【正文】 工藝發(fā)展的驅動力。（ Y ）刻蝕61． 各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進行刻蝕。（ ）62． 干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下刻蝕器件，例如大于3微米。（Y ）63． 不正確的刻蝕將導致硅片報廢，給硅片制造公司帶來損失。（ Y ）64． 對于大馬士革工藝，重點是在于金屬的刻蝕而不是介質的刻蝕。（ ）65． 刻蝕速率通常正比于刻蝕劑的濃度。（ Y ）66． 刻蝕的高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。（ Y ）67． 在半導體生產中，濕法腐蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。（ ）68． 在刻蝕中用到大量的化學氣體，通常用氟刻蝕二氧化硅。（ Y ）69． 與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設備簡單。（ Y ）70． 。（Y ）擴散71． 在晶片制造中，有兩種方法可以向硅片中引入雜質元素，即熱擴散和離子注入。（ Y ）72． 晶體管的源漏區(qū)的摻雜采用自對準技術，一次摻雜成功。（Y ）73． 在硅中固態(tài)雜質的熱擴散需要三個步驟：預淀積、推進和激活。（ Y ）74． 純凈的半導體是一種有用的半導體。（ ）75． CD越小，源漏結的摻雜區(qū)越深。（ ）76． 摻雜的雜質和沾污的雜質是一樣的效果。（ ）77． 擴散率越大，雜質在硅片中的移動速度就越大。（ Y ）78． 擴散運動是各向同性的。（ ）79． 硅中的雜質只有一部分被真正激活，并提供用于導電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數(shù)雜質仍然處在間隙位置，沒有被電學激活。（Y ）80． 熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散，因為它會導致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。（ Y ）離子注入81． 離子注入會將原子撞擊出晶格結構而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質也能得到一定比例的電激活。（Y ? ）82． 離子注入中靜電掃描的主要缺點是離子束不能垂直轟擊硅片，會導致光刻材料的陰影效應，阻礙離子束的注入。（Y ）83． P是VA族元素，其摻雜形成的半導體是P型半導體。（ ）84． 硼是VA族元素，其摻雜形成的半導體是P型半導體。（ Y ）85． 離子注入是唯一能夠精確控制摻雜的手段。（ ? ）86． 離子注入是一個物理過程，不發(fā)生化學反應。（ Y ）87． 離子注入物質必須以帶電粒子束或離子束的形式存在。（ Y ）88． 離子注入的缺點之一是注入設備的復雜性。（ Y ）89． 離子注入能夠重復控制雜質的濃度和深度，因而在幾乎所有應用中都優(yōu)于擴散。（ ? ）90． 離子注入中高能量意味著注入硅片更深處，低能量則用于超淺結注入。（ Y ）工藝集成91． CMOS反相器電路的功效產生于輸入信號為零的轉換器。（Y ）92． CD是指硅片上的最小特征尺寸。（Y ）93． 集成電路制造就是在硅片上執(zhí)行一系列復雜的化學或者物理操作。簡而言之，這些操作可以分為四大基本類：薄膜制作、刻印、刻蝕和摻雜。（ Y ）94． 人員持續(xù)不斷地進出凈化間，是凈化間沾污的最大來源。（Y ）95． 硅片制造廠可分為六個獨立的區(qū)域，各個區(qū)域的照明都采用同一種光源以達到標準化。（ ）96． 世界上第一塊集成電路是用硅半導體材料作為襯底制造的。（ ）97． 集成電路是由Kilby和Noyce兩人于1959年分別發(fā)明，并共享集成電路的專利。（Y ）98． 側墻用來環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。（ Y ）99． 多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關鍵的CD線寬。（Y ）100． 大馬士革工藝的名字來源于幾千年前敘利亞大馬士革的一位藝術家發(fā)明的一種技術。（Y ）三、簡答題晶圓制備1． 常用的半導體材料為何選擇硅？2． 寫出用硅石制備半導體級硅的過程。3． 晶圓的英文是什么？簡述晶圓制備的九個工藝步驟。