1第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)-全文預(yù)覽
【正文】 準(zhǔn)連續(xù) 電子的共有化運(yùn)動(dòng) 電子的共有化運(yùn)動(dòng)形成能帶。我們將以原子結(jié)合成晶體的過(guò)程定性地說(shuō)明半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)。 閃鋅礦結(jié)構(gòu)和混合鍵 同時(shí)具有共價(jià)鍵和離子鍵特征 化合物半導(dǎo)體，砷化鎵 Eg= 釬鋅礦結(jié)構(gòu) 化合物半導(dǎo)體， Eg=(ZnS) 釬鋅礦結(jié)構(gòu)（ ZnS,SiC） ?KEgniermnEcvs a tk d i r e c t o rM a t e r i a l ( e V ) ( c m3) ( c m2/ V s e c ) M V / c m ( 1 07 m / s e c ) ( W / c m K ) i n d i r e c tSi 1 . 1 1 . 5 x 1 0101 1 . 8 1350 0 . 3 1 . 0 1 . 5 i n d i r e c tG a A s 1 . 4 1 . 8 x 1 061 2 . 8 8500 0 . 4 2 . 0 0 . 5 d i r e c tI n N 1 . 8 6 ~ 1 039 . 6 3000 1 . 0 2 . 5 d i r e c tG a N 3 . 3 9 1 . 9 x 1 0 1 09 . 0 900 3 . 3 2 . 5 1 . 3 d i r e c tA l N 6 . 1 ~ 1 0 3 18 . 7 1100 1 1 . 7 1 . 8 2 . 5 d i r e c t3 C S i C 2 . 2 6 . 9 9 . 6 900 1 . 2 2 . 0 4 . 5 i n d i r e c t4 H S i C 3 . 2 6 8 . 2 x 1 09107 2 0 ( a a x i s )6 5 0 ( c a x i s ) 2 . 0 2 . 0 4 . 5 i n d i r e c t6 H S i C 3 . 0 2 . 3 x 1 069 . 73 7 0 ( a a x i s )5 0 ( c a x i s ) 2 . 4 2 . 0 4 . 5 i n d i r e c t第一章 半導(dǎo)體中電子狀態(tài) 有效質(zhì)量 空穴 制造半導(dǎo)體器件所用的材料大多是 單晶體 。 本征硅共價(jià)鍵示意圖 共價(jià)鍵的形成及性質(zhì) ? 飽和性： 指每個(gè)原子與周圍原子之間的共價(jià)鍵數(shù)目有一定的限制。 ? 難 點(diǎn)： 晶體中能量與波矢的關(guān)系，假想粒子－“空穴”。該勢(shì)場(chǎng)是具有與晶格同周期的周期性勢(shì)場(chǎng)。 ?半導(dǎo)體 單晶 材料由大量原子 周期性 重復(fù)排列而成，而每個(gè)原子又包含原子核和許多電子。所以，為了 研究 和 利用 半導(dǎo)體的這些物理性質(zhì)，本章簡(jiǎn)要介紹半導(dǎo)體單晶材料中電子狀態(tài)和運(yùn)動(dòng)規(guī)律。 ?單電子近似 即假設(shè) 每個(gè)電子 是在 周期性 排列且 固定不動(dòng) 的原子核 勢(shì)場(chǎng)及 其他電子 的 平均勢(shì)場(chǎng) 中運(yùn)動(dòng)。 ? 重 點(diǎn)：
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