半導(dǎo)體物理究極版(存儲版)
【正文】 勢壘寬度變窄，由隧道效應(yīng)，使大量電子從p區(qū)的價帶穿過禁帶而進(jìn)入到n區(qū)導(dǎo)帶所引起的一種擊穿現(xiàn)象。隧道結(jié)的電流電壓特性: 隧道結(jié)熱平衡時的能帶圖 隧道結(jié)電流電壓特性的定性解釋在隧道結(jié)中，正向電流由擴(kuò)散電流和隧道電流組成，擴(kuò)散電流隨隨正向電壓的增加而指數(shù)增加。167。 pn結(jié)擊穿不同類型半導(dǎo)體的擊穿機(jī)理分析。167。 pn結(jié)的電流電壓特性非平衡狀態(tài)下的pn結(jié)非平衡狀態(tài)下pn結(jié)的能帶圖理想pn結(jié)模型及其電流電壓方程式 l 理想pn結(jié)模型（重點(diǎn)）①小注入條件：注入的少數(shù)載流子濃度比平衡載流子濃度小得多；②突變耗盡層層條件：電荷突變、結(jié)中載流子耗盡(高阻)、電壓全部降落在耗盡層上、耗盡層外載流子純擴(kuò)散運(yùn)動；3) 不考慮耗盡層中載流子的產(chǎn)生與復(fù)合作用；4) 玻耳茲曼邊界條件：在耗盡層兩端，載流子分布滿足玻耳茲曼統(tǒng)計(jì)分布?？昭ǖ臄U(kuò)散電流（重點(diǎn)）。陷阱中心的存在，對非平衡載流子的壽命有很大影響，進(jìn)而影響壽命的測量。俄歇復(fù)合概念：載流子從高能級向低能級躍遷，發(fā)生電子空穴復(fù)合時，把多余的能量傳給另一個載流子，使這個載流子被激發(fā)到更高的能級上去，當(dāng)它重新躍遷回低能級時，多余的能量常以聲子形式放出，這種復(fù)合被稱為俄歇復(fù)合。3）反映了半導(dǎo)體偏離熱平衡態(tài)的程度。復(fù)合幾率：表示單位時間內(nèi)非平衡載流子的復(fù)合幾率，；復(fù)合率：單位時間、單位體積內(nèi)凈復(fù)合消失的電子空穴對數(shù)。 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系（重點(diǎn)）各種半導(dǎo)體的電阻率公式：；（摻雜、溫度及光照均有影響）n型半導(dǎo)體，p型半導(dǎo)體，本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的電阻率與帶隙寬度關(guān)系：材料的帶隙寬度越大，同一溫度下的本征載流子濃度就越低，本征半導(dǎo)體的電阻率就越高。. 簡并半導(dǎo)體重?fù)诫s及簡并半導(dǎo)體概念：重?fù)诫s，雜質(zhì)摻雜水平很高；簡并半導(dǎo)體，發(fā)生載流子簡并化的半導(dǎo)體。 費(fèi)米能級和載流子的濃度統(tǒng)計(jì)分布費(fèi)米分布函數(shù)：；費(fèi)米能級的意義：它和溫度、半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、雜質(zhì)的含量以及能量零點(diǎn)的選取有關(guān)。 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級施主雜質(zhì)：V族雜質(zhì)在硅、鍺中電離時，能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心，稱它們?yōu)槭┲麟s質(zhì)或n型雜質(zhì)。 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶電子共有化運(yùn)動概念：原子組成晶體后，由于電子殼層的交疊，電子不再完全局限在某一個原子上，可以由一個原子轉(zhuǎn)移到相鄰的原子上去，因而，電子將可以在整個晶體中運(yùn)動，這種運(yùn)動稱為電子的共有化運(yùn)動。 半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動 有效質(zhì)量導(dǎo)帶底和價帶頂附近的E(k)~k關(guān)系：；半導(dǎo)體中電子的平均速度：；有效質(zhì)量的公式：?？昭⊕昝撌苤麟s質(zhì)束縛的過程稱為受主電離。費(fèi)米能級位置較高，說明有較多的能量較高的量子態(tài)上有電子。第四章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性167。第五章 非平衡載流子167。反之也可以說，n和p越大，EFn和EFp偏離EF越遠(yuǎn)。167。最有效陷阱的特點(diǎn)（重點(diǎn)）(1) 典型的陷阱對電子和空穴的俘獲系數(shù)rn和rp必須有很大差別。再用脈沖光照射半導(dǎo)體，這時，產(chǎn)生的Δn和Δp中，Δn中的
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