半導(dǎo)體物理學(xué)習(xí)題答案-資料下載頁(yè)
2025-06-19 17:55本頁(yè)面
【正文】 個(gè)Si樣品，設(shè)雜質(zhì)全部電離，分別計(jì)算：①室溫時(shí)的電導(dǎo)率。[解]n1＝1013 cm3，T＝300K，n2＝1017cm3時(shí)，查圖可得 [畢]5－5．（P144）n型硅中，摻雜濃度ND＝1016cm3，光注入的非平衡載流子濃度Δn＝Δp＝1014cm3。計(jì)算無(wú)光照和有光照時(shí)的電導(dǎo)率。[解]nSi，ND＝1016cm3，Δn＝Δp＝1014cm3，查表4－14得到：：無(wú)光照：Δn＝ΔpND，為小注入：有光照：[畢]5－7．（P144）摻施主雜質(zhì)的ND＝1015cm3n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子Δn＝Δp＝1014cm3。試計(jì)算這種情況下準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的位置，并和原來(lái)的費(fèi)米能級(jí)做比較。[解]nSi，ND＝1015cm3，Δn＝Δp＝1014cm3，光照后的半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)：室溫下，EgSi＝；比較：由于光照的影響，非平衡多子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)與原來(lái)的費(fèi)米能級(jí)相比較偏離不多，而非平衡勺子的費(fèi)米能級(jí)與原來(lái)的費(fèi)米能級(jí)相比較偏離很大。[畢]5－16．（P145）一塊電阻率為3Ωcm的n型硅樣品，空穴壽命，再其平面形的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過(guò)剩空穴濃度，計(jì)算從這個(gè)表面擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠(yuǎn)處過(guò)?？昭舛鹊扔?012cm3？[解] ；，：由查圖4－15可得：，又查圖4－14可得：由愛(ài)因斯坦關(guān)系式可得： 所求而[畢]9
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