1第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)-閱讀頁
2024-08-23 18:02本頁面
【正文】 層電子參與共有化運(yùn)動有何不同？ 晶體體積的大小對能級和能帶有什么影響？ 在 N個原子組成的晶體中，若由原來的一個原子能級分裂的能級數(shù)大于 N或小于 N，是否與泡里不相容原理矛盾？ 一般來說，對應(yīng)于高能級的能帶較寬，而禁帶較窄，是否如此？為什么？ 第一章 半導(dǎo)體中電子狀態(tài) 有效質(zhì)量 空穴 有效質(zhì)量 半導(dǎo)體中 E(k)k關(guān)系 有效質(zhì)量 半導(dǎo)體中 E(k)k關(guān)系 2202kEm?（自由電子） 有效質(zhì)量 半導(dǎo)體中 E(k)k關(guān)系 有效質(zhì)量 半導(dǎo)體中電子的平均速度 0kvm?自由電子 有效質(zhì)量 半導(dǎo)體中電子的加速度 有效質(zhì)量 半導(dǎo)體中電子的加速度 有效質(zhì)量 有效質(zhì)量的意義 它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用，是在解決半導(dǎo)體中電子在外力作用下的運(yùn)動規(guī)律時，可以不涉及到半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用。 當(dāng)半導(dǎo)體上存在外加電場的時候，需要考慮電子同時在 周期性勢場 中和 外電場中 的運(yùn)動規(guī)律 有效質(zhì)量 第一章 半導(dǎo)體中電子狀態(tài) 有效質(zhì)量 空穴 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 空穴 空穴 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 空穴 空穴 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 空穴 空穴 f=m n*a=q E 考慮 導(dǎo)帶底 的電子 然而 價帶頂 電子的有效 質(zhì)量 m n*是負(fù)值，所以有 a=q E/｜ m n* ｜ = q E/｜ m n* ｜ = q E/ m p* 再考慮 價帶頂 的電子 f=m n*a=q E f= ｜ m n* ｜ a=q E a=q E/ m n* 空穴的有效 質(zhì)量 空穴不僅帶有正電荷，而且還具有正的有效質(zhì)量 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 空穴 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 思考題 有兩種晶體其能量與波矢的關(guān)系如圖所示，試問，哪一種晶體電子的有效質(zhì)量大一些？為什么？ 有效質(zhì)量對能帶的寬度有什么影響？有人說：“有效質(zhì)量越大，態(tài)密度也越大，因而能帶越窄。 ?價帶頂在 k=0處二度簡并，即同一個 k對應(yīng)兩個E(k)，在 k=0處，能量相重合，這對應(yīng)于極大值相重合的兩個能帶，表明硅有兩種有效質(zhì)量不同的空穴。 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 硅的能帶結(jié)構(gòu) 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 鍺的能帶結(jié)構(gòu) 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu) 能帶與溫度的關(guān)系 作 業(yè) 課后習(xí)題： 1,2 補(bǔ)充習(xí)題： 原子中的電子和晶體中電子受勢場作用情況以及運(yùn)動情況有何不同？原子中內(nèi)層電子和外層電子參與共有化運(yùn)動有何不同？ 晶體體積的大小對能級和能帶有什么影響？ 如何理解“回旋共振有效質(zhì)量 不僅通過 , 和而與能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)，而且還與磁場和等能面主軸之間的相對方位有關(guān)”
研究報告相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1