【摘要】2022/4/141《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/4/142目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/4/143主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的
2025-04-13 22:59
【摘要】第四章第四章集成電路設(shè)計(jì)第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類(lèi):無(wú)源元件電阻、電容、電感、互連線、傳輸線等有源器件各類(lèi)晶體管集成電路中的無(wú)源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設(shè)計(jì)時(shí)盡可能少用無(wú)源元件,尤其是電容
2025-05-04 18:03
【摘要】集成電路版圖基礎(chǔ)——電容版圖設(shè)計(jì)光電工程學(xué)院王智鵬一、電容概述?電容器,能夠存儲(chǔ)電荷的器件。?單位:法拉(F)兩塊導(dǎo)電材料中間存在絕緣介質(zhì)就會(huì)形成電容?電容充電二、MOS集成電路中的電容器MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式:C=εoε
2025-04-30 18:27
【摘要】卡諾圖化簡(jiǎn)卡諾圖化簡(jiǎn)的核心是找到并且合并相鄰最小項(xiàng)。相鄰三種情況:相接,相對(duì),相重。5變量卡諾圖才會(huì)出現(xiàn)相重的情況。合并過(guò)程中先找大圈合并,圈越大消去的變量越多;使每一最小項(xiàng)至少被合并包含過(guò)一次;每個(gè)合并的圈中,至少要有一個(gè)“1”沒(méi)有被圈過(guò),否則這個(gè)圈就是冗余的。4個(gè)變量卡諾圖的最小項(xiàng)BADC001
2025-07-25 08:49
【摘要】2022/2/4JianFang1集成電路工藝和版圖設(shè)計(jì)概述JianFangICDesignCenter,UESTC2022/2/4JianFang2微電子制造工藝2022/2/4JianFang3IC常用術(shù)語(yǔ)園片:硅片芯片(Chip,Die):6?、8?:硅(園)片
2025-01-07 01:54
【摘要】微電子學(xué)與固體電子學(xué)080903(一級(jí)學(xué)科:電子科學(xué)與技術(shù))本學(xué)科是電子科學(xué)與技術(shù)一級(jí)學(xué)科下屬的二級(jí)學(xué)科,是2003年由國(guó)務(wù)院學(xué)位辦批準(zhǔn)的博士學(xué)位授予點(diǎn)。本學(xué)科在信息科學(xué)的大領(lǐng)域內(nèi),緊跟微電子學(xué)學(xué)科發(fā)展方向,研究微電子與固體電子器件物理、超大規(guī)模集成電路、微波集成技術(shù)以及新型的半導(dǎo)體材料與器件。主要包括亞微米、深亞微米集成電路的設(shè)計(jì)、SOC、微處理器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
2025-06-23 15:13
【摘要】大規(guī)模數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)第三章構(gòu)造體的三種描述方式本章要點(diǎn)?進(jìn)一步認(rèn)識(shí)構(gòu)造體在VHDL中的作用。?構(gòu)造體的三種描述方式:行為描述RTL描述結(jié)構(gòu)描述?深入理解三種描述各自的特點(diǎn)。(Synthesis)邏輯綜合(LogicSynthesis),是ED
2025-09-20 10:16
【摘要】1微電子學(xué)概論微電子學(xué)概論StationaryMagicField磁鐵和電流周?chē)嬖谥艌?chǎng),磁現(xiàn)象的本質(zhì)就是電荷的運(yùn)動(dòng),磁場(chǎng)的基本特性是對(duì)位于其中的運(yùn)動(dòng)電荷有力的作用.主要內(nèi)容1、磁感應(yīng)強(qiáng)度的定義;2、畢奧-薩伐爾定律,安培環(huán)路定理;3、幾種電流產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度的計(jì)算;4、磁場(chǎng)對(duì)運(yùn)動(dòng)電荷、載流導(dǎo)線
2025-05-15 11:13
【摘要】1微電子學(xué)概論張興北京大學(xué)微電子學(xué)研究所2參考書(shū):《微電子學(xué)概論》張興/黃如/劉曉彥北京大學(xué)出版社2022年1月3本課程的目的?什么是微電子學(xué)和微電子學(xué)是研究什么的;?對(duì)微電子學(xué)的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)有一個(gè)比較清晰的認(rèn)識(shí);?初步掌握半導(dǎo)
2025-04-13 22:39
【摘要】2022/2/61《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/2/62目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類(lèi)
2025-01-09 14:11
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門(mén)的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來(lái)表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來(lái)表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門(mén)的功能會(huì)因制造過(guò)程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-09 01:07
【摘要】目錄簡(jiǎn)易數(shù)字集成電路測(cè)試儀的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)畢業(yè)論文目錄摘要 IABSTRACT III1緒論 1課題的研究背景及意義 1國(guó)內(nèi)外數(shù)字電路測(cè)試系統(tǒng)現(xiàn)狀 1本設(shè)計(jì)所要解決的主要問(wèn)題 3研究?jī)?nèi)容和章節(jié)安排 32測(cè)試儀的總體方案 5測(cè)試儀的方案選擇 5總體方案構(gòu)成 6硬件組成 7軟件任務(wù) 73硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì) 9
2025-07-27 07:17
【摘要】電阻和電容的匹配?測(cè)得的器件比率相對(duì)于預(yù)期比率的偏離?比如一對(duì)10kΩ的電阻,制作后,測(cè)得為。兩電阻的比率為,比預(yù)期比率略大1%,這對(duì)電阻表現(xiàn)出1%的失配。失配的原因-隨機(jī)變化失配的原因-隨機(jī)變化?面變化面積失配kms???兩個(gè)電容匹配?匹配電容的
2025-08-09 15:44
【摘要】第四章集成電路制造工藝?集成電路的制造需要非常復(fù)雜的技術(shù),它主要由半導(dǎo)體物理與器件專(zhuān)業(yè)負(fù)責(zé)研究。VLSI設(shè)計(jì)者可以不去深入研究,但是作為從事系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師,有必要了解芯片設(shè)計(jì)中的工藝基礎(chǔ)知識(shí),才能根據(jù)工藝技術(shù)的特點(diǎn)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)方案。對(duì)于電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō),更多關(guān)注的是工藝制造的能力,而不是工藝的具體實(shí)施過(guò)程。?由于系統(tǒng)芯
2025-05-01 22:57
【摘要】北京大學(xué)微電子學(xué)研究所半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)北京大學(xué)微電子學(xué)研究所上一節(jié)課的主要內(nèi)容?半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體、非本征半導(dǎo)體?載流子、電子、空穴、平衡載流子、非平衡載流子、過(guò)剩載流子?能帶、導(dǎo)帶、價(jià)帶、禁帶?摻雜、施主、受主?輸運(yùn)、漂移、擴(kuò)散、產(chǎn)生、復(fù)合北京大學(xué)
2024-12-08 04:22