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正文內(nèi)容

微電子概論教案-資料下載頁

2025-04-16 23:19本頁面
  

【正文】 6) 多晶硅模型二、器件模擬板書要強調(diào)的內(nèi)容重要的公式作業(yè):參考書目:張興 黃如 . 北京大學(xué)出版社,2005常青 陶華敏 . 國防工業(yè)出版社,2006教師姓名:熊志偉 職稱:助教 07 年 11 月 27 日編號:19課時安排:2學(xué)時教學(xué)課型:理論課√ 實驗課□ 習(xí)題課□ 其它□授課章節(jié)(或主題): 第六章 集成電路計算機輔助設(shè)計 167。66~167。67教學(xué)目的、要求:掌握:1. CAD在電子設(shè)計中的基礎(chǔ)應(yīng)用了解:1. 數(shù)字集成和模擬集成的特點2. 最新的發(fā)展方向教學(xué)內(nèi)容(包括基本內(nèi)容、重點*、難點#):167。66 數(shù)字集成電路和系統(tǒng)的CAD一、硬件描述語言HDL二、系統(tǒng)級綜合三、邏輯綜合四、硅編譯器167。67 模擬集成電路的CAD一、模擬集成電路特點二、系統(tǒng)特點三、研究方向1. 變革模擬電路設(shè)計方法2. 設(shè)計實用的模擬電路單元并建立相應(yīng)的數(shù)據(jù)庫3. 開發(fā)適用的CAD軟件教學(xué)方式:講授      教學(xué)媒介:教科書、板書教學(xué)過程設(shè)計:授新課、布置作業(yè)板書設(shè)計:本節(jié)綱要一、硬件描述語言HDL二、系統(tǒng)級綜合三、邏輯綜合四、硅編譯器板書要強調(diào)的內(nèi)容重要的公式示例說明作業(yè):參考書目:張興 黃如 . 北京大學(xué)出版社,2005常青 陶華敏 . 國防工業(yè)出版社,2006教師姓名:熊志偉 職稱:助教 07 年 11 月 30 日編號:20課時安排:2學(xué)時教學(xué)課型:理論課√ 實驗課□ 習(xí)題課□ 其它□授課章節(jié)(或主題): 第六章 集成電路計算機輔助設(shè)計 167。68教學(xué)目的、要求: 掌握:1. 蒙特卡諾分析,成品率分析2. 容差、中心值固定 了解:1. 統(tǒng)計設(shè)計的最新通用程序教學(xué)內(nèi)容(包括基本內(nèi)容、重點*、難點#): 167。68 統(tǒng)計模擬與優(yōu)化設(shè)計一、集成電路的統(tǒng)計模擬1. 工藝統(tǒng)計模擬2. 器件統(tǒng)計模擬3. 蒙特卡諾分析()二、集成電路的統(tǒng)計設(shè)計1. 以成品率為目標(biāo)的統(tǒng)計設(shè)計1)中心值優(yōu)化設(shè)計2)參數(shù)的容差設(shè)計2. 以成本為目標(biāo)的統(tǒng)計設(shè)計教學(xué)方式:講授      教學(xué)媒介:教科書、板書教學(xué)過程設(shè)計:授新課、問題討論、布置作業(yè)板書設(shè)計:本節(jié)綱要一、集成電路的統(tǒng)計模擬1. 工藝統(tǒng)計模擬2. 器件統(tǒng)計模擬3. 蒙特卡諾分析()二、集成電路的統(tǒng)計設(shè)計板書要強調(diào)的內(nèi)容圖示重要的公式作業(yè):參考書目:張興 黃如 . 北京大學(xué)出版社,2005常青 陶華敏 . 國防工業(yè)出版社,2006教師姓名:熊志偉 職稱:助教 07 年 12 月 7 日編號:21課時安排:2學(xué)時教學(xué)課型:理論課√ 實驗課□ 習(xí)題課□ 其它□授課章節(jié)(或主題): 第七章 IC設(shè)計舉例與設(shè)計實踐 167。71教學(xué)目的、要求: 掌握:1. 雙極模擬電路設(shè)計原理與應(yīng)用教學(xué)內(nèi)容(包括基本內(nèi)容、重點*、難點#): 167。71 雙極模擬電路設(shè)計實例(181。A741)一、181。A741直流工作狀態(tài)分析1. 