微電子工藝課程總結(jié)-資料下載頁
2025-01-18 18:23本頁面
【正文】 件薄膜的鈍化、保護膜；③IC隔離介質(zhì)和絕緣介質(zhì)；④ MOS電容介質(zhì)；⑤ MOSFET的絕緣柵介質(zhì)。 一、 SiO2的結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1. 結(jié)構(gòu) ① 結(jié)晶形結(jié)構(gòu)（了解） ② 無定形（非晶形）結(jié)構(gòu)：（掌握） 2 .性質(zhì)（了解） 二、 SiO2膜的制備（熟悉） ? 干氧、水汽、濕氧三類 三、熱氧化生長動力學(xué)原理 （掌握） A2/4Bt+t*， 則 ZOX=B/A(t+t*)， 表面反應(yīng)控制， A2/4Bt+t*， 則 ，擴散控制 2. 影響因素 (了解） ? 表 3－ 7 本征的 A、 B、 B/A和 t*值 ?????????????1B4/Att12AZ2OX BAZZtOX2OX ?????? ?????? ???? ttBZ OX四、實現(xiàn) SiO2的擴散掩蔽作用的條件（了解 ) ? 最小掩膜厚度 ZOX,min的確定： 雙極器件， ZOX,min＝ MOS器件， ZOX,min＝ tDOXtDOX167。 薄膜的化學(xué)氣相淀積 （ CVD) （熟悉） （了解） （了解） CVD方法（了解） 第四章 光刻技術(shù) 熟悉光刻的①定義②目的③工藝流程④光刻三要素。 一、光刻膠 （了解） （熟悉） 熟悉正、負(fù)膠的功能與優(yōu)缺點 （了解） 二、光刻版（了解） 三、光刻機（曝光方式） （曝光方式）的特點 — Stepper的特點 ： 高壓汞燈： g line及 i line準(zhǔn)分子激光： KrFλ = 248nm， ArFλ = 193nm， F2 λ = 157nm， 四、光刻蝕工藝流程（熟悉、掌握） 第五章 刻蝕技術(shù)（圖形轉(zhuǎn)移） ? VLSI對圖形轉(zhuǎn)移的要求 ? ? Si、 光刻膠的刻蝕液（劑） ? 第六章 金屬化與多層互連技術(shù) 5. 熟悉 Al/Si接觸的現(xiàn)象及改善方法 、原理及方法
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