1第一章半導體中的電子狀態(tài)-資料下載頁
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【正文】 有效質(zhì)量 空穴 本征半導體的導電機構(gòu) 空穴 空穴 本征半導體的導電機構(gòu) 空穴 空穴 本征半導體的導電機構(gòu) 空穴 空穴 f=m n*a=q E 考慮 導帶底 的電子 然而 價帶頂 電子的有效 質(zhì)量 m n*是負值，所以有 a=q E/｜ m n* ｜ = q E/｜ m n* ｜ = q E/ m p* 再考慮 價帶頂 的電子 f=m n*a=q E f= ｜ m n* ｜ a=q E a=q E/ m n* 空穴的有效 質(zhì)量 空穴不僅帶有正電荷，而且還具有正的有效質(zhì)量 本征半導體的導電機構(gòu) 空穴 本征半導體的導電機構(gòu) 思考題 有兩種晶體其能量與波矢的關(guān)系如圖所示，試問，哪一種晶體電子的有效質(zhì)量大一些？為什么？ 有效質(zhì)量對能帶的寬度有什么影響？有人說：“有效質(zhì)量越大，態(tài)密度也越大，因而能帶越窄?！笔欠袢绱耍繛槭裁?？ 從能帶底到能帶頂，晶體中電子的有效質(zhì)量將如何變化？外場對電子的作用效果有什么不同？ 以硅的本征激發(fā)為例，說明半導體能帶圖的物理意義及其與硅晶體結(jié)構(gòu)的聯(lián)系？為什么電子從其價鍵上掙脫出來所需的最小能量就是半導體的禁帶寬度？ E K 第一章 半導體中電子狀態(tài) 有效質(zhì)量 空穴 回旋共振 回旋共振 回旋共振 回旋共振 回旋共振 回旋共振 回旋共振 回旋共振 回旋共振 回旋共振 回旋共振 回旋共振 第一章 半導體中電子狀態(tài) 有效質(zhì)量 空穴 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 硅的導帶結(jié)構(gòu) 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 硅的導帶結(jié)構(gòu) 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 硅的導帶結(jié)構(gòu) 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 硅的價帶結(jié)構(gòu) ?價帶頂位于 k=0，即在布里淵區(qū)中心。 ?價帶頂在 k=0處二度簡并，即同一個 k對應兩個E(k)，在 k=0處，能量相重合，這對應于極大值相重合的兩個能帶，表明硅有兩種有效質(zhì)量不同的空穴。有效質(zhì)量較大的空穴，稱為 重空穴 ，有效質(zhì)量較小的空穴，稱為 輕空穴 。 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 硅的能帶結(jié)構(gòu) 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 鍺的能帶結(jié)構(gòu) 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 能帶與溫度的關(guān)系 作 業(yè) 課后習題： 1,2 補充習題： 原子中的電子和晶體中電子受勢場作用情況以及運動情況有何不同？原子中內(nèi)層電子和外層電子參與共有化運動有何不同？ 晶體體積的大小對能級和能帶有什么影響？ 如何理解“回旋共振有效質(zhì)量 不僅通過 , 和而與能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)，而且還與磁場和等能面主軸之間的相對方位有關(guān)”。 *xm *ym*zm*m
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