4． 寫出右圖所示晶圓的晶向和導電類型。5． 硅錠直徑從20世紀50年代初期的不到25mm增加到現(xiàn)在的300mm甚至更大，其原因是什么？氧化6． 以二氧化硅為例來解釋選擇擴散的概念。7． 描述生長氧化層和淀積氧化層以及兩者的區(qū)別？8． 列舉集成電路工藝里氧化物的六種應用。9． 列出干氧氧化和濕氧氧化的化學反應式及其各自的特點。10． 立式爐出現(xiàn)的主要原因，其主要控制系統(tǒng)分為哪五個部分？淀積11． 名詞解釋CVD12． 列舉淀積的6種主要技術。13． 化學氣相淀積的英文簡稱？其過程有哪5種基本的反應？并簡要描述5種反應。14． 在硅片加工中可以接受的膜必須具備需要的膜特性，試列出其中6種特性。15． 在MOS器件中，為什么用摻雜的多晶硅作為柵電極？金屬化16． 闡述蒸發(fā)法淀積合金薄膜的過程，并說明這種方法的局限性？17． 簡述真空蒸發(fā)法制備薄膜的過程。18． 解釋鋁/硅接觸中的尖楔現(xiàn)象，并寫出改進方法？19． 解釋鋁已被選擇作為微芯片互連金屬的原因。20． 解釋下列名詞：多層金屬化、互連和接觸。平坦化21． 名詞解釋：CMP。22． 什么是終點檢測？現(xiàn)在最常用的原位終點檢測有哪些？23． 名詞解釋：反刻。24． 名詞解釋：玻璃回流25． 名詞解釋：旋涂膜層。光刻26． 半導體制造行業(yè)的光刻設備分為幾代？寫出它們的名稱。27． 試寫出光刻工藝的基本步驟。28． 已知曝光的波長l為365nm，則該光學系統(tǒng)的焦深DOF為多少？29． 分別描述投影掩膜版和掩膜版。30． 什么是數(shù)值孔徑？陳述它的公式，包括近似公式?？涛g31． 什么是干法刻蝕？什么是濕法腐蝕？兩者所形成的刻蝕剖面有何區(qū)別？32． 什么是等離子體去膠？去膠機的目的是什么33． 解釋有圖形和無圖形刻蝕的區(qū)別。34． 什么是干法刻蝕？干法刻蝕相比于濕法腐蝕的優(yōu)點有哪些？35． 干法等離子體反應器有哪些主要類型？擴散36． 簡述擴散工藝的概念。37． 什么是摻雜工藝，在晶片制造中，主要有幾種方法進行摻雜？38． 熱擴散工藝采用何種設備，其對先進電路的生成主要有幾個限制？39． 簡述擴散工藝第一步預淀積的詳細步驟。40． 擴散工藝第二步推進的主要目的是什么？離子注入41． 解釋離子注入時的能量淀積過程。42． 離子注入工藝采用何種設備？列舉離子注入設備的5個主要子系統(tǒng)。43． 簡述離子注入機中的靜電掃描系統(tǒng)。44． 簡述離子注入機中質量分析器磁鐵的作用。工藝集成45． 集成電路的英文是？寫出集成電路的五個制造步驟。46． 什么是芯片的關鍵尺寸？這種尺寸為何重要？47． 什么是接觸形成工藝？其主要步驟有哪些？48． 什么是集成電路工藝中的阱，簡述在一個p型硅片上形成n阱的主要步驟。四、綜合題：晶圓制備1． 畫出CZ拉單晶爐的示意圖，并簡述其工藝過程。2． 畫出區(qū)熔法生長單晶硅錠的示意圖，并簡述其工藝過程。氧化3． 對下圖所示的工藝進行描述，并寫出工藝的主要步驟。4． 識別下圖所示工藝，寫出每個步驟名稱并進行描述，對其特有現(xiàn)象進行描述。淀積5． 詳細描述CVD過程中的氣缺現(xiàn)象，并寫出減輕氣缺現(xiàn)象的解決方案。6． 對CMOS工藝中的自對準技術進行描述，并寫出主要工藝步驟。金屬化7． 按照下圖列出雙大馬士革金屬化過程的10個步驟，并對每個步驟作簡短描述。8． 比較下面兩圖中區(qū)別，闡述其中的工藝現(xiàn)象。平坦化9． 按照下圖解釋平坦化術語。10． 按照下圖，解釋化學機械平坦化工藝。光刻11． 試對CMOS工藝中反相器的8塊投影掩膜版的作用分別作出解釋。12． 識別下圖所示工藝，寫出每個步驟名稱并進行描述?？涛g13． 等離子體干法刻蝕系統(tǒng)的主要部件有哪性？試舉出三種主要類型，并對圓筒式等離子體刻蝕機作出介紹。14． 在半導體生產中，干法刻蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。試解釋其刻蝕機理。擴散15． 闡述硅片中固態(tài)雜質的擴散原理和步驟，并分別進行描述。16． 在硅片制備過程中，完成擴散過程需要幾個步驟，并進行描述。離子注入17． 對右圖中的設備進行介紹，并對其所屬的工藝進行描述。18． 離子注入工藝的主要優(yōu)缺點。工藝集成19． 試畫出CMOS反相器的剖面圖，并列出在硅片上制作一個CMOS反相器所需的基本步驟。20． 依照下圖，對硅片制造廠的六個分區(qū)分別做一個簡短的描述，要求寫出分區(qū)的主要功能、主要設備以及顯著特點。19