靜態(tài)工作電流計算2. 各級直流電平的計算二、181。A741運算放大器版圖設(shè)計分析1. 版圖設(shè)計確定的基本尺寸2. 劃分隔離區(qū)3. 元件的圖像尺寸1)晶體管的圖像2)電阻的設(shè)計3)電容器的設(shè)計4. 排版和布線教學(xué)方式:講授      教學(xué)媒介:教科書、板書教學(xué)過程設(shè)計:授新課、問題討論、布置作業(yè)板書設(shè)計:本節(jié)綱要一、181。A741直流工作狀態(tài)分析1. 靜態(tài)工作電流計算2. 各級直流電平的計算二、181。A741運算放大器版圖設(shè)計分析1. 版圖設(shè)計確定的基本尺寸2. 劃分隔離區(qū)板書要強調(diào)的內(nèi)容重要的公式示例說明作業(yè):參考書目:張興 黃如 . 北京大學(xué)出版社,2005常青 陶華敏 . 國防工業(yè)出版社,2006教師姓名:熊志偉 職稱:助教 07 年 12 月 11 日編號:22課時安排:2學(xué)時教學(xué)課型:理論課√ 實驗課□ 習(xí)題課□ 其它□授課章節(jié)(或主題): 第七章 IC設(shè)計舉例與設(shè)計實踐 167。72教學(xué)目的、要求: 掌握:1. CMOS數(shù)字電路設(shè)計原理與應(yīng)用教學(xué)內(nèi)容(包括基本內(nèi)容、重點*、難點#):167。72 CMOS數(shù)字電路設(shè)計實例全加器一、邏輯分析二、設(shè)計方案1. 全加器采用N阱硅柵等平面工藝制造,雙層金屬布線,版圖的層次有:N阱、有源區(qū)、多晶硅、P摻雜、N摻雜、引線孔、金屬2. NMOS管的溝道寬度3. N阱接VDD,P型襯底接GND4. 布局,布線有很大的靈活性教學(xué)方式:講授      教學(xué)媒介:教科書、板書教學(xué)過程設(shè)計:授新課、問題討論、布置作業(yè)板書設(shè)計:本節(jié)綱要一、邏輯分析二、設(shè)計方案1. 全加器采用N阱硅柵等平面工藝制造,雙層金屬布線,版圖的層次有:N阱、有源區(qū)、多晶硅、P摻雜、N摻雜、引線孔、金屬2. NMOS管的溝道寬度3. N阱接VDD,P型襯底接GND4. 布局,布線有很大的靈活性板書要強調(diào)的內(nèi)容重要的公式示例說明作業(yè):參考書目:張興 黃如 . 北京大學(xué)出版社,2005常青 陶華敏 . 國防工業(yè)出版社,2006教師姓名:熊志偉 職稱:助教 07 年 12 月 14 日編號:23課時安排:2學(xué)時教學(xué)課型:理論課√ 實驗課□ 習(xí)題課□ 其它□授課章節(jié)(或主題): 總復(fù)習(xí)教學(xué)目的、要求:教學(xué)內(nèi)容(包括基本內(nèi)容、重點*、難點#): 教學(xué)方式:講授      教學(xué)媒介:教科書、板書教學(xué)過程設(shè)計:復(fù)習(xí)板書設(shè)計:本節(jié)綱要板書要強調(diào)的內(nèi)容重要的公式示例說明作業(yè):參考書目:張興 黃如 . 北京大學(xué)出版社,2005常青 陶華敏 . 國防工業(yè)出版社,2006教師姓名:熊志偉 職稱:助教 07 年 12 月 25 日編號:24課時安排:2學(xué)時教學(xué)課型:理論課√ 實驗課□ 習(xí)題課□ 其它□授課章節(jié)(或主題): 總復(fù)習(xí)教學(xué)目的、要求:教學(xué)內(nèi)容(包括基本內(nèi)容、重點*、難點#):教學(xué)方式:講授      教學(xué)媒介:教科書、板書教學(xué)過程設(shè)計:復(fù)習(xí)板書設(shè)計:本節(jié)綱要板書要強調(diào)的內(nèi)容重要的公式示例說明作業(yè):參考書目:張興 黃如 . 北京大學(xué)出版社,2005常青 陶華敏 . 國防工業(yè)出版社,2006教師姓名:熊志偉 職稱:助教 07 年 12 月 28 日
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