微電子學(xué)概論ch4集成電路制造工藝cmos工藝-資料下載頁(yè)
2025-05-15 11:13本頁(yè)面
【正文】 P N+ N+ Al Al ? 連線 ? 接觸孔 ? 金屬連線 下一頁(yè) 上一頁(yè) N襯底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ ?形成接觸孔（為了實(shí)現(xiàn)層間互連） ? 淀積 氧化層（層間絕緣） ?退火和致密 ?反應(yīng)離子刻蝕氧化層，形成接觸孔 下一頁(yè) 上一頁(yè) N襯底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 下一頁(yè) 上一頁(yè) N襯底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ ?金屬連線 ?形成接觸孔后，淀積金屬鎢 (W)，形成鎢塞 ?淀積金屬層，形成第一層金屬，如 AlSi、 AlSiCu等 ?光刻 金屬版，定義出連線圖形 ?刻蝕金屬連線層，形成互連圖形 下一頁(yè) 上一頁(yè) ? 形成穿通接觸孔 ? 化學(xué)氣相淀積磷硅玻璃 ? 通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化 ? 光刻穿通接觸孔版 ? 反應(yīng)離子刻蝕磷硅玻璃，形成穿通接觸孔 ? 形成第二層金屬 ? 淀積金屬層，如 AlSi、 AlSiCu合金等 ? 光刻第二層金屬版，定義出連線圖形 ? 反應(yīng)離子刻蝕，形成第二層金屬互連圖形 下一頁(yè) 上一頁(yè) NMOS結(jié)構(gòu) PMOS結(jié)構(gòu) N型 (100)襯底的原始硅片 P阱 (well) 隔離 連線 鈍化、測(cè)試、封裝 下一頁(yè) 上一頁(yè) ? 形成鈍化層 ? 在低溫條件下 (小于 300℃) 淀積氮化硅 (PECVD) ? 光刻 鈍化版 ? 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形，刻出壓焊點(diǎn) ? 測(cè)試、封裝，完成集成電路的制造工藝 壓焊點(diǎn) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 試簡(jiǎn)述 N阱 CMOS晶體管的工藝流程。 畫出 CMOS反相器的截面圖 作 業(yè)
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