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2025-05-15 11:13本頁面
【正文】 尾氣系統(tǒng) 溫控系統(tǒng) 第十章 氧化 — 立式爐 工藝中常用氣體 第十章 氧化 — 快速升溫立式爐 第十章 氧化 — 快速熱處理 特點(diǎn)： 在非常短（最短幾分之一秒）的時(shí)間之內(nèi)，將單個(gè)硅片加熱到 400~1300℃ 范圍內(nèi) 。 主要優(yōu)點(diǎn)： 減少熱預(yù)算 硅中雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)最小 減少沾污（冷壁加熱） 更清潔的氣氛（小的腔體） 更短的加工時(shí)間 第十章 氧化 — 快速熱處理 第十章 氧化 — 快速熱處理 第十章 氧化 — 快速熱處理 第十章 氧化 — 快速熱處理 RTP主要應(yīng)用： 注入退火，以消除缺陷并激活和擴(kuò)散雜質(zhì) 淀積膜的致密化 硼磷硅玻璃回流（ 為什么可以？ ） 阻擋層（如 TiN）退火 硅化物（如 TiSi2）形成 金屬接觸合金化 第十章 氧化 — 氧化工藝 目標(biāo)： 無缺陷、厚度均勻的 SiO2薄膜。不同的氧化層采用不同的生長辦法。 氧化前的清洗 （顆粒和可動(dòng)離子沾污）： 爐體及相關(guān)設(shè)備的清洗及維護(hù)（石英器皿等） 工藝中化學(xué)品的純度 氧源的純度 硅片清洗過程及操作過程 第十章 氧化 — 氧化工藝 第十章 氧化 — 氧化工藝 第十章 氧化 — 質(zhì)量測量 第十章 作業(yè) ? P235 復(fù)習(xí)題 1 1 1 1 22 4 50
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