【總結(jié)】名詞解釋本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。名詞解釋N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體,其自由電子濃度進(jìn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素(如磷、砷、銻等),使乊取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子,主要靠自由電子導(dǎo)電。自由
2025-01-01 06:43
【總結(jié)】?半導(dǎo)體獨(dú)特的物理性質(zhì)與半導(dǎo)體中電子狀態(tài)和運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)密切相關(guān)。所以,為了研究和利用半導(dǎo)體的這些物理性質(zhì),本章簡要介紹半導(dǎo)體單晶材料中電子狀態(tài)和運(yùn)動(dòng)規(guī)律。?半導(dǎo)體單晶材料由大量原子周期性重復(fù)排列而成,而每個(gè)原子又包含原子核和許多電子。如果能寫出半導(dǎo)體中所有相互作用著的原子核和電子系統(tǒng)的薛定諤方程,并求出其解,就能了解半導(dǎo)體的許多物理性質(zhì)
2025-08-04 18:02
【總結(jié)】半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量手冊質(zhì)量手冊目錄章節(jié)標(biāo)題頁碼質(zhì)量手冊封面/批準(zhǔn)頁1質(zhì)量手冊目錄2/3公司簡介4應(yīng)用范圍5引用標(biāo)準(zhǔn)5術(shù)語和定義5質(zhì)量管理體系要求6/7總
2025-06-26 12:19
【總結(jié)】第二章半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷理想半導(dǎo)體:1、原子嚴(yán)格周期性排列,具有完整的晶格結(jié)構(gòu)。2、晶體中無雜質(zhì),無缺陷。3、電子在周期場中作共有化運(yùn)動(dòng),形成允帶和禁帶——電子能量只能處在允帶中的能級(jí)上,禁帶中無能級(jí)。?本征半導(dǎo)體——晶體具有完整的(完美的)晶格結(jié)構(gòu),無任何雜質(zhì)和缺陷。由本征激發(fā)提供載流子。
2025-05-12 20:52
【總結(jié)】微電子學(xué)概論第二章半導(dǎo)體物理與器件(SemiconductorPhysicsAndDevice)?《半導(dǎo)體物理學(xué)》劉恩科等著國防工業(yè)出版社?《半導(dǎo)體物理學(xué)》葉良修高等教育出版社?《半導(dǎo)體物理與器件》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著,趙毅強(qiáng)等譯
2025-07-20 05:07
【總結(jié)】半導(dǎo)體光電子學(xué)插圖地球表面平均太陽能4x1024J/年,或者5x1020J/小時(shí)2022年全球能量的消耗4x1020J/年美國平衡態(tài)?空穴(positive)PN電子(negative)擴(kuò)散流漂移流內(nèi)建電場當(dāng)外加電壓
2025-01-19 20:52
【總結(jié)】溶膠-凝膠技術(shù)Sol-Geltechnique一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點(diǎn)二、溶膠-凝膠法采用的原料三、溶膠-凝膠過程的主要反應(yīng)四、溶膠-凝膠法制備薄膜及涂層材料一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點(diǎn)溶膠-凝膠法基本名詞術(shù)語(precursor):所用的起始原料。(metal
2025-08-15 20:59
【總結(jié)】電子半導(dǎo)體景氣技術(shù)分析-----------------------作者:-----------------------日期:半導(dǎo)體景氣分析對(duì)半導(dǎo)體景氣不宜過度樂觀在臺(tái)灣兩大晶圓代工業(yè)者-臺(tái)積電、聯(lián)電于四月底的法人說明會(huì)上公布公司經(jīng)營狀況,以及發(fā)表對(duì)半導(dǎo)體景氣看法之后,此一話題再度成為討論的焦點(diǎn)。由于兩業(yè)者所占的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的超過10%,
2025-06-17 14:20
【總結(jié)】半導(dǎo)體化學(xué)Doctor湯LatticePower(Jiangxi)Corporation1什么是半導(dǎo)體化學(xué)?研究半導(dǎo)體材料的制備、分析以及半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)工藝中的特殊化學(xué)問題的化學(xué)分支學(xué)科。LatticePower(Jiangxi)Corporation半導(dǎo)體材料?元素半導(dǎo)體,如硅(Si)、鍺
2025-08-01 17:58
【總結(jié)】第七章半導(dǎo)體電子論1半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)是當(dāng)前最重要的技術(shù)部門之一,是現(xiàn)代電子和信息產(chǎn)業(yè)乃至現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體的電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間,本質(zhì)上講都是電子導(dǎo)電。良導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(Ω?cm)10-610-2~1091014~1023半導(dǎo)體和金
2025-08-01 12:47
【總結(jié)】半導(dǎo)體光電子學(xué)緒論1897年湯姆遜發(fā)現(xiàn)電子,1905年愛因斯坦提出電子學(xué)說——為半導(dǎo)體光電子學(xué)奠定了基礎(chǔ)。1953年9月,美國馮?紐曼預(yù)言在半導(dǎo)體中產(chǎn)生受激發(fā)射的可能。20世紀(jì)60年代伯納德(Bernard)和杜拉福格(Duraffourg)給出了半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)受激輻射時(shí)的必要條件——非平衡電子,空穴濃度
2025-01-18 18:59
【總結(jié)】第6章半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子1第6章半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子?6.1載流子的產(chǎn)生與復(fù)合?6.2過剩載流子的性質(zhì)?6.3雙極輸運(yùn)?6.4準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)?*6.5過剩載流子的壽命?*6.6表面效應(yīng)2?平衡狀態(tài)下產(chǎn)生率等于復(fù)合率
2025-05-15 01:07
2025-06-12 18:07
【總結(jié)】第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布載流子的運(yùn)動(dòng)載流子參與導(dǎo)電的電子和空穴統(tǒng)稱為半導(dǎo)體的載流子。載流子的產(chǎn)生本征激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,形成導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴雜質(zhì)電離當(dāng)電子從施主能級(jí)躍遷到導(dǎo)帶時(shí)產(chǎn)生導(dǎo)帶電子;當(dāng)電子從價(jià)
2025-01-13 12:28
【總結(jié)】電子廠LED半導(dǎo)體照明產(chǎn)品質(zhì)量手冊電子廠LED半導(dǎo)體照明產(chǎn)品質(zhì)量手冊電子廠LED半導(dǎo)體照明產(chǎn)品質(zhì)量手冊更改記錄發(fā)行日期版次更改內(nèi)容2022/08/232022/04/172022/05/142022/04/102022/5/612356初版發(fā)行根據(jù)公司組織架構(gòu)圖1)取消QM推進(jìn)部,新設(shè)制品保證部和部材保證部