微電子工藝考題-資料下載頁(yè)
2025-03-25 01:57本頁(yè)面
【正文】 中，淀積過程主要是表面反應(yīng)速率控制對(duì)（對(duì)/錯(cuò)）。6．曝光后顯影時(shí)感光的膠層沒有溶解，沒有感光的膠層溶解，這種膠為負(fù)(正/負(fù))膠。7．負(fù)膠適于刻蝕粗(細(xì)/粗)線條。8．SiN4薄膜在集成電路中的應(yīng)用主要有：，，由于氮化硅膜介電常數(shù)大，所以被用作（ C ）。9．入射離子的兩種能量損失模型為：核碰撞和電子碰撞。10．離子注入與熱擴(kuò)散相比，哪個(gè)橫向效應(yīng)?。?A ）。，B. 熱擴(kuò)散。11．雜質(zhì)原子（或離子）在半導(dǎo)體晶片中的擴(kuò)散機(jī)構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機(jī)構(gòu)：替位式擴(kuò)散和間隙式擴(kuò)散。12．有限表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布服從高斯分布。13．化學(xué)氣相淀積SiO2與熱生長(zhǎng)SiO2相比較，下面哪些說法是正確的：（E）。；2. CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上； SiO2，襯底硅不參加反應(yīng)； SiO2，溫度低。 、2，B. 4，、4，、4，E. 4。14．干法刻蝕適用于細(xì)(粗/細(xì))線條。
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