半導體中的非平衡過剩載流子-資料下載頁
2025-06-12 18:07本頁面
【正文】 大的均勻 n型半導體，無外加電場。假設 t=0時，晶體中存在濃度均勻的過剩載流子，而 t0，g’=，即小注入狀態(tài)，試計算 t=0時過剩載流子濃度的時間函數(shù)。 23 雙極輸運方程的應用 ? 例 24 雙極輸運方程的應用 ? 例 ? ?? ?? ?0 2/ 01 / 2, e xp 44ptpppx E tep x tDtDt? ???? ?????????25 雙極輸運方程的應用 26 介質(zhì)弛豫時間常數(shù) ? 介質(zhì)弛豫時間常數(shù) 介質(zhì)弛豫時間常數(shù) Si： Nd=1016cm3時， τ d= 27 測定試驗 ? 海恩斯－肖克萊實驗 28 測定試驗 ?測遷移率和擴散系數(shù) ? ? ? ? ? ?02/01 / 2, e xp 44pt pppx E tep x t DtDt? ???? ?????????t1 t2 29 ? 平衡時 30 ? 非平衡時 00e xpe xpF n F iiF i F piEEn n nkTEEp p nkT??????? ????????? ????31 ? 表面態(tài) 無限的表面復合速度，會導致表面的過剩載流子濃度和壽命為零。 32 小結(jié) ? 非平衡狀態(tài)。 ? 非平衡過剩載流子的復合和產(chǎn)生、載流子的壽命。 ? 小注入。 ? 準費米能級。 ? 小注入條件下的雙極輸運方程 ? 海恩斯－肖克萊實驗 ? 表面效應 33 END 34
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