【正文】 且飽和區(qū)： iC明顯受 vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般 vCE＜ (硅管 )。 溫度每升高 10?C， ICBO 約增大 1 倍。 圖 (2) 集電極發(fā)射極間的反向飽和電流 ICEO ICEO=（ 1+ ） ICBO ?圖 (1)集電極最大允許電流 ICM (2)集電極最大允許功率損耗 PCM PCM= ICVCE 3. 極限參數(shù) 由 PCM、 ICM和 V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)。 )1e(DSD ?? TUuIi)1e( ,0DSDD ???TUuIiu0 ,0 SD ???? IIuiD O uD U (BR) I F URM 2. 主要參數(shù) 正向 — 最大平均電流 IF 反向 — 最大反向工作電壓 U(BR)(超過則擊穿 ) 反向飽和電流 IR (IS)(受溫度影響 ) IS 3. 二極管的等效模型 理想模型 (大信號狀態(tài)采用 ) uD iD 正偏導通 電壓降為零 相當于理想開關(guān)閉合 反偏截止 電流為零 相當于理想開關(guān)斷開 恒壓降模型 UD(on) 正偏電壓 ? UD(on) 時導通 等效為恒壓源 UD(on) 否則截止，相當于二極管支路斷開 UD(on) ≈ V 硅管： 鍺管： 折線近似模型 相當于有內(nèi)阻的恒壓源 UD(on) 4. 二極管的主要分析方法 圖解法 微變等效電路法 5. 特殊二極管 工作條件 主要用途 穩(wěn)壓二極管 反 偏 穩(wěn) 壓 發(fā)光二極管 正 偏 發(fā) 光 光敏二極管 反 偏 光電轉(zhuǎn)換 三、兩種半導體放大器件 雙極型半導體三極管 (晶體三極管 BJT) 單極型半導體三極管 (場效應管 FET) 兩種載流子導電 多數(shù)載流子導電 晶體三極管 1. 形式與結(jié)構(gòu) NPN PNP 三區(qū)、三極、兩結(jié) 2. 特點 （很?。┗鶚O電流控制（較大）集電極電流并實現(xiàn)放大。A 60 181。A IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O iB / ?A uBE / V 60 40 20 80 開啟電壓 (Uon)： V (硅管 ) V (鍺管 ) 工作電壓 (UBE ) ： ? V 取 V (硅管 ) ? V 取 V (鍺管 ) 飽 和 區(qū) 截止區(qū) iC / mA uCE /V 100 181。 思考 1： 可否用兩個二極管相連構(gòu)成一個三極管？ 思考 2： 可否將 e和 c交換使用 思考 3： 外部條件對 PNP管和NPN管各如何實現(xiàn)？ IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE 綜上，三極管的放大作用，是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸，然后到達集電極而實現(xiàn)的。 ICEO也稱為集電極發(fā)射極間穿透電流。A IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 放大區(qū) 截止區(qū) ICEO ?iB ?iC 飽和區(qū)CESUCESU：晶體管飽和壓降 重點說一下放大區(qū) UC UB UE 溫度對特性曲線的影響 1). 溫度升高，輸入特性曲線向左移。此時， 發(fā)射結(jié)反偏 ,集電結(jié)反偏 . C E OCBECEonBEIiuuUu??? 且放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 CBOI 物理意義： 當發(fā)射極開路時，集電結(jié)的反向飽和電流。 管芯結(jié)構(gòu)剖面圖 三極管內(nèi)有兩種載流子 (自由電子和空穴 )參與導電，故稱為雙極型三極管。 根據(jù)所加電壓 Vi選擇模型：當 Vi較大時，用理想模型；當 Vi接近 VD時，用恒壓模型或折線模型。 摻雜濃度大的 二極管容易發(fā)生 不可逆擊穿 — 熱擊穿 PN結(jié)的電流或電壓較大，使 PN結(jié)耗散功率超過極限值，使結(jié)溫升高，導致 PN結(jié)過熱而燒毀。