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2025-04-29 06:26本頁面
【正文】 k ILD2 ILD1 Via SiO2 (c) Tungsten etchback SiO2 Tungsten plug (b) Tungsten CVD via fill Tungsten Figure 濕法腐蝕 ? Wet Etch Parameters ? Types of Wet Etch ? Wet Oxide Etch ? Wet Chemical Strips 濕法腐蝕參數(shù) 參數(shù) 說明 控制難度 濃度Con ce ntration 溶液濃度 (e . g. , rat io of NH4F:H F for e tc h an oxide). 最難控制的參數(shù)，因為槽內(nèi)溶液的濃度一致在變。 時間 Time 硅片浸泡在腐蝕液的時間 . 相對容易控制 . 溫度Temper ature 腐蝕槽的溫度 . 相對容易控制 . 攪動 Agitat ion 溶液的攪拌 . 有一定控制難度 . 批數(shù) 為減少顆粒及保持適當?shù)臐舛?，一定批次后必須更換。 相對容易控制 Table 氧化層腐蝕速率 BHF 25176。 C Tab le 16. 81 近似氧化層腐蝕速率 BH F 2 5 176。 C a Ty pe of Ox ide Dens ity (g /c m3) Etch Rate (nm/ s) Dr y grown 2. 24 – 2 . 27 1 W et grown 2. 18 – 2 . 21 1. 5 CVD deposit ed 2. 00 1. 5b – 5c Sputte re d 2. 00 10 – 20 a ) 10 p a rts of 454 g NH 4 F in 680 m l H 2 O a nd one pa rt 48% H F b) Anne a l e d a t appr ox im a tel y 1000 ? C f o r 10 minut e s c ) N ot ann e a led 1 B . E l Kar eh , ib id , p . 2 7 7 . Table 濕法腐蝕 ? 非關(guān)鍵尺寸中 ? 腐蝕殘膠影響腐蝕進行 ? 各向同性 ? SiO2 HF腐蝕 KOH在 100晶向的腐蝕速率比 111晶向快 100倍 ? (100)晶面與（ 111）晶面的夾角： 176。 刻蝕技術(shù)的發(fā)展 多晶硅刻蝕技術(shù)的發(fā)展 去除光刻膠 等離子去膠 ?去膠機概述 ?等離子體損傷 ?去除殘留物 去膠機中氧原子與光刻膠的反應(yīng) Substrate Resist Asher reaction chamber 2) O2 dissociates into atomic oxygen 3) Plasma energy turns oxygen into + ions 4) Neutral O and O+ react with C and H atoms in resist Neutral oxygen radicals 5) Byproduct desorption 6) Byproduct removal Exhaust Gas delivery Downstream Plasma 1) O2 molecules enter chamber + + + + + + + l l + Figure 過刻蝕通孔覆蓋物 通孔 覆蓋物 聚合物殘渣 Figure 第十六章 刻蝕： 刻蝕檢查 刻蝕工藝最后一步就是進行刻蝕檢查以確保刻蝕質(zhì)量，在 刻蝕 和 去膠 完成之后進行； 最重要的檢查之一是對 特殊掩蔽層 的檢查，以確保 關(guān)鍵尺寸 正確。 第十六章 刻蝕： 刻蝕質(zhì)量測量 刻蝕質(zhì)量測量： 關(guān)鍵尺寸偏差； 金屬腐蝕； 刻蝕后的側(cè)壁污染物； 負載效應(yīng)； 金屬刻蝕后的短路； 刻蝕后過多的殘留物。 第十六章 刻蝕： 檢查與故障排除 干法刻蝕檢查及故障排除： 刻蝕速率不對； 選擇比不夠； 側(cè)壁角度不合適； 片內(nèi)刻蝕不均勻； 等離子體損傷； 顆粒沾污； 金屬侵蝕。 第十六章 作業(yè) ? P436： 2， 3， 7， 9， 13， 15， 18， 19， 20，22， 23， 31， 32， 42， 43， 46， 50， 54，57
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