[工學(xué)]ch3半導(dǎo)體光電探測器-資料下載頁
2025-10-09 23:34本頁面
【正文】 ,ex p。:,ex p???????????? ??????????????????????????????????勢壘區(qū)壓降總電流；位移電流勢壘區(qū)傳導(dǎo)電流那么。勢壘區(qū)載流子速度飽和調(diào)制幅度光子通量密度設(shè)i n tje ?? ??i? ?? ?? ? ???????????????????? ???2e xpe xp1，振幅降至可見短路時???????????t o tt o tJjjjqJ? ? ? ?? ? ? ? ? ????? ???? jj jqVCjdxxJxJWJ DW DCt o t e x pe x p11 0 ????????? ?????? ???????? ? WfVW Cto tJS????????????????WfWWCt o tJ??? 1即p 反射層 n i + 同質(zhì) pn結(jié)光電二極管 異質(zhì) pn結(jié)光電二極管 金 半結(jié)光電二極管 pin結(jié)光電二極管 缺點(diǎn)：光生載流子不能放大 1?m a x?雪崩光電二極管； 雙極型光電晶體管； 單極型光電晶體管。 解決方案？？ 五、雪崩光電二極管 (APD) a. 器件偏置于臨界雪崩狀態(tài)； b. 光生載流子渡越空間電荷區(qū)雪崩倍增。 輸出載流子獲得增益。 空穴速度電子速度；空穴電離率；電子電離率；空穴濃度；電子濃度；碰撞電離產(chǎn)生率::::::pnpnppnnpnpng???????? ?????? p+ + p n+ n+ n+ p+ + p n+ n+ n+ ?p+ p n+ ?n+ + n n+ n+ + 金 半結(jié) Mph 雪崩倍增輸出光電流與雪崩倍增前光電流比。 。型型：型型：類型。結(jié)材料和低摻雜側(cè)導(dǎo)電取決于倍增后暗電流。倍增后總電流；倍增后光電流；倍增前暗電流；倍增前總電流；倍增前光電流；6p,3nGe。2p,4nSipn110000?????????????????? ???????nIIIIIIVIRVIIIIIIMMDpDpnBRDMDppph一般取 100左右 VR R ? ?? ? ? ?? ?iLeqLibpSoptpRRRRRRfkTiMMMFMMfMFMIIIqihMPqi//,422%100L2T2222202???????????????應(yīng)改為則輸入阻抗為如有后續(xù)放大電路，且熱噪聲令倍增因子平均值的平方倍增因子均方值均方值倍增后的散粒噪聲電流調(diào)制電流倍增后的均方根調(diào)制光?????? ? ? ?2L024221MRfkTfMFIIIqhPqNSbpo p t?????????????????????故，信噪比 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?.,orG a A sG a A sGeGeSiSi信噪比大噪聲小時pnpnpnpnpn?????????????????雪崩增益可降低噪聲，所以噪聲優(yōu)于其它器件 ? ? ? ?? ?? ? ? ?nppnbpo p torKKMKMMMMFMFMNSMRfkTfMFIIIqhPqNS?????????????????????????????????????????11242212222L02信噪比ɑp ɑn ɑn ɑp 167。 34 CCD攝像器件 電荷耦合器件 Charge Coupled Devices CCD 在 MIS加周期性電壓時，空間電荷層內(nèi)的少子產(chǎn)生速率趕不上電壓的變化，反型層來不及建立，只有靠耗盡層延伸向半導(dǎo)體內(nèi)深處而產(chǎn)生大量離化電荷滿足電中性條件。這種情況耗盡層寬度可遠(yuǎn)大于強(qiáng)反型時的最大耗盡層寬度，且其寬度隨電壓 VG幅度的增大而增大，這種狀態(tài)稱為深耗盡狀態(tài)。 一般情況下，熱弛豫時間 τ th為 100102s。 深耗盡狀態(tài) 熱弛豫時間 τ th 設(shè)初始的深耗盡層寬度為 xd0，耗盡層內(nèi)少數(shù)載流子凈產(chǎn)生率為 G。且 dmd xx ??0則 ? ?000 dAdmdAdth xNxxNxG ????又 ?2/inG ?iAth nN?? 2? 一般情況下，熱弛豫時間 τ th為 100102s。 由此可見，反型層的建立并不是一個很快的過程。 CCD基本功能 處理線陣列或面陣列光信號、電信號 基本過程 線陣或面陣 光信號 線陣或面陣 電信號 轉(zhuǎn)換成信號電荷 信號電荷傳輸 信號電荷儲存 電荷信號輸出 相應(yīng)線陣或面陣信號 CCD器件工作原理 基本結(jié)構(gòu) 一定規(guī)則排列的 MOS結(jié)構(gòu)陣列，包含： ； 2. 電荷轉(zhuǎn)移部分； n+ P 型襯底 n+ 柵介質(zhì) (SiO2) 金屬或 PolySi 輸出端 輸出柵 輸入端 輸入柵 Φ1 Φ2 Φ
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