半導體物理學習題答案-資料下載頁
2025-06-19 17:55本頁面
【正文】 個Si樣品，設雜質(zhì)全部電離，分別計算：①室溫時的電導率。[解]n1＝1013 cm3，T＝300K，n2＝1017cm3時，查圖可得 [畢]5－5．（P144）n型硅中，摻雜濃度ND＝1016cm3，光注入的非平衡載流子濃度Δn＝Δp＝1014cm3。計算無光照和有光照時的電導率。[解]nSi，ND＝1016cm3，Δn＝Δp＝1014cm3，查表4－14得到：：無光照：Δn＝ΔpND，為小注入：有光照：[畢]5－7．（P144）摻施主雜質(zhì)的ND＝1015cm3n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子Δn＝Δp＝1014cm3。試計算這種情況下準費米能級的位置，并和原來的費米能級做比較。[解]nSi，ND＝1015cm3，Δn＝Δp＝1014cm3，光照后的半導體處于非平衡狀態(tài)：室溫下，EgSi＝；比較：由于光照的影響，非平衡多子的準費米能級與原來的費米能級相比較偏離不多，而非平衡勺子的費米能級與原來的費米能級相比較偏離很大。[畢]5－16．（P145）一塊電阻率為3Ωcm的n型硅樣品，空穴壽命，再其平面形的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過剩空穴濃度，計算從這個表面擴散進入半導體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠處過?？昭舛鹊扔?012cm3？[解] ；，：由查圖4－15可得：，又查圖4－14可得：由愛因斯坦關系式可得： 所求而[畢]9
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