半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題(存儲版)
【正文】 使得半導(dǎo)體表面出現(xiàn)多子積累時，這就是表面積累，其能帶圖和電荷分布如圖所示：（2） 表面耗盡：當金屬表面所加的電壓使得半導(dǎo)體表面載流子濃度幾乎為零時，這就是表面耗盡，其能帶圖和電荷分布如圖所示：（3）當金屬表面所加的電壓使得半導(dǎo)體表面的少子濃度比多子濃度多時，這就是表面反型，其能帶圖和電荷分布如圖所示：7解：理想MIS結(jié)構(gòu)的高頻、低頻電容電壓特性曲線如圖所示；其中AB段對應(yīng)表面積累，C到D段為表面耗盡，GH和EF對應(yīng)表面反型。如圖： A. 1 B. 1/2 C. 1/3 D. 1/49. 最有效的復(fù)合中心能級位置在（）附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是（）的陷阱 A. Ea B. Ed C. E D. Ei E. 少子 F. 多子10. 載流子的擴散運動產(chǎn)生（）電流，漂移運動長生（）電流。A、復(fù)合中心 B、本征 C、陷阱 E、受主 F、空穴 G、施主 H、電子 I、非本征2. 電子是帶（ ）電的（ ）；空穴是帶（ ）電的（ ）粒子。（1）求出本征載流子濃度ni和本征費米能級Ei表達式。A、1017cm3 B、1010cm3 C、103cm3 D、p型半導(dǎo)體 E、n型半導(dǎo)體 F、本征半導(dǎo)體9. 對電子而言，其擴散電流的方向與電子擴散方向（ ），其漂移電流的方向與所加外電場的方向（ ）。8. 穩(wěn)定光照下，半導(dǎo)體中的電子和空穴濃度維持不變，半導(dǎo)體處于平衡狀態(tài)下嗎？為什么？9. 愛因斯坦關(guān)系是什么樣的關(guān)系？有何物理意義？10. 怎樣才能使得n型硅與金屬鋁接觸才能分別實現(xiàn)歐姆接觸和整流接觸？1. 答案：（A）2. 答案：（B），（D），（G），（F），（F），（I）3. 答案：（B），（A），（A，B）4. 答案：（B，A），（B，C），（C）5. 答案：（D）6. 答案：（C,D），（A,B）7. 答案：（A）8. 答案：（C）：（C），（E）10. 答案：（C），（A）11. 答案：（B），（C）《半導(dǎo)體物理》重點難點 第一章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài) Si和GaAs的晶體結(jié)構(gòu) Ge、Si和GaAs的能帶結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體及其導(dǎo)電機構(gòu)、空穴 第二章 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷 l、本征激發(fā)與本征半導(dǎo)體的特征 雜質(zhì)半導(dǎo)體與雜質(zhì)電離 第三章 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布 熱平衡態(tài)時非簡并半導(dǎo)體中載流子的濃度分布 費米能級EF的相對位置。 A. 雜質(zhì)濃度 B. 雜質(zhì)類型 C. 禁帶寬度 D. 溫度7. 表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）。如圖恢復(fù)平帶在金屬上所加的電壓就是（2）界面電荷。第六篇 半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)題解1. 在由n型半導(dǎo)體組成的MIS結(jié)構(gòu)上加電壓Vg，分析其表面空間電荷層狀態(tài)隨VG變化的情況，并解釋其C－V曲線。5證明：對于非簡并的非均勻半導(dǎo)體由于 則同時 利用非簡并半導(dǎo)體的愛因斯坦關(guān)系，所以得證。5間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？答：間接復(fù)合效應(yīng)是指非平衡載流子通過位于禁帶中特別是位于禁帶中央的雜質(zhì)或缺陷能級Et而逐漸消失的效應(yīng)，Et的存在可能大大促進載流子的復(fù)合；陷阱效應(yīng)是指非平衡載流子落入位于禁帶中的雜質(zhì)或缺陷能級Et中，使在Et上的電子或空穴的填充情況比熱平衡時有較大的變化，從引起Δn≠Δp，這種效應(yīng)對瞬態(tài)過程的影響很重要。5證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項的物理意義。5漂移運動與擴散運動之間有什么聯(lián)系？非簡并半導(dǎo)體的遷移率與擴散系數(shù)之間有什么聯(lián)系？5解：漂移運動與擴散運動之間通過遷移率與擴散系數(shù)相聯(lián)系。4109kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求出此材料的電導(dǎo)率。（3） 4何謂遷移率？影響遷移率的主要因素有哪些？ 4解：遷移率是單位電場強度下載流子所獲得的漂移速率。31016cm3，試計算300K時的電子濃度和空穴濃度各為多少？解：在300K時，因為ND10ni，因此雜質(zhì)全電離n0=ND≈1016cm3答： 103cm3。31016cm3，試分別求出其中的空穴的濃度和費米能級的相對位置，并判斷樣品的導(dǎo)電類型。即EFnEFi。如ⅢⅤ族GaAs中摻Ⅳ族Si。這個過程就是受主電離。施主電離前不帶電，電離后帶正電。求：（1）能帶寬度；（2）能帶底和能帶頂?shù)挠行з|(zhì)量。解：空穴是未被電子占據(jù)的空量子態(tài)，被用來描述半滿帶中的大量電子的集體運動狀態(tài)，是準粒子。其結(jié)果
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