半導體器件bwuppt課件(存儲版)
【正文】 : IB=0, IC=ICEO, UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。 _ _ _???BCII? ???????BCII?在以后的計算中，一般作近似處理： ? = ?上 頁 返 回 147 場效應(yīng)管與雙極型晶體管不同，它是多子導電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。 I U 照度增加 一、光敏二極管 上 頁 返 回 181 光敏二極管的主要參數(shù)有： 1. 暗電流 無光照時的反向飽和電流 3. 靈敏度 給定波長單位光功率產(chǎn)生的光電流 2. 光電流 額定照度下的反向電流 4. 峰值波長 使光敏二極管具有最高響應(yīng)靈敏度的光波長 5. 響應(yīng)時間 光電流達到穩(wěn)定值的 63%所需要的時間 上 頁 返 回 182 將光敏二極管和晶體管組合即成光敏晶體管。 167。 共射 直流電流放大倍數(shù) ： BCII?___?工作于動態(tài)的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。 當 UCE大于一定的數(shù)值時， IC只與 IB有關(guān)，IC=?IB。 例 uo iZ DZ R iL i ui RL 5 m A 2 0 m A , V,10m i nm a x???zzzWIIU穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù) : 負載電阻 。 +5V F R A B DA DB 解： 當 A、 B端的電位為 0V、 3V時，二極管設(shè) DA導通、 DB反偏截止；忽略正向壓降，輸出端 F的電位 VF為 0V。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 空間電荷區(qū)， 也稱耗盡層。 P 型半導體： 空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導體，也稱為（空穴半導體）。 上 頁 返 回 16 本征半導體 上 頁 返 回 17 2. 本征半導體的導電機理 本征半導體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子 和 空穴 。 光電器件 上 頁 返 回 14 導體、半導體和絕緣體 導體： 自然界中很容易導電的物質(zhì)稱為 導體 ，金屬一般都是導體。 半導體的基本知識與 PN結(jié) 167。 167。 本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。自由電子稱為 多數(shù)載流子 （ 多子 ），空穴稱為 少數(shù)載流子 （ 少子 ）。 PN 結(jié) 加上反向電壓 、 反向偏置 的意思都是： P區(qū)加負、 N 區(qū)加正電壓。 上 頁 返 回 122 基本結(jié)構(gòu) PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導體二極管。 + UZ 動態(tài)電阻： ZZIUZr ???rz越小，穩(wěn)壓性能越好。 mA25m a x ???LZWz RUIi102521 ???? RUiRu. zWi—— 方程 1 上 頁 返 回 129 令輸入電壓降到下限時，流過穩(wěn)壓管的電流為 Izmin 。 上 頁 返 回 141 輸出特性三個區(qū)域的特點 : (1)放大區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET 絕緣柵型場效應(yīng)管 MOS 場效應(yīng)管有兩種 : 167。其靈敏度較光敏二極管提高了 β 倍 。 iD=f(uGS)| uDS=常數(shù) IDSS UGS(off) 2)(1 ??????????o f fGSGSD S SD UUII漏極飽和漏電流 IDSS 夾斷電壓 UGS(off) 上 頁 返 回 173 五 絕緣柵場效應(yīng)管類型 一、 N溝道增強型 P型基底 兩個 N區(qū) SiO2絕緣層 導電溝道 金屬鋁 G S D N溝道增強型 P N N G S D Ssource Ggate Ddrain 上 頁 返 回 174 N 溝道耗盡型 P N N G S D 預(yù)埋了導電溝道 G S D 上 頁 返 回 175 N P P G S D G S D P 溝道增強型 上 頁 返 回 176 P 溝道耗盡型 N
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