流電抗器應(yīng)盡量選用特性參數(shù)一致的器件當(dāng)單只晶閘管額定電流小于實際要求時,可將多只同型號晶閘管并聯(lián)起來使用。解決方法:靜態(tài)均壓 —— 并聯(lián)均壓電阻 Rj動態(tài)均壓 —— 并聯(lián)均壓阻容 RC應(yīng)盡量選用特性參數(shù)一致的器件晶閘管的串聯(lián)74晶閘管的并聯(lián)實際存在的問題: 因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)差異導(dǎo)致電流分配不均衡。實際存在的問題:理想情況: 各串聯(lián)的晶閘管承受的電壓相等。通常緩沖電路一般指關(guān)斷緩沖電路,而將開通緩沖電路稱為 di/dt抑制電路 晶閘管的保護(hù) 過電壓保護(hù)過電流保護(hù)71緩沖電路緩沖電路 (吸收電路) 作用 抑制器件的內(nèi)因過電壓、 du/dt、過電流和 di/dt,減小器件的開關(guān)損耗。 過電流的產(chǎn)生內(nèi)因: 晶閘管損壞、觸發(fā)電路故障等。一般采用阻容保護(hù)。過電壓保護(hù)652)非線性電阻保護(hù) — 壓敏電阻保護(hù) 一般情況下,為使系統(tǒng)更加精確,往往在交流側(cè)采用雙重保護(hù),即阻容保護(hù)和非線性保護(hù)同時使用。 ?硒堆保護(hù) —— 非線性元件過電壓保護(hù)63(類似穩(wěn)壓管)?壓敏電阻保護(hù) —— 非線性電阻基本特性: 正反向?qū)ΨQ,可實現(xiàn)雙向限壓。61過電壓保護(hù) 過電壓外 因過電壓 內(nèi) 因過電壓操作過電壓雷擊過電壓 換相過電壓 關(guān)斷過電壓過電壓的產(chǎn)生62保護(hù)原理: 利用電容兩端電壓不能突變的特點吸收尖峰電壓。電力 MOSFET導(dǎo)通。V V2導(dǎo)通時,通過脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。脈沖變壓器 TM和附屬電路構(gòu)成 脈沖輸出環(huán)節(jié) 。(3IGT ~ 5IGT )t3 ~ t4IM—強脈沖幅值 —強脈沖寬度 1μs55 觸發(fā)電路的種類分立元件觸發(fā)電路: 簡單觸發(fā)電路 單結(jié)管觸發(fā)電路 正弦波觸發(fā)電路 鋸齒波觸發(fā)電路集成觸發(fā)器: KJ004移相觸發(fā)器 TC787移相觸發(fā)器計算機控制數(shù)字觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路56幾種常見的觸發(fā)脈沖晶閘管的觸發(fā)電路57理想觸發(fā)脈沖電流波形 t1 ~ t23. 不超過門極電壓、電流和功率定額,且在可靠觸發(fā) 區(qū) 域之內(nèi)。對晶閘管觸發(fā)電路的要求1. 觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管可靠導(dǎo)通。(一般采用光隔離或磁隔離)。主電路與控制電路之間的接口性能良好的驅(qū)動電路使電力電子器件理想的開關(guān)狀態(tài)縮短開關(guān)時間 減小開關(guān)損耗對裝置的運行效率,可靠性、安全性有重要意義 電力電子器件驅(qū)動電路概述要求:驅(qū)動電路提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環(huán)節(jié)。將信息電子電路傳來的信號按控制目標(biāo)的要求,轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間,可以使其 開通 或 關(guān)斷 的信號。?輸入阻抗高。?安全工作區(qū)大,耐沖能力強。轉(zhuǎn)移特性 輸出特性開啟電壓開關(guān)時間:開通時間約為 ~ 關(guān)斷時間約為 ~ 導(dǎo)通條件: uGE> UGE(th) (開啟電壓)工作特點: uGE↑→ 集電極電流 ic↑ —— 電壓驅(qū)動型 絕緣柵雙極晶體管( IGBT)靜態(tài)特性51 絕緣柵雙極晶體管( IGBT) IGBT的主要優(yōu)點:?開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小。1986年投入市場,是目前中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。Transistor—— IGBT或 IGT)絕緣柵雙極晶體管 ( Insulatedgate缺點: 通流能力較差,且通態(tài)電阻值較大。MOSFET)P溝道導(dǎo)電溝道電力 MOSFET主要是 N溝道增強型N溝道增強型耗盡型增強型耗盡型46uGS↑→ 導(dǎo)電溝道寬度 ↑→ 漏極電
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