半導(dǎo)體光電子-資料下載頁
2025-01-01 06:43本頁面
【正文】 10/ ( 10 ) /( 10 ) A WphR I P A W??? ? ? ? ?34 8 1119 9( 10 J s ) ( 3 10 m s )( A W ) 80%( 10 C ) ( 700 10 m )hcRe? ???????? ? ? ???計算題 在沒有倍增 (M=1)乊下，一個硅制 APD對于 830nm有70%的量子效率，這個 APD被偏壓在倍增因素為 100，假如入射光功率為 10nW,光電流為多少？ (已知普朗兊常數(shù) h=1034Js ,電子電量 e=1019C) 在 M=1,以量子效率表示的響應(yīng)率為 假如 Iph0是一次光電流（沒有經(jīng)過倍增）， P0是入射光，那么由定義 R= Iph0/ P0,所以 Iph0=R P0=（ A W1）（ 20109W） =108A 在 APD的光電流 Iph是 Iph0乘以 M， Iph=MIph0=（ 12）（ 108A） =107 或者180nA 在 M=12的響應(yīng)率為 R′=Iph/P0=MR=(12) ()= A W1 19 9134 8( 10 ) ( 0 10 )( ) A W( 6 10 ) ( 3 10 )eRhc?? ?? ????? ? ???計算題 半導(dǎo)體材料 GaAs 的帶隙能量在溫度 300K為 ,已知其帶隙能量隨時間的變化率 dEg/dT=*104 eVK1，求當溫度在 300K附近變化 10K，用 GaAs材料制作的 LED的輸出光波長的變化量。 (已知普朗兊常數(shù) h=1034Js ,電子電量 e=1019C) 34 84 192 19( 10 ) ( 3 10 )( ) ( 10 10 )( 10 )ggdEd hcdT E dT? ? ?????? ? ? ? ? ? ? ???10 1 10 m K , or nm KddT ? ???1( / ) ( 77 nm K ) ( 10 K ) nmd dT T??? ? ? ? ?計算題 三元合金 In1xGaxAsyP1y，成長在 InP晶體基板上是合適的商用半導(dǎo)體材料，可用來作為紅外線波長 LED及激光二極管的應(yīng)用。這組件需要 InGaAsP層晶格匹配于InP晶體基板以避克晶體缺陷出現(xiàn)在 InGaAsP層，這將需要 y≈，三元合金能隙 Eg以 eV為單位，由經(jīng)驗關(guān)系可表示為， Eg≈ + ，且0≤x≤,計算發(fā)射峰值在 ， InGaAsP三元合金的組成為何？ ? 解：首先，我們需要得到對感興趣波長的能隙 Eg，在發(fā)射峰值下，光子能量為 hc/λ=Eg+kBT，則表為電子伏特， 而在 λ=l06 m，取 T=300 K， 則 InGaAsP必有 y滿足 = – + y 2 在計算器上解這二次方程得 y = ，則 x = ，最后三元合金為 。 計算題 ?計算題 輻射波長為 670nm（紅光）的商用激光二極管有如下特性： 25℃ 的閾值電流為 76mA， I=80mA的輸出功率為2mW，通過二極管的電壓為 ，若二極管電流增加至 82mA，光輸出功率則增加至 3mW，試計算激光二極管的外部量子效率，外部微分量子效率，外部功率效率 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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