半導體習題和解答-資料下載頁
2025-03-24 23:10本頁面
【正文】 發(fā)到導帶所需的能量（）A. 比半導體的大 B. 比半導體的小 C. 與半導體的相等2. 室溫下，半導體Si摻硼的濃度為1014cm－3，1015cm－3的磷，則電子濃度約為（），空穴濃度為（），費米能級（）；將該半導體升溫至570K，則多子濃度約為（），少子濃度為（），費米能級（）。（已知：室溫下，ni≈1010cm－3，570K時，ni≈21017cm－3） A. 1014cm－3 B. 1015cm－3 C. 1015cm－3 D. 1015cm－3 E. 1015cm－3 F. 21017cm－3 G. 高于Ei H. 低于Ei I. 等于Ei3. 施主雜質(zhì)電離后向半導體提供（），受主雜質(zhì)電離后向半導體提供（），本征激發(fā)后向半導體提供（）。 A. 空穴 B. 電子4. 對于一定的半導體材料，摻雜濃度降低將導致禁帶寬度（），本征流子濃度（），功函數(shù)（）。 A. 增加 B. 不變 C. 減少5. 對于一定的n型半導體材料，溫度一定時，較少摻雜濃度，將導致（）靠近Ei。 A. Ec B. Ev C. Eg D. Ef6. 熱平衡時，半導體中電子濃度與空穴濃度之積為常數(shù)，它只與（）有關，而與（）無關。 A. 雜質(zhì)濃度 B. 雜質(zhì)類型 C. 禁帶寬度 D. 溫度7. 表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）。A. 施主態(tài) B. 受主態(tài) C. 電中性8. 當施主能級Ed與費米能級Ef相等時，電離施主的濃度為施主濃度的（）倍。 A. 1 B. 1/2 C. 1/3 D. 1/49. 最有效的復合中心能級位置在（）附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是（）的陷阱 A. Ea B. Ed C. E D. Ei E. 少子 F. 多子10. 載流子的擴散運動產(chǎn)生（）電流，漂移運動長生（）電流。A. 漂移 B. 隧道 C. 擴散11. MIS結構的表面發(fā)生強反型時，其表面的導電類型與體材料的（），若增加摻雜濃度，其開啟電壓將（）。 A. 相同 B. 不同 C. 增加 D. 減少二、思考題1. 簡述有效質(zhì)量與能帶結構的關系。2. 為什么半導體滿帶中的少量空狀態(tài)可以用帶有正電荷和具有一定質(zhì)量的空穴來描述？3. 分析化合物半導體PbS中S的間隙原子是形成施主還是受主？S的缺陷呢？4. 說明半導體中淺能級雜質(zhì)、深能級雜質(zhì)的作用有何不同？5. 為什么Si半導體器件的工作溫度比Ge半導體器件的工作溫度高？你認為在高溫條件下工作的半導體應滿足什么條件？6. 工廠生產(chǎn)超純Si的室溫電阻率總是夏天低，冬天高。試解釋其原因。7. 試解釋強電場作用下GaAs的負阻現(xiàn)象。8. 穩(wěn)定光照下，半導體中的電子和空穴濃度維持不變，半導體處于平衡狀態(tài)下嗎？為什么？9. 愛因斯坦關系是什么樣的關系？有何物理意義？10. 怎樣才能使得n型硅與金屬鋁接觸才能分別實現(xiàn)歐姆接觸和整流接觸？1. 答案：（A）2. 答案：（B），（D），（G），（F），（F），（I）3. 答案：（B），（A），（A，B）4. 答案：（B，A），（B，C），（C）5. 答案：（D）6. 答案：（C,D），（A,B）7. 答案：（A）8. 答案：（C）：（C），（E）10. 答案：（C），（A）11. 答案：（B），（C）《半導體物理》重點難點 第一章 半導體中的電子狀態(tài) Si和GaAs的晶體結構 Ge、Si和GaAs的能帶結構 本征半導體及其導電機構、空穴 本征半導體及其導電機構、空穴 第二章 半導體中的雜質(zhì)和缺陷 l、本征激發(fā)與本征半導體的特征 雜質(zhì)半導體與雜質(zhì)電離 第三章 半導體中載流子的統(tǒng)計分布 熱平衡態(tài)時非簡并半導體中載流子的濃度分布 費米能級EF的相對位置。 第四章 半導體中的導電性 遷移率 散射——影響遷移率的本質(zhì)因素 電導率 弱電場下電導率的統(tǒng)計理論 第五章 非平衡載流子 非平衡載流子的產(chǎn)生 非平衡載流子的復合 非平衡載流子的運動規(guī)律 擴散方程 愛因斯坦關系 連續(xù)性方程 第六章 金屬和半導體接觸 阻擋層與反阻擋層的形成肖特基勢壘的定量特性 歐姆接觸的特性 少子的注入 第七章 半導體表面與MIS結構 表面電場效應 理想與非理想MIS結構的CV特性 SiSiO2系統(tǒng)的性質(zhì)表面電導
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