【總結(jié)】名詞解釋本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。名詞解釋N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體,其自由電子濃度進(jìn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷、砷、銻等),使乊取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子,主要靠自由電子導(dǎo)電。自由
2025-01-01 06:43
【總結(jié)】半導(dǎo)體中熱平衡載流子的統(tǒng)計分布??引言:?熱平衡和熱平衡載流子:在一定溫度下,如果沒有其它外界作用半導(dǎo)體中的導(dǎo)電電子和空穴是依靠電子的熱激發(fā)作用而產(chǎn)生的,電子從不斷熱震動的晶格中獲得一定的能量,就可能從低能量的量子態(tài)躍遷到高能量的量子態(tài),例如,電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶(這就是本征激發(fā)),形成導(dǎo)電電子和價帶空穴。???
2025-02-26 01:36
【總結(jié)】第二章半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷理想半導(dǎo)體:1、原子嚴(yán)格周期性排列,具有完整的晶格結(jié)構(gòu)。2、晶體中無雜質(zhì),無缺陷。3、電子在周期場中作共有化運(yùn)動,形成允帶和禁帶——電子能量只能處在允帶中的能級上,禁帶中無能級。?本征半導(dǎo)體——晶體具有完整的(完美的)晶格結(jié)構(gòu),無任何雜質(zhì)和缺陷。由本征激發(fā)提供載流子。
2025-05-12 20:52
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件習(xí)題-PN結(jié)和三極管田野3月14日作業(yè)?1、討論影響共射極電流增益的因素;?2、比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴(kuò)散晶體管的優(yōu)越性。1、討論影響共射極電流增益的因素??出現(xiàn)在P278表?其中NB、NE為基極、發(fā)射極摻雜濃度DB、
2025-05-06 12:44
【總結(jié)】內(nèi)容:?黑體輻射與能量量子化的假設(shè)?光電效應(yīng)?康普頓效應(yīng)?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀粒子的波粒二象性?測不準(zhǔn)關(guān)系?薛定鄂方程?無限深勢阱中的粒子?激光原理?晶體點(diǎn)陣及電子波在周期勢場中的傳播應(yīng)用Atoms(原子核)(外層電子、價帶電子)(激發(fā)態(tài)電子)Moretha
2025-05-05 18:14
【總結(jié)】QJ/TBTCL家用電器(惠州)有限公司企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)QJ/TBJ053063-2004
2025-06-19 16:55
【總結(jié)】第1章集成電路的基本制造工藝一般TTL集成電路與集成運(yùn)算放大器電路在選擇外延層電阻率上有何區(qū)別?為什么?答:集成運(yùn)算放大器電路的外延層電阻率比一般TTL集成電路的外延層電阻率高。第2章集成電路中的晶體管及其寄生效應(yīng)復(fù)習(xí)思考題利用截錐體電阻公式,計算TTL“與非”門輸出管的,所示。提示:先求截錐
2025-06-07 16:48
【總結(jié)】NewGenerationofHigh–PowerSemiconductorClosingSwitchesforPulsedPowerApplicationsI.IntroductionSolidstatesemiconductorswitchesareveryinvitingtouseatpulsedpowersystemsbeca
2025-06-29 04:43
【總結(jié)】第6章半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子1第6章半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子?6.1載流子的產(chǎn)生與復(fù)合?6.2過剩載流子的性質(zhì)?6.3雙極輸運(yùn)?6.4準(zhǔn)費(fèi)米能級?*6.5過剩載流子的壽命?*6.6表面效應(yīng)2?平衡狀態(tài)下產(chǎn)生率等于復(fù)合率
2025-05-15 01:07
2025-06-12 18:07
【總結(jié)】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【總結(jié)】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點(diǎn):是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點(diǎn),耐壓高、電流大、耐浪涌能力強(qiáng),造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點(diǎn):①
2025-05-01 06:14
【總結(jié)】半導(dǎo)體光電子學(xué)的新進(jìn)展RecentProgressonSemiconductorBasedOpto-electronicDevices羅毅YiLUO集成光電子國家重點(diǎn)實驗室清華大學(xué)電子工程系StateKeyLabonIntegratedOptoelectronics
2025-01-01 06:44
【總結(jié)】第二章1一個硅p-n擴(kuò)散結(jié)在p型一側(cè)為線性緩變結(jié),a=1019cm-4,n型一側(cè)為均勻摻雜,雜質(zhì)濃度為3×1014cm-3,,求零偏壓下的總耗盡層寬度、內(nèi)建電勢和最大電場強(qiáng)度。解:x=0處E連續(xù)得xn=x總=xn+xp=,負(fù)號表示方向為n型一側(cè)指向p型一側(cè)。2一個理想的p-n結(jié),ND=1018cm-3,NA=1016cm-3,τp=
2025-07-04 22:18
【總結(jié)】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點(diǎn)三重擴(kuò)散;叉指型基極和發(fā)射極;特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很薄(幾u(yù)m—幾十um)N-摻雜