微電子工藝考題-資料下載頁
2025-03-25 01:57本頁面
【正文】 中，淀積過程主要是表面反應速率控制對（對/錯）。6．曝光后顯影時感光的膠層沒有溶解，沒有感光的膠層溶解，這種膠為負(正/負)膠。7．負膠適于刻蝕粗(細/粗)線條。8．SiN4薄膜在集成電路中的應用主要有：，，由于氮化硅膜介電常數(shù)大，所以被用作（ C ）。9．入射離子的兩種能量損失模型為：核碰撞和電子碰撞。10．離子注入與熱擴散相比，哪個橫向效應小（ A ）。，B. 熱擴散。11．雜質(zhì)原子（或離子）在半導體晶片中的擴散機構(gòu)比較復雜，但主要可分為兩種機構(gòu)：替位式擴散和間隙式擴散。12．有限表面源擴散的雜質(zhì)分布服從高斯分布。13．化學氣相淀積SiO2與熱生長SiO2相比較，下面哪些說法是正確的：（E）。；2. CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導體材料上； SiO2，襯底硅不參加反應； SiO2，溫度低。 、2，B. 4，、4，、4，E. 4。14．干法刻蝕適用于細(粗/細)線條。
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