半導體的光電效應-資料下載頁
2025-07-18 14:01本頁面
【正文】 etry) 輻射度量與光度量的一一對應關系： （參見書本的的第 4頁） 注意的是 ： 探測器的的性能參數(shù)可能用不同的單位來量， 但其本質是一致的。 加深理解：參見課后練習（ 1— 1). 半導體光電器件 半導體光電導器件是利用半導體材料的光電效應制成的光電探測器件。其最典型的器件是 光明電阻 。 光明電阻的特點 ： ?光譜響應范圍寬 ?工作電流大 ?所測的光強范圍廣 ?靈敏度高 ?偏置電壓低，無極性之分 不足之處是：在強光下線性較差，光電馳豫過程較長，頻率響應低。 光明電阻 光明電阻的工作原理： 注意本征光電導與雜質光電導的聯(lián)系與區(qū)別： 對于雜質光電導一般采用 N型 光電導材料 光明電阻的主要特性參數(shù)： ?光電導增益 由光照形成的光生載流子在電場作用下所形成的外部光電流與光電子形成的內部電流之間的比值： 參見書本： hvNe?? ? （表示單位時間內產(chǎn)生的電子空穴對數(shù)） 內部電流： qN 外部光電流為： AL A LVNI ppnnp )( ???? ??故增益為： pnppnnp MMLVqNIM ????? )(2 ????光明電阻 光電導與光伏探測器的區(qū)別： 光電導 ：光照產(chǎn)生非平衡載流子以致改變材料的電導率，不會產(chǎn)生光電流，要產(chǎn)生電流必須外加電場。 光伏： 同樣產(chǎn)生非平衡載流子，但內部存在一種分開機制，使得電子與空穴分離而形成光電流，不需要外加電壓。在光敏二級管時要加電壓，作用？ N N P V Is Id I 光明電阻 ?光譜響應率 ?時間常數(shù) ?線性 ?前歷效應 ?溫度特性 常用的光明電阻： 了解各種光明電阻的特性，用途，使用范圍等 光敏電阻的偏置電路 基本偏置電路圖： 光明電阻 RL Rp ????ggPdpdSESGGGGGR或＝為暗電導，11?????????????????gPPPLgbPPLbPPLbSRRRRSVRRRVRIRRVI2222)()(?常用的偏置方法 恒流偏置： ??????2)(LPbgPLRRVSIRR 時恒壓偏置： ??????LbgPLRVSVRR 時?????? 22)( PLgbPRRSVRI恒功率偏置：即匹配負載法： PL RR ?21 PPLPRRRR?困難，一般采用變化，要保持匹配有隨著入射光功率變化而由于光明電阻的應用列舉 照相機電子快門
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