[信息與通信]微電子工藝課件chapter11zhang-資料下載頁
2025-03-22 06:58本頁面
【正文】 L ow m o i s t ur e upt a ke L ow pa r t i c ul a t e Co m pa t i b l e w i t h b a rr i e r m e t a l s (T a , T a N , T i N , e t c . ) S t o r a ge l i f e 第十一章 淀積 — 介電常數(shù) 66 局部氧化（ LOCOS） ： 采用圖形化的 Si3N4島來定義氧生長的區(qū)域，但是對于深亞微米器件，隔離結(jié)構(gòu)尺寸過大（氧的側(cè)向生長 — 鳥嘴）。 淺槽隔離（ STI）： 更有效的器件隔離； 表面積??； 超強(qiáng)的閂鎖保護(hù)能力； 對溝道沒有侵蝕； 與 CMP工藝兼容。 第十一章 淀積 — 器件隔離 67 第十一章 淀積 — 器件隔離 68 旋涂玻璃（ SOG） ：有機(jī)物基于硅氧烷，無機(jī)物基于硅酸鹽。 第十一章 淀積 — 旋涂絕緣介質(zhì) 69 第十一章 淀積 — 旋涂絕緣介質(zhì) 低 k絕緣介質(zhì)薄膜正作為旋涂絕緣介質(zhì)來研究。 70 HSQ Lowk 絕緣介質(zhì)工藝參數(shù) 第十一章 淀積 — 外延 71 Epitaxy Growth Model Epitaxy Growth Methods ? 氣相外延 VaporPhase Epitaxy (VPE) ? 金屬有機(jī)外延 Metalanic CVD (MOCVD) ? 分子束外延 ?（ MolecularBeam Epitaxy (MBE)） ? 高真空條件下，嚴(yán)格控制外延層厚度和摻雜的均勻性。 第十一章 淀積 — 外延 72 外延就是 在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層 。 新淀積的這層稱為外延層 。 外延為器件設(shè)計(jì)者在優(yōu)化器件性能方面提供了很大的靈活性 。 IC制造中最普通的外延反應(yīng)是高溫 CVD系統(tǒng) 。 如果外延層和襯底相同 ， 這樣的生長的膜稱為 同質(zhì)外延 ；與襯底不一致稱為 異質(zhì)外延 （ 一般比較少 ） 。 外延硅通常采用 CVD淀積系統(tǒng) 。 外延生長前 ， 必須清除硅片的自然氧化層 、 殘余的有機(jī)雜質(zhì)和金屬雜質(zhì)獲得完美的表面 。 IC制備中一般采用以下三種外延方法： 氣相外延 （ VPE） 、 金屬有機(jī) CVD（ MOCVD） 、 分子束外延（ MBE） 第十一章 淀積 — 外延 73 （ VPE） 硅片制造中最常用的硅外延方法是氣相外延 （ VPE） ， 在溫度為 8001150℃ 的硅片表面通過含有所需化學(xué)物質(zhì)的氣體化合物 ，就可以實(shí)現(xiàn)氣相外延 。 CVD（ MOCVD） 可以指淀積金屬以及氧化物的多晶或無定型膜 。 MOCVD是 VPE的一種 ， 一般被用來淀積化合物半導(dǎo)體外延層 。 主要用于激光器 、法光二極管以及光電集成電路 。 也可以用來為未來的 IC制造淀積有機(jī)低 K絕緣層 。 分子束外延 （ MBE） 溫度為 400～ 800℃ ， 背景真空為 1010～ 1011乇 ， 可以嚴(yán)格控制外延層厚度和摻雜的均勻性 ， 生長速率比較慢 。 第十一章 淀積 — 外延 74 外延材料優(yōu)點(diǎn) ，電阻率一致性好。 ，提高集成度 ，能夠提高外延層的少子壽命。 ，提高電路速度 。 第十一章 淀積 — 外延 外延用氣體源： SiCl SiH2Cl SiHCl3 淀積溫度： 1050~1250 ℃ 固相、液相、氣相以及分子束外延 氣相外延（ VPE） 金屬有機(jī)外延（ MOCVD） 分子束外延（ MBE） 75 第十一章 淀積 — 外延 在單晶襯底上淀積一薄單晶層。 自摻雜 、 外擴(kuò)散 76 第十一章 淀積 — 外延 77 氣相外延示意圖 第十一章 淀積 — 外延 78 第十一章 淀積 — CVD質(zhì)量測量 79 第十一章 淀積 — CVD質(zhì)量測量 80 第十一章 淀積 — CVD檢查及故障排除 81 第十一章 作業(yè) ? P272 1， 2， 3， 5， 12， 14， 21， 23， 24，32， 34， 35， 36， 37 82
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1