【總結(jié)】半導(dǎo)體的光電效應(yīng)因光照而引起物體電學(xué)特性的改變統(tǒng)稱為光電效應(yīng)半導(dǎo)體的光電效應(yīng)可分為:內(nèi)電光效應(yīng)與外電光效應(yīng)內(nèi)電光效應(yīng):?光電導(dǎo)效應(yīng)?光生伏特效應(yīng)外電光效應(yīng):?光電發(fā)射效應(yīng)光電導(dǎo)效應(yīng)光照變化引起半導(dǎo)體材料電導(dǎo)變化的現(xiàn)象稱光電導(dǎo)效應(yīng)。當(dāng)光照射到半導(dǎo)體材料時(shí),材料吸收光子的能量,引起載流子濃度增
2025-07-18 14:01
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)知識(shí)目標(biāo):;P、N型半導(dǎo)體的性質(zhì);PN結(jié)的性質(zhì)。PN結(jié)的性質(zhì)PN結(jié)的形成原理第1講教學(xué)目標(biāo)教學(xué)重點(diǎn)教學(xué)難點(diǎn)能力目標(biāo):會(huì)檢測(cè)PN結(jié)的性質(zhì)。模擬
2024-08-24 21:00
【總結(jié)】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析組員:93114114林怡欣93114124蔡松展93114251謝瑋璘93114169蔡文杰目錄III半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)V.邏輯ICVI.記憶體VII.臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況半導(dǎo)體的定義所謂的半導(dǎo)體,是指在某些情況下,
2024-10-11 21:13
【總結(jié)】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對(duì)導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2025-07-25 02:12
【總結(jié)】大功率白光二極管研究-專業(yè)課論文白色LEDs大爆發(fā),普及元年即將到來(lái)!日亞化學(xué)工業(yè)2022年6月開(kāi)始供應(yīng)100lm/w的白色LEDs樣品12月已經(jīng)投入量產(chǎn)100lm/w的發(fā)光效率可與很好熒光燈發(fā)光效率相比1年前白色LED的發(fā)光效率也僅60lm/w,盡管如此,從實(shí)際亮度
2025-01-18 02:11
【總結(jié)】半導(dǎo)體物理(SemiconductorPhysics)主講:彭新村信工樓519室,13687940615Email:東華理工機(jī)電學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)第十一章半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)?半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的物理解釋?半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的實(shí)際應(yīng)用半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的物理解釋一、單一半導(dǎo)體
2025-05-06 12:49
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體器件的特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)二極管雙極型晶體管(BJT)場(chǎng)效應(yīng)管(FET)主要內(nèi)容及要求基礎(chǔ),必須掌握:基本概念,原理,特征曲線、參數(shù),應(yīng)用等。了解原理,掌握特征曲線、參數(shù)。半導(dǎo)體材料:物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,可劃分導(dǎo)體、絕緣體和
2025-05-06 12:44
【總結(jié)】§19-3半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)本征半導(dǎo)體是指純凈的半導(dǎo)體.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能在導(dǎo)體與絕緣體之間.電子導(dǎo)電:導(dǎo)帶中的電子在外磁場(chǎng)中的定向運(yùn)動(dòng).空穴導(dǎo)電:滿帶中存在空穴的情況下,電子在滿帶內(nèi)的遷移,相當(dāng)于空穴沿相反方向運(yùn)動(dòng).空穴相當(dāng)于帶正電的粒子.滿帶上的一個(gè)電子躍遷到導(dǎo)帶后,滿帶中出
2024-10-09 15:01
【總結(jié)】中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展畢克允中國(guó)電子科學(xué)研究院一、引言二、產(chǎn)業(yè)發(fā)展三、市場(chǎng)需求四、科研開(kāi)發(fā)五、展望未來(lái)六、結(jié)束語(yǔ)主要內(nèi)容摘要摘要主要介紹2021年度中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)中的設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試、材料與工藝設(shè)備(支撐業(yè))的產(chǎn)業(yè)發(fā)展、市場(chǎng)走勢(shì)、
2025-05-13 07:01
【總結(jié)】考試時(shí)間:18周周五上午10:00(1月4日第二大節(jié))考試地點(diǎn):望江基C2022022級(jí)半導(dǎo)體物理總結(jié)第l章半導(dǎo)體(晶體)中的電子狀態(tài)問(wèn)題的提出:半導(dǎo)體獨(dú)特的物理性質(zhì)半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)及其運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)二者之間關(guān)系與結(jié)構(gòu)的關(guān)系本章介紹重點(diǎn)半導(dǎo)體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律
2025-01-14 10:18
【總結(jié)】學(xué)會(huì)用工程觀點(diǎn)分析問(wèn)題,就是根據(jù)實(shí)際情況,對(duì)器件的數(shù)學(xué)模型和電路的工作條件進(jìn)行合理的近似,以便用簡(jiǎn)便的分析方法獲得具有實(shí)際意義的結(jié)果。對(duì)電路進(jìn)行分析計(jì)算時(shí),只要能滿足技術(shù)指標(biāo),就不要過(guò)分追究精確的數(shù)值。器件是非線性的、特性有分散性、RC的值有誤差、工程上允許一定的誤差、采用合理估算的方法。對(duì)于元器件,重點(diǎn)放在特性
【總結(jié)】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)晶體三極管場(chǎng)效應(yīng)管單結(jié)晶體管和晶閘管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦运?、PN結(jié)的電容效應(yīng)一、本征半導(dǎo)體根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體-鐵、鋁、銅等金屬元素
2025-08-04 09:14
【總結(jié)】主講人:申鳳娟21半導(dǎo)體器件2基本放大電路及其分析設(shè)計(jì)方法6模擬電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展3放大電路的頻率響應(yīng)與負(fù)反饋技術(shù)4通用集成運(yùn)放及其應(yīng)用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內(nèi)容大綱C3第一章4第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
2025-01-21 18:23
【總結(jié)】半導(dǎo)體照明照明領(lǐng)域的又一次革命一、人類照明的歷史火—人類的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛(ài)迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料的分代1.以硅Si為代表的
2025-01-04 00:43
【總結(jié)】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長(zhǎng)技術(shù)?體單晶生長(zhǎng)技術(shù)單晶生長(zhǎng)通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長(zhǎng)可以獲得電子級(jí)(%)的單晶硅?外延生長(zhǎng)技術(shù)外延指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長(zhǎng)問(wèn)
2024-12-08 07:59