微電子工藝習(xí)題總結(jié)-資料下載頁
2025-03-25 01:57本頁面
【正文】 sotropic etch profiles and what are the desirable and undesirable aspects of each profile.描述各同向性和各向異性刻蝕剖面，以及在每一種剖面中哪一種是希望的哪一種是不希望的答：各向同性的刻蝕剖面在所有方向上以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕，這將帶來不希望的線寬損失。各向異性的刻蝕剖面即刻蝕只在垂直于硅片表面的方向進(jìn)行，只有很少的橫向刻蝕。希望剖蝕面是各向異性的。81. Is a dry etch profile isotropic, anisotropic or both? What about a wet etch profile?干法刻蝕的剖面是各同向性，各向異性的還是兩者都有，濕法腐蝕的剖面是怎樣的答：兩者都有。82. Does dry etching have good or poor selectivity?干法刻蝕有高的或低的選擇比答：干法刻蝕通常不能提供對下一層材料足夠高的刻蝕選擇比8List the advantages of dry etch over wet etch. What are the disadvantages of dry etch?列舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)，干法刻蝕的不足之處是什么答：優(yōu)點(diǎn)：，具有非常好的側(cè)壁剖面控制 。 、片間、批次間的刻蝕均勻性 。缺點(diǎn)：對下層材料的差的刻蝕選擇比、等離子體帶來的器件損傷和昂貴的設(shè)備8一個(gè)成功的干法刻蝕要求是哪些方面？List six requirements for successful dry etch.列出在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應(yīng)的六種方法答：2. 獲得可接受的產(chǎn)能的刻蝕速率3. 好的側(cè)壁剖面控制4. 好的片內(nèi)均勻性5. 低的器件損傷8What gas chemistries are used for silicon dioxide, aluminum, silicon and photoresist? 二氧化硅，鋁，硅和光刻膠刻蝕分別使用什么化學(xué)氣體來實(shí)現(xiàn)干法刻蝕答：刻蝕硅采用的化學(xué)氣體為CF4/..8Describe the tungsten etchback process.描述平板反應(yīng)器答：首先在層間介質(zhì)二氧化硅中刻出通孔窗口，然后再覆蓋有TiN阻擋層的通孔窗口中淀積W，最后進(jìn)行干法等離子體反刻刻蝕掉多余的鎢覆蓋層，制作出填滿鎢的通孔。8 What gas chemistries are usually used for etching polysilicon and why has these chemistries replaced fluorine chemistries?哪種化學(xué)氣體通常用來刻蝕多晶硅，為什么這種化學(xué)氣體替代了氟基化學(xué)氣體答：氯氣、溴氣、氯/溴氣原因：因?yàn)榉鶜怏w的刻蝕是各向同性的并且對光刻膠的選擇比一般，為了避免擊掉下一層的氧化物材料，所以選用轟擊離子能量更低的化學(xué)氣體。88. Give three requirements for polysilicon gate etch.列出并闡述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟答：2. 非常好的均勻性和可重復(fù)性。3. 高度的各向異性第十七章8 列舉用于硅片制造的5種常用摻雜。答：離子注入，熱擴(kuò)散，硅漿料，絲網(wǎng)印刷，激光90、 離子注入通常在什么工藝之后？答：光刻。9列舉離子注人優(yōu)于擴(kuò)散的7點(diǎn)。答：。2. 很好的雜質(zhì)均勻性。3. 對雜質(zhì)穿透深度有很好的控制。4. 產(chǎn)生單一離子束。5. 低溫工藝。6. 注入的離子能穿過薄膜。7. 無固溶度極限。92，離子注入的主要缺點(diǎn)是什么？如何克服？答：高能雜質(zhì)離子轟擊硅原子將對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損傷。（高溫退火進(jìn)行修復(fù)）。注入設(shè)備的復(fù)雜性。（被注入機(jī)對劑量和深度的控制能力及整體工藝的靈活性彌補(bǔ)）。9列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。答：2. 引出電極和離子分析器3. 加速管4. 掃描系統(tǒng)5. 工藝室。列舉并簡要解釋控制溝道效應(yīng)的三種機(jī)制。答：當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時(shí)，就發(fā)生了溝道效應(yīng)。三種機(jī)制：1. 傾斜硅片：它把硅片相對于離子束運(yùn)動(dòng)方向傾斜一個(gè)角度，保證了雜質(zhì)離子進(jìn)入硅中很短距離內(nèi)就會(huì)發(fā)生碰撞。2. 掩蔽氧化層：注入前在硅片表面生長或淀積一薄層氧化層，并在注入之后去除。注入離子通過這樣一層非晶氧化層后進(jìn)入硅片，它們的方向?qū)⑹请S機(jī)的，因此可以減小溝道效應(yīng)。3. 預(yù)非晶化：用電不活潑粒子，使單晶硅預(yù)非晶化，在注入前進(jìn)行，用以損壞硅表面一薄層的單晶結(jié)構(gòu)。隨后的離子將注入非晶結(jié)構(gòu)的硅，產(chǎn)生很小的溝道效應(yīng)。第十二章9 列出并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。答：。2. 減小了功耗。3. 更高的集成密度。4. 良好的抗電遷徙性能。 9 什么是阻擋層金肩？阻擋層材料的基本特性是什么？哪種金屬常被用做阻擋層金屬?答：阻擋金屬層是淀積金屬或金屬塞，用以阻止上下的材料互相混合。特性：，結(jié)果分界面兩邊材料的擴(kuò)散率在燒結(jié)溫度時(shí)很低。 。 。 。 。 。鈦（Ti）、鎢（W）、鉭（Ta）、鉬（Mo）、鈷（Co）、鉑（Pt）、鈦鎢（TiW）、氮化鈦（TiN）。9為濺射做一個(gè)簡短的解釋，并描述它的工作方式？濺射適合于合金淀積嗎？濺射淀積的優(yōu)點(diǎn)是什么？答：濺射是物理氣相淀積形式之一，是一種薄膜淀積技術(shù)。工作方式：在濺射過程中，高能粒子撞擊具有高純度的靶材料固體平板，按物理過程撞 擊出原子。這些被撞擊出的原子穿過真空，最后淀積在硅片上。優(yōu)點(diǎn)：。 。 。 ，能夠在淀積金屬前清除硅片表面沾污和本身的氧化層。9縮寫中文含義：APCVD：常壓化學(xué)氣相淀積 HDPCVD：高密度等離子體化學(xué)氣相淀積LPCVD：低壓化學(xué)氣相淀積 PECVD：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積PVD：物理氣相淀積 BJT：雙極型晶體管CD：關(guān)鍵尺寸 CMOS：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMP：化學(xué)機(jī)械平坦化 MIC：可動(dòng)離子玷污ILD：層間介質(zhì) MBE：分子束外延SOI:絕緣體上硅 DUV：深紫外光MOCVD：金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積 BSG：硼硅玻璃PSG：磷硅玻璃 BPSG：硼磷硅玻璃RTP：快速熱處理器 RTA：快速熱退火IC：集成電路 LOCOS：硅局部氧化隔離法STI:淺溝槽隔離 LI：局部互連VLSI：超大規(guī)模集成電路 CA：化學(xué)放大（膠）FIB：聚焦離子束 ARC：抗反射涂層ASIC：專用集成電路 RIE：反應(yīng)離子刻蝕FIB：聚焦離子束 EUV：極紫外線LDD：輕摻雜漏
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1