【總結(jié)】第1章基本半導(dǎo)體分立器件第1章基本半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體的基本知識與PN結(jié)半導(dǎo)體二極管特殊二極管半導(dǎo)體三極管場效應(yīng)晶體管習(xí)題第1章基本半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體的基本知識與PN結(jié)半導(dǎo)體的基本特性在自然界中存在著許多不同的物質(zhì),
2025-01-16 03:50
【總結(jié)】寧波工程學(xué)院:余輝晴《模擬電子技術(shù)》課件Tel:0574-87081230Email:第1章半導(dǎo)體器件?半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識?半導(dǎo)體二極管?半導(dǎo)體三極管?場效應(yīng)管1.本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識本征半導(dǎo)體及雜質(zhì)半導(dǎo)體硅和鍺是四價元素,它們分別與周圍的四
2025-02-21 12:39
【總結(jié)】半導(dǎo)體及其基本特性固體材料:超導(dǎo)體:大于106(?cm)-1導(dǎo)體:106~104(?cm)-1半導(dǎo)體:104~10-10(?cm)-1絕緣體:小于10-10(?cm)-1?什么是半導(dǎo)體從導(dǎo)電特性和機制來分:不同電阻特
2024-12-29 02:54
【總結(jié)】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【總結(jié)】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點:是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點,耐壓高、電流大、耐浪涌能力強,造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點:①
2025-05-01 06:14
【總結(jié)】1返回后一頁前一頁?第一章電路的基本概念?第二章電路分析基礎(chǔ)?第三章交流電路?第四章分立元件放大電路(第七)?第五章集成運算放大器(第八)?第六章直流電源(第九)2應(yīng)用舉例(1)工業(yè)控制?電機控制?機床控制?生產(chǎn)過程自動化控
2024-12-29 11:40
【總結(jié)】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點三重擴散;叉指型基極和發(fā)射極;特點:發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很薄(幾um—幾十um)N-摻雜
【總結(jié)】第1章半導(dǎo)體器件教學(xué)內(nèi)容§半導(dǎo)體的特性§半導(dǎo)體二極管§雙極型三極管§場效應(yīng)三極管教學(xué)要求本章重點是各器件的特性與模型,特別要注意器件模型的適用范圍和條件。對于半導(dǎo)體器件,主要著眼于在電路中的使用,關(guān)于器件內(nèi)部的物理過程只要求有一定的了解
2025-07-20 08:26
【總結(jié)】(1-1)第二章半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體的基本知識§PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管§特殊二極管§雙極型晶體管(半導(dǎo)體三極管)§場效應(yīng)晶體管§集成電路(1-2)§半導(dǎo)體的基本知識導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體
2025-02-22 00:49
【總結(jié)】中國石油大學(xué)電工電子教學(xué)中心下一頁返回上一頁目錄電工電子學(xué)chapter6第6章集成運算放大器及其應(yīng)用?集成運算放大器?放大電路中的負(fù)反饋?集成運算放大器的線性應(yīng)用?集成運算放大器的非線性應(yīng)用3/1/20231中國石油大學(xué)電工電子教學(xué)中心下一頁返回上一頁目錄電工電子學(xué)chapter6
2024-12-31 03:27
【總結(jié)】晶體生長和外延現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2023,7,30晶體生長與外延對分立器件而言,最重要的半導(dǎo)體是硅和砷化鎵。本小節(jié)主要討論這兩種半導(dǎo)體單晶最常用的技術(shù)。一種是單晶生長,獲得高質(zhì)量的襯底材料;另外一種時“外延生長”,即在
2025-03-03 20:17
【總結(jié)】微電子學(xué)概論第二章半導(dǎo)體物理與器件(SemiconductorPhysicsAndDevice)?《半導(dǎo)體物理學(xué)》劉恩科等著國防工業(yè)出版社?《半導(dǎo)體物理學(xué)》葉良修高等教育出版社?《半導(dǎo)體物理與器件》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著,趙毅強等譯
2025-07-20 05:07
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識一、半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點二、半導(dǎo)體的分類三、PN結(jié)本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體PN結(jié)的形成PN結(jié)的單向?qū)щ娦缘谝徽掳雽?dǎo)體器件§半導(dǎo)體二極管一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)特點二、半導(dǎo)體二極管的伏安特性正向特性反向特性三、二
2025-01-19 11:44
【總結(jié)】?主編李中發(fā)?制作李中發(fā)?2021年1月電子技術(shù)第1章半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)要點?了解半導(dǎo)體的特性和導(dǎo)電方式,理解PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?了解半導(dǎo)體二極管、三極管的結(jié)構(gòu)?理解二極管的工作原理、伏安特性和主要參數(shù)?理解雙極型三極管的放大作用、輸入和輸出特性曲線及主要參數(shù)
2025-10-10 00:18
【總結(jié)】第八章光刻哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝光刻工藝是半導(dǎo)體工藝過程中非常重要的一道工序,它是用來在晶圓表面建立圖形的工藝過程。這個工藝過程的目標(biāo)有兩個。首先是在晶圓表面建立盡可能接近設(shè)計規(guī)則中所要求尺寸的圖形;第二個目標(biāo)是在晶圓表面正確定位圖形。整個電路圖形必須被正確地定位于晶圓表面,電路圖形上單獨的每一部分之間的相對位置也必須是
2025-03-01 04:32