半導體中的電子狀態(tài)-資料下載頁
2025-01-01 06:43本頁面
【正文】 近有n 上式表示的是一個球形等能面， 等能面上的波矢 k與電子 能量 E之間有著一一對應的關系，即： n k空間中的一個點 = 一個電子態(tài)n 晶體有各向異性的性質(zhì)，沿不同的 K方向 E（ k） 與 K的關系不同，電子有效質(zhì)量不一定相同，極值不一定在 K=0處。設導帶底位于 ，在晶體中適當選取坐標軸n 等能面是環(huán)繞 的一系列橢球面n 如果知道了有效質(zhì)量的值，則可求出能帶結(jié)構。n 對于極值在 K=0，有效質(zhì)量各向同性的簡單能帶，等能面為球形；而有效質(zhì)量各向異性的能帶，等能面為橢球n 電子受到磁場力 力的大小電子沿磁場方向作勻速運動，在垂直于 B的平面內(nèi)做勻速圓周運動，運動軌跡是一螺旋線 α 、 β 、 γ 為 B 沿 的方向余弦 3 硅、鍺的能帶結(jié)構n 硅導帶底附近的等能面是沿 [100]方向的旋轉(zhuǎn)橢球面，橢球長軸與該方向重合。n 根據(jù)晶體立方對稱性的要求， 也必有同樣的能量在 共有六個旋轉(zhuǎn)橢球面，電子 主要分布在這些極值附近?硅、鍺能帶結(jié)構的特點：1）鍺、硅為間接能隙結(jié)構2）禁帶寬度隨溫度的增加而減小3） T=0K時 硅 鍺 4 GaAs的能帶結(jié)構特點：（ 1）負溫度系數(shù)特性（ 2） T(0K) Eg= （ 3）直接能隙結(jié)構溫度特性比較Si： dEg/dT=104eV/KGe: dEg/dT=104eV/K GaAs： dEg/dT = 104eV/K室溫下禁帶寬度Si： Ge: GaAs： 作業(yè)： 1， 2， 3其他其他 其他其他 返回返回謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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