[精選]集成電路制造工藝及設(shè)備-資料下載頁(yè)

【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下，硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng)，生成SiO2。硅的熱氧化有：干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層，則（3-11）微分方程的解為：（tOX：是總的氧化層厚度）??????tBAttO

2025-01-06 18:43

[精選]硅集成電路制造工藝緒論-資料下載頁(yè)

【摘要】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點(diǎn)與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年，科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開(kāi)對(duì)半導(dǎo)體的研究。?1874年，電報(bào)機(jī)、電話和無(wú)線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6

2025-01-06 13:18

[精選]集成電路制造工藝流程-資料下載頁(yè)

【摘要】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理1第一章集成電路制造工藝流程集成電路（IntegratedCircuit）制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段，也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2?隨著集成電路發(fā)展的過(guò)程，其發(fā)展的總趨勢(shì)是革新工藝、提高集成度和速度。?設(shè)計(jì)工作由有生產(chǎn)線集成

2025-01-06 18:34

微電子學(xué)技術(shù)調(diào)研報(bào)告-資料下載頁(yè)

【摘要】微電子前沿技術(shù)報(bào)告09電信1班張磊微電子學(xué)技術(shù)調(diào)研報(bào)告摘要：介紹微電子學(xué)的發(fā)展歷史、產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)和必須突破的關(guān)鍵技術(shù)，提出了利用納米技術(shù)實(shí)現(xiàn)單電子晶體管的設(shè)想以延續(xù)摩爾定律。引言：微電子技術(shù)是隨著集成電路，尤其是超大規(guī)模集

2025-08-04 00:19

[精選]第03章-cmos集成電路工藝流程-資料下載頁(yè)

【摘要】第三章CMOS集成電路工藝流程白雪飛中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系?多晶硅柵CMOS工藝流程?可用器件?工藝擴(kuò)展提綱2多晶硅柵CMOS工藝流程?初始材料–重?fù)诫sP型(100)襯底硅，P+–減小襯底電阻，提高抗CMOS閂鎖效應(yīng)能力?外延生長(zhǎng)–在襯底

2025-02-07 10:42

微電子學(xué)概論第七章系統(tǒng)芯片soc設(shè)計(jì)-資料下載頁(yè)

【摘要】下一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)上一頁(yè)世界集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀?世界集成電路加工工藝水平為，正在向、12英寸加工工藝過(guò)渡?系統(tǒng)芯片（System-on-Chip）正在成為集成電路產(chǎn)品的主流?超大規(guī)模集成電路IP復(fù)用（IPReuse）和硬軟件協(xié)同設(shè)計(jì)水平日益提高?集成電路設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)、封裝業(yè)三業(yè)并舉，相對(duì)

2025-01-07 12:59

[精選]集成電路制造工藝之光刻與刻蝕工藝-資料下載頁(yè)

【摘要】第八章光刻與刻蝕工藝光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經(jīng)過(guò)光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。在集成電路制造中，利用光刻膠圖形作為保護(hù)膜，對(duì)選定區(qū)域進(jìn)行刻蝕，或進(jìn)行離子注入，形成器件和電路結(jié)構(gòu)。隨著集成電路的集成度不斷提高，器件的特征尺寸不斷減小，期望進(jìn)一步縮小光刻圖形的尺寸。

2025-01-08 14:36

數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)入門(mén)--從hdl到版圖于敦山北大微電子學(xué)系-資料下載頁(yè)

【摘要】數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)入門(mén)從HDL到版圖于敦山北大微電子學(xué)系課程內(nèi)容(一)?介紹VerilogHDL,內(nèi)容包括：–Verilog應(yīng)用–Verilog語(yǔ)言的構(gòu)成元素–結(jié)構(gòu)級(jí)描述及仿真–行為級(jí)描述及仿真–延時(shí)的特點(diǎn)及說(shuō)

2025-07-19 17:39

集成電路工藝原理(1)-資料下載頁(yè)

【摘要】集成電路工藝原理復(fù)旦大學(xué)微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導(dǎo)體集成電路工藝原理2第四章擴(kuò)散(Diffusion)§引言§擴(kuò)散機(jī)理§擴(kuò)散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§

2025-01-18 20:36

微電子學(xué)和固體電子學(xué)--培養(yǎng)方案課程信息-資料下載頁(yè)

【摘要】微電子學(xué)與固體電子學(xué)培養(yǎng)方案課程信息課程性質(zhì)課程代碼課程開(kāi)課院系學(xué)分總學(xué)時(shí)開(kāi)課學(xué)期授課方式開(kāi)課方式多選組學(xué)位基礎(chǔ)課ELEC6005VLSI集成技術(shù)原理信息科學(xué)與工程學(xué)院472第一學(xué)期面授講課考試ELEC6007離散數(shù)學(xué)與最優(yōu)決策信息科學(xué)與工程學(xué)院472第一學(xué)期面授講課考試

2025-05-10 11:59

集成電路工藝原理(1)-資料下載頁(yè)

【摘要】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過(guò)程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜，通過(guò)光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過(guò)程。金屬線被夾在兩個(gè)絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性

2025-04-30 18:17

微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)詞匯a-資料下載頁(yè)

【摘要】EnglishwordsofMicroelectronics　　微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)詞匯　　A　　beabsorbin集中精力做某事　　accesscontrollist訪問(wèn)控制表　　activeattack主動(dòng)攻擊　　activeXcontrolActiveX控件　　advancedencryptionstandardAES,高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)　　algori

2025-08-04 00:14

[精選]第1章集成電路制造工藝-資料下載頁(yè)

【摘要】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理第一章集成電路制造工藝集成電路（IntegratedCircuit）制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段，也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。2/1/2023韓良1國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理?隨著集成電路發(fā)展的過(guò)程，其發(fā)展的總趨勢(shì)是革新工

2025-02-15 05:39

[精選]集成電路的基本制造工藝教材-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/1/28pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/1/28P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiA

2025-01-06 18:37

[精選]集成電路制造工藝及常用設(shè)備-資料下載頁(yè)

【摘要】1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下，硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng)，生成SiO2。硅的熱氧化有：干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層，則（3-11）微分方程的解為：（tOX：是總的氧化層厚度）??????tBAttOXOX2

2025-01-06 18:43

微電子學(xué)概論ch4集成電路制造工藝cmos工藝-文庫(kù)吧

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微電子學(xué)概論ch4集成電路制造工藝cmos工藝(已修改)

微電子學(xué)概論ch4集成電路制造工藝cmos工藝(編輯修改稿)

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