半導(dǎo)體習(xí)題和解答(存儲版)
【正文】 （3）當金屬表面所加的電壓使得半導(dǎo)體表面的少子濃度比多子濃度多時，這就是表面反型，其能帶圖和電荷分布如圖所示：7解：理想MIS結(jié)構(gòu)的高頻、低頻電容電壓特性曲線如圖所示；其中AB段對應(yīng)表面積累，C到D段為表面耗盡，GH和EF對應(yīng)表面反型。如圖： A. 1 B. 1/2 C. 1/3 D. 1/49. 最有效的復(fù)合中心能級位置在（）附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是（）的陷阱 A. Ea B. Ed C. E D. Ei E. 少子 F. 多子10. 載流子的擴散運動產(chǎn)生（）電流，漂移運動長生（）電流。8. 穩(wěn)定光照下，半導(dǎo)體中的電子和空穴濃度維持不變，半導(dǎo)體處于平衡狀態(tài)下嗎？為什么？9. 愛因斯坦關(guān)系是什么樣的關(guān)系？有何物理意義？10. 怎樣才能使得n型硅與金屬鋁接觸才能分別實現(xiàn)歐姆接觸和整流接觸？1. 答案：（A）2. 答案：（B），（D），（G），（F），（F），（I）3. 答案：（B），（A），（A，B）4. 答案：（B，A），（B，C），（C）5. 答案：（D）6. 答案：（C,D），（A,B）7. 答案：（A）8. 答案：（C）：（C），（E）10. 答案：（C），（A）11. 答案：（B），（C）《半導(dǎo)體物理》重點難點 第一章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài) Si和GaAs的晶體結(jié)構(gòu) Ge、Si和GaAs的能帶結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體及其導(dǎo)電機構(gòu)、空穴 本征半導(dǎo)體及其導(dǎo)電機構(gòu)、空穴 第二章 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷 l、本征激發(fā)與本征半導(dǎo)體的特征 雜質(zhì)半導(dǎo)體與雜質(zhì)電離 第三章 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布 熱平衡態(tài)時非簡并半導(dǎo)體中載流子的濃度分布 費米能級EF的相對位置。 A. 雜質(zhì)濃度 B. 雜質(zhì)類型 C. 禁帶寬度 D. 溫度7. 表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）。如圖恢復(fù)平帶在金屬上所加的電壓就是（2）界面電荷。加上正、反向電壓時的能帶圖如下圖所示： 第六篇 半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)題解 1. 解釋什么是表面積累、表面耗盡和表面反型？2. 在由n型半導(dǎo)體組成的MIS結(jié)構(gòu)上加電壓VG，分析其表面空間電荷層狀態(tài)隨VG變化的情況，并解釋其C－V曲線。隧道穿透的幾率與電子的能量和勢壘厚度有關(guān)。影響功函數(shù)的因素是摻雜濃度、溫度和半導(dǎo)體的電子親和勢。所以 本征半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命最長。 得證。 平均自由時間是載流子連續(xù)兩次散射平均所需的自由時間，非平衡載流子的壽命是指非平衡載流子的平均生存時間。在非平衡狀態(tài)下，額外的產(chǎn)生、復(fù)合效應(yīng)會在宏觀現(xiàn)象中體現(xiàn)出來。試計算光照前后樣品的電導(dǎo)率。這時本征激發(fā)越來越多，雖然遷移率隨溫度升高而降低，但是本征載流子增加很快，其影響大大超過了遷移率降低對電阻率的影響，導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而降低。（2） （2）（，）題解：4解：對于重摻雜半導(dǎo)體，在低溫時，雜質(zhì)散射起主體作用，而晶格振動散射與一般摻雜半導(dǎo)體的相比較，影響并不大，所以這時侯隨著溫度的升高，重摻雜半導(dǎo)體的遷移率反而增加；溫度繼續(xù)增加后，晶格振動散射起主導(dǎo)作用，導(dǎo)致遷移率下降。由公式可知，這時兩式中的指數(shù)項將因此而增加，從而導(dǎo)致載流子濃度增加。1016cm3的受主雜質(zhì)，這兩塊樣品的導(dǎo)電類型又將怎樣？31017cm3的Si材料，試求溫度分別為300K和400K時此材料的載流子濃度和費米能級的相對位置。2解：深能級雜質(zhì)在半導(dǎo)體中起復(fù)合中心或陷阱的作用。╳1016cm3 后，╳1016cm3，╳104cm3。n型半導(dǎo)體的能帶圖如圖所示：其費米能級位于禁帶上方2解：半導(dǎo)體中摻入受主雜質(zhì)后，受主電離后將成為帶負電的離子，并同時向價帶提供空穴，這種雜質(zhì)就叫受主。2摻雜半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體之間有何差異？試舉例說明摻雜對半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能的影響。 Ge、Si: a）Eg (Si：0K) = ；Eg (Ge：0K) = ； b）間接能隙結(jié)構(gòu)c）禁帶寬度Eg隨溫度增加而減??； （2）如果溫度升高，則禁帶寬度變窄，躍遷所需的能量變小，將會有更多的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中。第一篇 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題 1 什么叫本征激發(fā)？溫度越高，本征激發(fā)的載流子越多，為什么？試定性說明之。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成對的電子空穴對。1 解：（1） 2什么叫受主？什么叫受主電離？受主電離前后有何特征？試舉例說明之
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