所以 PN結(jié)兩 側(cè)堆積的多子的濃度 梯度分布也不同，這 就相當電容的充放電 過程。 式中 Is ? 飽和電流 。 在空間電荷區(qū)， 由于存在接觸電位 Uho， 所以 又 稱 勢壘區(qū)。 2 摻雜后 N 型半導體中的自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 雜 質(zhì)對半導體導電性的影響 導電結(jié)構(gòu)模型的表示方法 P型半導體的導電結(jié)構(gòu) N型半導體的導電結(jié)構(gòu) 其中帶 “ ”的圓圈表示不能移動的負離子，帶 “ +”號的圓圈表示不能移動的正離子，小白點表示空穴，小紅點表示自由電子。 晶體結(jié)構(gòu) 形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu) 成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。 19。 — 導電能力隨條件變化。 1. 本征半導體中有兩種載流子 — 自由電子和空穴 它們是成對出現(xiàn)的 2. 在外電場的作用下，產(chǎn)生電流 — 電子流和空穴流 電子流 自由電子作定向運動形成的 與外電場方向相反 自由電子始終在導帶內(nèi)運動 空穴流 價電子遞補空穴形成的 與外電場方向相同 始終在價帶內(nèi)運動 本征半導體中的載流子： 本征半導體載流子的濃度： 電子濃度 ni :表示單位體積的自由電子數(shù) 空穴濃度 pi :表示單位體積的空穴數(shù) 。 本節(jié)中的有關(guān)概念 ? 本征半導體、本征激發(fā) 自由電子 空穴 N型半導體、施主雜質(zhì) (5價 ) P型半導體、受主雜質(zhì) (3價 ) ? 多數(shù)載流子、少數(shù)載流子 ?雜質(zhì)半導體 復合 *半導體導電特點 1： 其導電能力容易受溫度、光照等環(huán)境 因素影響 溫度 ↑→載流子濃度 ↑→導電能力 ↑ *半導體導電特點 2： 摻雜可以顯著提高導電能力 P67 第一題 自測一下 PN結(jié) 本節(jié)需掌握、理解的重點 空間電荷區(qū)的形成 PN結(jié)單向?qū)щ娦? P區(qū) N區(qū) 擴散運動 載流子 從 濃度 大 向濃度 小 的區(qū)域 擴散 ,稱 擴散運動 形成的電流成為 擴散電流 內(nèi)電場 內(nèi)電場 阻礙多子 向?qū)Ψ降?擴散 即 阻礙擴散運動 同時 促進少子 向?qū)Ψ?漂移 即 促進了漂移運動 擴散運動 =漂移運動時 達到 動態(tài)平衡 PN結(jié)的形成 擴散到 P區(qū)的自由電子與空穴 復合， 擴散到 N區(qū)的空穴與自由電子 復合 P區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū)， N區(qū)出現(xiàn)正 離子區(qū)，都不能移動 ? Uho PN結(jié)的接觸電位 ? 內(nèi)電場的建立，使 PN結(jié)中產(chǎn)生電位差。 PN結(jié)加反向電壓 時截止 PN結(jié)加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴散運動， 有利于漂移運動，形成漂移電 流。 PN結(jié)電容效應 nBTbUuCdudQC)1(0???當 PN結(jié)加反向電壓時， 明顯隨 的變化而變化。 ? 雪崩擊穿 低摻雜時 , PN結(jié)較寬 . 當少子漂移通過 PN結(jié)時 ,由于 PN結(jié)反向電壓增高， 少子獲得能量高速運動，在空間電荷區(qū)與原子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生碰撞電離。 硅： Uon=。 等效電路 1D2D ZU dr非穩(wěn)壓特性 穩(wěn)壓特性 ??? ?ZD陰極 陽極 (1) 穩(wěn)定電壓 VZ (2) 動態(tài)電阻 rZ 在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流 IZ下，所對應的反向工作電壓。 共基極接法，基極作為公共電極，用 CB