微電子工藝實驗ppt課件-資料下載頁
2025-04-29 01:06本頁面
【正文】 2 4 . 5 3 2 42 l n 2SjjI V VVRx x I I? ? ??? ? ? ? ? ?如果探針排成一條直線，而且針尖距離相等，則有： 四探針法測量薄層電阻 方形四探針 (范德堡法 ) 其中 ， F為形狀修正因子 ，對于正方形 ， F＝ 1。 23 3412 4134 41 12 2314l n 2VVVVRI I I IR F R???? ? ? ??????在硅片上預(yù)淀積雜質(zhì)磷 ， 雜質(zhì)劑量為 1011cm2。 然后在硅片上覆蓋一層 Si3N4， 以防止任何擴(kuò)散 ， 然后在950 ℃ 下對圓片進(jìn)行 600分鐘的再分布 。 只考慮輕摻雜 ， 忽略所有重?fù)诫s效應(yīng) 。 a. 退火后表面磷的濃度是多少 ？ b. 如果硅片是 P型 ， 本底硼 （ B） 濃度為1014 cm3， 請問結(jié)深是多少 ？ 蒸 發(fā) ? 內(nèi)容： 真空蒸發(fā)制備圖形化金屬鋁薄膜工藝 。 ? 要求： 了解蒸發(fā)鍍膜的原理 ， 掌握蒸發(fā)鍍膜的技術(shù) 、 鋁層薄膜質(zhì)量與工藝參數(shù)的關(guān)系 。 蒸發(fā)臺示意圖 蒸發(fā)必須在一定真空度下進(jìn)行 ，這是因為真空度太低 ， 蒸氣分子會與空氣分子碰撞而損失能量 ， 改變運(yùn)動方向 ， 從而到達(dá)不了晶片表面 。 其次 ， 低真空下 ， 蒸氣分子會與空氣發(fā)生氧化等反應(yīng) 。 在真空下 ， 蒸氣分子的平均自由程很大 ， 基本上可以沿直線方向運(yùn)動到晶片表面堆積 。 蒸發(fā)工藝步驟 1. 打開電源； 2. 升起真空罩 ， 裝片 （ Loading） ， 將硅片和鋁絲裝入真空腔室； 3. 粗抽至 102 Torr之下 （ 使用機(jī)械泵 ） ； 4. 切換成擴(kuò)散泵進(jìn)行細(xì)抽 ， 至 5 106 Torr以下 ， 即可進(jìn)行蒸發(fā)； 5. 逐步增加電流 ， 使 Al絲熔化 ， 打開擋板 ， 進(jìn)行蒸發(fā)； 6. 向真空罩充氣 ， 打開真空罩 ， 取出硅片 ， 清潔真空腔； 7. 抽真空后 ， 等待擴(kuò)散泵冷卻之后關(guān)機(jī) 。 剝離工藝 (Lift Off) a) 涂光刻膠； b) 光刻出圖形； c) 蒸發(fā)鋁 d) 去膠，留下鋁圖形； PMOS制備 ? 內(nèi)容： 采用氧化 、 蒸發(fā) 、 擴(kuò)散 、 光刻等工藝制備 PMOS。 ? 要求： 掌握 PMOS制備工藝流程 。 溝道長度 8微米，長 64微米，柵氧化層 100nm PMOS工藝流程 氧化 光刻漏、源 漏、源預(yù)淀積 漏、源推進(jìn) 柵氧化 源、漏光刻 剝離法蒸發(fā)漏、源、柵鋁電極
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