半導(dǎo)體物理器ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 2 帶尾對(duì)帶 ?帶復(fù)合的影響；（ a） 型 ， （ b） 型 （ a） （ b） nn p r e cIrI I I???gE gE?hghE? ? ghE? ?發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 (c)選用電子遷移率比空穴遷移率大的材料。同時(shí)，在討論注射效率時(shí)已經(jīng)指出， P側(cè)的高摻雜會(huì)使注射效率下降。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 發(fā)生輻射復(fù)合的電子數(shù)與總的注入電子數(shù)比： nrrrr UU U???rrnU???nrnrnU??? （ 818） （ 817） （ 816） rnrrr ????? ??? 11 （ 819） 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 三種可能的復(fù)合過程 圖 813三種可能的復(fù)合過程 淺施主能級(jí) 淺受主能級(jí) 深復(fù)合中心 cEtEtEvEdEaE1R2R3R發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 atnr rNNC?? ??1以 和 為競爭機(jī)制 ： 2R3R123 e x p1??????? ?????? ????KTEEnCNPCN atnaptr?（ 822） 帶 — 帶復(fù)合過程和非輻射復(fù)合過程相競爭： 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 根據(jù)（ 821）式，欲提高 ，可采用的方法是 r?和增加 P區(qū)的摻雜濃度，而且較高的 還有降低串聯(lián)電阻從而減小正向電壓降和歐姆損耗的作用。量子效率又有內(nèi)量子效率和外量子效率兩個(gè)概念 : ? 外量子效率：單位時(shí)間內(nèi)輸出二極管外的光子數(shù)目與注入的載流子數(shù)目之比。雖然對(duì)這些表面態(tài)的均勻分布沒有確定的論據(jù)，當(dāng)假定是均勻分布時(shí)，表面態(tài)的分布為 ，與實(shí)驗(yàn)的估計(jì)良好地一致。 如果等電子雜質(zhì)的電負(fù)性比晶格原子的電負(fù)性大 ， 則可以形成電子的束縛態(tài) ， 這樣的等電子陷阱也可稱為等電子的電子陷阱 ， 這樣的雜質(zhì)稱為等電子受主 (如氮原子取代中
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