半導(dǎo)體器件習(xí)題及參考答案-資料下載頁
2025-07-04 22:18本頁面
【正文】 求得：，因此是增強(qiáng)型的。第五章1. 對于n溝和p溝兩種類型的n+多晶硅SiO2Si MOSFET，已知其襯底摻雜濃度都是1017cm3， ,Qf/q=51010cm2，d＝10nm，試分別計(jì)算上述兩種類型MOS器件的閾值電壓。解：εSi＝， εSiO2＝對n溝MOSFET的閾值電壓為 其中，＝＝*10－7F/cm2＝－*107C/cm2 Qox＝Qf＝5101010－19＝810－9C/cm2 代入上式得：＝ 因?yàn)閂T0，且為n溝MOSFET，所以該器件是增強(qiáng)型的。同理可得，pMOSFET的閾值電壓為 其中，＝＝*10－7F/cm2＝*107C/cm2 Qox＝Qf＝5101010－19＝810－9C/cm2 代入上式得：＝ 因?yàn)閂Tp0，為p溝MOSFET，所以該器件是增強(qiáng)型的。2. 一個(gè)n溝MOSFET，Z=300μm，L=1μm,溝道電子遷移率750cm2/Vs，Cox=107F/cm2，VT=1V，求長溝道情況下，VGS=5V時(shí)的IDSat、速度飽和時(shí)的IDSat ，及兩種情況下的跨導(dǎo)。（載流子飽和速度為9106cm/s）解： 對于長溝道器件： ＝＝飽和速度模型下，＝
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