freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題-資料下載頁

2025-03-24 23:10本頁面
  

【正文】 愛因斯坦關(guān)系 連續(xù)性方程 第六章 金屬和半導(dǎo)體接觸 阻擋層與反阻擋層的形成肖特基勢壘的定量特性 歐姆接觸的特性 少子的注入 第七章 半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu) 表面電場效應(yīng) 理想與非理想MIS結(jié)構(gòu)的CV特性 SiSiO2系統(tǒng)的性質(zhì)表面電導(dǎo) 一、 選擇填空(含多選題)(25分),則該半導(dǎo)體以( )導(dǎo)電為主; .如果半導(dǎo)體中電子濃度大于空穴濃度,則該半導(dǎo)體以( )導(dǎo)電為主; .如果半導(dǎo)體中電子濃度小于空穴濃度,則該半導(dǎo)體以( )導(dǎo)電為主。A、復(fù)合中心 B、本征 C、陷阱 E、受主 F、空穴 G、施主 H、電子 I、非本征2. 電子是帶( )電的( );空穴是帶( )電的( )粒子。A、正 B、負(fù) C、零 D、準(zhǔn)粒子 E、粒子3. 對非簡并半導(dǎo)體,當(dāng)雜質(zhì)濃度增加時,半導(dǎo)體中的載流子遭受的散射( ),這種散射稱為( );A、不變 B、減少 C、增加D、聲學(xué)波聲子散射 E、光聲學(xué)波聲子散射 F、中性雜質(zhì)散射 G、電離雜質(zhì)散射4. 當(dāng)入射光子的能量大于半導(dǎo)體的禁帶寬度時,將通過( )激發(fā)產(chǎn)生( )載流子,使得半導(dǎo)體的電阻率( ),電子親和勢( )。A、施主 B、受主 C、本征 E、非本征 F、平衡 D、非平衡 E、增加 F、減小 G、不變5. 激子帶( )電。A、正 B、負(fù) C、零 6. 當(dāng)Au摻入Si中時,它是( )能級,在半導(dǎo)體中起的是( )的作用; 當(dāng)B摻入Si中時,它是( )能級,在半導(dǎo)體中起的是( )的作用。A、施主 B、受主 C、深 D、淺 E、復(fù)合中心 F、陷阱 7. 當(dāng)溫度升高時,載流子的平均自由程( ),其遷移率( ),其復(fù)合率( )。A、增加 B、減小 C、不變D、p型半導(dǎo)體 E、n型半導(dǎo)體 F、本征半導(dǎo)體,已知其中平衡電子濃度為1017cm3,則平衡空穴的濃度近似為( ),由此可知這是( )半導(dǎo)體。A、1017cm3 B、1010cm3 C、103cm3 D、p型半導(dǎo)體 E、n型半導(dǎo)體 F、本征半導(dǎo)體9. 對電子而言,其擴(kuò)散電流的方向與電子擴(kuò)散方向( ),其漂移電流的方向與所加外電場的方向( )。A、相同 B、相反二、證明:已知熱平衡條件下導(dǎo)帶電子濃度n和價帶空穴濃度p的表達(dá)式為:其中Nc和Nv分別為導(dǎo)帶和價帶的有效態(tài)密度, Ec和Ev分別為導(dǎo)帶底和價帶頂?shù)哪芰?。?)求出本征載流子濃度ni和本征費(fèi)米能級Ei表達(dá)式。(4分)(2)論證n,p與ni , EF之間有如下關(guān)系(4分)三、 試分別用能帶圖表征直接復(fù)合和間接復(fù)合的復(fù)合機(jī)制,并說明這兩種復(fù)合機(jī)制的異、同。(4分)四、 簡答題:1. 半導(dǎo)體中的電流,是否多數(shù)載流子電流一定比少數(shù)載流子電流大得多?為什么?(3分)2. 半導(dǎo)體中載流子的漂移運(yùn)動與擴(kuò)散運(yùn)動,分別用什么物理量來描述其快慢?單位分別是什么?其間有何簡單的關(guān)系?(3分)3. 什么是Fermi能級?什么是準(zhǔn)Fermi能級?它們的適用條件分別是什么?(3分)五、(1)n型半導(dǎo)體構(gòu)成的金屬半導(dǎo)體接觸有幾種電學(xué)特性?試給出其IV曲線。在何種條件下形成相應(yīng)接觸?;(3分)(2)如果減小該半導(dǎo)體的功函數(shù),則零偏壓下半導(dǎo)體的勢壘高度如何變化?半導(dǎo)體的勢壘厚度又如何變化?要求畫出變化前后的能帶圖加以對比(3分)六、對于實際MIS結(jié)構(gòu) 試根據(jù)下圖判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型,并分別指出AB段、C點(diǎn)和DE段對應(yīng)的半導(dǎo)體表面狀態(tài);(5分)C/C0 A B C D E V 畫出CV曲線中DE段對應(yīng)的半導(dǎo)體表面的能帶圖;(5分) 什么是平帶電壓?試寫出平帶電壓表達(dá)公式,并指出式中各項產(chǎn)生的原因;(4分) 如果減少半導(dǎo)體的摻雜濃度,CV曲線將如何變化?為什么?(4分)
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
研究報告相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1