微電子工藝基礎(chǔ)污染控制和芯片制造基本工藝-資料下載頁(yè)
2025-01-01 14:28本頁(yè)面
【正文】 微電子工藝基礎(chǔ) 62 硅片烘干 （ 參考教材 ） （ 1） 旋轉(zhuǎn)淋洗烘干機(jī) （ 2） 異丙醇蒸汽烘干法 （ 3） 表面張力烘干法 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝概述 三 、 硅片清洗 62 微電子工藝基礎(chǔ) 63 微電子工藝基礎(chǔ) 64 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝概述 一 、 芯片制造中的污染源 二 、 潔凈室的建設(shè) 三 、 硅片清洗 四 、 芯片制造概述 五 、 工藝良品率 64 微電子工藝基礎(chǔ) 65 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝 四、芯片制造基本工藝概述 晶圓術(shù)語(yǔ) （ *****） 芯片制造的基礎(chǔ)工藝（ ****） （ 1） 增層 （ 2） 光刻 （ 3） 摻雜 （ 4） 熱處理 65 微電子工藝基礎(chǔ) 66 芯片制造的基礎(chǔ)工藝（ ****） （ 1） 增層 實(shí)現(xiàn)方式分 ： 生長(zhǎng)法 淀積法 生長(zhǎng)法： 例如氧化工藝 、 氮化硅工藝 淀積法： 例如 CVD、 蒸發(fā)工藝 、 濺射工藝 增 層 的 制 程生 成 法淀 積 法氧 化 工 藝氮 化 硅 工 藝化 學(xué) 氣 相 淀 積 工 藝 C V D蒸 發(fā) 工 藝濺 射層別 熱氧化工藝 CVD 蒸發(fā)工藝 濺射工藝 絕緣層 二氧化硅 二氧化硅 氮化硅 二氧化硅 二氧化硅 半導(dǎo)體層 外延單晶硅 多晶硅 導(dǎo)體層 鋁 鋁 /硅合金 鋁銅合金 鎳鉻鐵合金 黃金 鎢 鈦 鉬 鋁 /硅合金 鋁銅合金 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝 四、芯片制造基本工藝概述 66 微電子工藝基礎(chǔ) 67 芯片制造的基礎(chǔ)工藝（ ****） （ 2） 光刻 光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝 （ 如圖 ） 。 光刻是所有四個(gè)基本工藝中最關(guān)鍵的 。 正膠法： 開孔 負(fù)膠法： 留島 有 薄 膜 的 晶 圓光 刻 工 藝正 膠 工 藝 開 孔負(fù) 膠 工 藝 留 島光 刻 加 工 過(guò) 程第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝 四、芯片制造基本工藝概述 67 微電子工藝基礎(chǔ) 68 芯片制造的基礎(chǔ)工藝（ ****） （ 3） 摻雜 它有兩種工藝方法： 熱擴(kuò)散 （ thermal diffusion） 和離子注入 （ implantation） 目的： 摻雜工藝的目的是在晶圓表層內(nèi)建立兜形區(qū)（ 圖 ） 。 摻雜是將特定量的雜質(zhì)通過(guò)薄膜開口引入晶圓表層的工藝制程 定義： 熱 擴(kuò) 散離 子 注 入離 子 源第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝 四、芯片制造基本工藝概述 68 微電子工藝基礎(chǔ) 69 芯片制造的基礎(chǔ)工藝（ ****） （ 3） 摻雜 熱擴(kuò)散： 熱擴(kuò)散是在 1000攝氏度左右的高溫下發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)態(tài)下的摻雜原子通過(guò)擴(kuò)散化學(xué)反應(yīng)遷移到暴露的晶圓表面 ， 形成一層薄膜 。 在芯片應(yīng)用中 ， 熱擴(kuò)散也被稱為固態(tài)擴(kuò)散 ， 因?yàn)榫A材料是固態(tài)的 。 熱擴(kuò)散是一個(gè)化學(xué)反應(yīng)過(guò)程 。 離子注入 ： 離子注入是一個(gè)物理反應(yīng)過(guò)程 。 晶圓被放在離子注入機(jī)的一端 ， 摻雜離子源 （ 通常為氣態(tài) ） 在另一端 。在離子源一端 ， 摻雜體原子被離化 （ 帶有一定的電荷 ） ， 被電場(chǎng)加到超高速 ， 穿過(guò)晶圓表層 。 原子的動(dòng)量將摻雜原子注入晶圓表層 。 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝概述 四、芯片制造基本工藝概述 69 微電子工藝基礎(chǔ) 70 芯片制造的基礎(chǔ)工藝（ ****） （ 4） 熱處理 特點(diǎn)： 作用： a. 在離子注入制程后會(huì)有一步重要的熱處理 。 熱處理是簡(jiǎn)單地將晶圓加熱和冷卻來(lái)達(dá)到特定結(jié)果的制程 。 定義： 在熱處理的過(guò)程中 ， 在晶圓上沒(méi)有增加或減去任何物質(zhì) ， 另外會(huì)有一些污染物和水汽從晶圓上蒸發(fā) 。 掉 ， 從而得到精確的圖形 。 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝概述 四、芯片制造基本工藝概述 70 微電子工藝基礎(chǔ) 71 晶圓電測(cè) 方法： 晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單 。 晶圓電測(cè)（ wafer sort）也就是芯片測(cè)試（ die sort）。 目的： 在測(cè)試時(shí) ， 晶圓被固定在真空吸力的卡盤上 ，并與很薄的探針電測(cè)器對(duì)準(zhǔn) ， 同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸 （ 圖 ） 。 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝概述 四、芯片制造基本工藝概述 71 微電子工藝基礎(chǔ) 72 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝概述 一 、 芯片制造中的污染源 二 、 潔凈室的建設(shè) 三 、 硅片清洗 四 、 芯片制造概述 五 、 工藝良品率 72 微電子工藝基礎(chǔ) 73 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝概述 五、工藝良品率 三個(gè)工藝良品率 封裝良品率： 晶圓產(chǎn)出數(shù) /晶圓投入數(shù) 晶圓生產(chǎn)部門良品率： 終測(cè)合格的封裝芯片數(shù) /投入封裝生產(chǎn)線的合格芯片數(shù) 晶圓電測(cè)良品率： 合格芯片數(shù) /晶圓上的芯片總數(shù) 73 微電子工藝基礎(chǔ) 74 第 3章 污染控制、芯片制造基本工藝概述 六、作業(yè)題 （ 1） 指明進(jìn)行 VLSI和 ULSI生產(chǎn)所需的潔凈室等級(jí) （ 2） 去離子水的規(guī)格 ， 如何得到工藝用水 （ 3） 說(shuō)明 RCA清洗硅片的方法 ， SC1和 SC2的配方特點(diǎn) （ 4） 列出硅片表面的 4種污染物及其相應(yīng)的清洗措施 （ 5） 列出三種使用去離子水沖洗硅片的方法 ， 說(shuō)明超聲波清洗的作用和機(jī)理 （ 6） 列出最基本的 4種工藝方法 （ 7） 增層工藝主要包括哪些方式 74 ? 75 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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