【正文】 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多子和少子性質(zhì)取決于雜質(zhì)的外層價(jià)電子。 4. PN結(jié)的單向?qū)щ娦允侵福?PN結(jié)的正向電阻很小，因此正向偏置時(shí)電流極易通過(guò)；同時(shí) PN結(jié)的反向電阻很大，反向偏置時(shí)電流基本為零。 反向電壓大于擊穿電壓時(shí)，反向電流急劇增加。 2）最高反向工作電壓 URM： 二極管運(yùn)行時(shí)允許承受的最高反向電壓。新產(chǎn)生的電子 —空穴對(duì)與原有的電子和空穴一樣，在電場(chǎng)作用下，也向相反的方向運(yùn)動(dòng)，重新獲得能量，再通過(guò)碰撞其它原子，又產(chǎn)生電子 –空穴對(duì)，從而 形成載流子的倍增效應(yīng) 。 陽(yáng)極 陰極穩(wěn)壓管圖符號(hào) 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用： 電流增量 Δ I 很大，只會(huì)引起很小的電壓變化 Δ U。 （ 3） 動(dòng)態(tài)電阻 rZ：穩(wěn)定工作范圍內(nèi) ， 管子兩端電壓的變化量與相應(yīng)電流的變化量之比 。發(fā)光二極管和普通二極管一樣，管芯由 PN結(jié)構(gòu)成，具有單向?qū)щ娦?。在工作過(guò)程中兩種載流子都參與導(dǎo)電，所以全名稱為雙極結(jié)型晶體管。 基極 發(fā)射極 集電極 晶體管有兩個(gè)結(jié) 晶體管有三個(gè)區(qū) 晶體管有三個(gè)電極 結(jié)論： 三極管是一種具有電流放大作用的模擬器件。 集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子過(guò)程： 由于集電結(jié)反向偏置，可將從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)并到達(dá)集電區(qū)邊緣的電子拉入集電區(qū)，從而形成較大的集電極電流 IC。 4 3 2 1 I B =0 0 3 6 9 1 2 U CE /V 20 μ A 4 0 μ A 6 0 μ A 8 0 μ A 10 0 μ A 飽和區(qū) 截止區(qū) 放 大 區(qū) I C / m A （ 1）放大區(qū)：發(fā)射極正向偏置，集電結(jié)反向偏置 （ 2）截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置 （ 3）飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置 2．輸出特性曲線 BC ii ??0 0 CB ?? ii ；iB0， uBE0， uCE≤uBE BC ii ?? 晶體管的主要參數(shù) 電流放大倍數(shù) β ： iC= β iB 極間反向電流 iCBO、 iCEO： iCEO=（ 1+ β ） iCBO 極限參數(shù) （ 1）集電極最大允許電流 ICM： ?下降到額定值 的2/3時(shí)所允許的最大集電極電流。單極型三極管又是 利用電場(chǎng)控制半導(dǎo)體中載流子運(yùn)動(dòng)的一種有源器件 ，因此又稱之為 場(chǎng)效應(yīng)管 。 左圖是 N溝道增強(qiáng)型 MOS管的結(jié)構(gòu)圖：一塊雜質(zhì)濃度較低的P型硅片作為襯底 B，在其中擴(kuò)散兩個(gè) N+區(qū)作為電極，分別稱為源極 S和漏極 D。 P型襯底中的多子空穴被正電荷構(gòu)成的電場(chǎng)排斥向下運(yùn)動(dòng)，在表面留下帶負(fù)電的受主離子，形成耗盡層。 P襯底應(yīng)接低電位， N襯底應(yīng)接高電位；當(dāng)源極電位很高或很低時(shí)，應(yīng)與襯底相連 通常漏極和源極可以互換，若出廠時(shí)源極和襯底相連，應(yīng)注意漏、源極則不能對(duì)調(diào) MOS管的柵源電壓不能接反，但可在開(kāi)路狀態(tài)下保存。在環(huán)境條件（溫度等）變化比較劇烈的情況下，選用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。 由于二氧化硅層的原因，使 MOS管具有很高的輸入電阻。 晶體管的輸出電流 IC受基極電流 IB的控制而變化，因此稱之為電流控件； MOS管的輸出電流 ID受柵極電位 UGS的控制而變化，所以稱為電壓控件。 ? 場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管則是既利用多子，又利用少子。這種漏極電流 ID隨柵極電位 UGS的變化而變化的關(guān)系，稱為 MOS管的 壓控特性 。 PＮ ＋ 結(jié) UDD － ＋ P型硅襯底 P D S G N＋ N＋ PＮ ＋ 結(jié) UGS 怎樣才能產(chǎn)生導(dǎo)電溝道呢？ ++++++++ 耗盡層 導(dǎo)電溝道 在 G、 S間加正電壓，即柵極、襯底間加 UGS（與源極連在一起），由于二氧化硅絕緣層的存在，故沒(méi)有電流。它有 N溝道 和 P溝道 兩類，而每一類又分 增強(qiáng)型 和 耗盡型 兩種。 晶體管在輸出特性曲線的飽和區(qū)工作時(shí)，其電流放大系數(shù)是否也等于 β ？ N型半導(dǎo)體中具有多數(shù)載流子電子，同時(shí)還有與電子數(shù)量相同的正離子及由本征激發(fā)的電子 —空穴對(duì)，因此整塊半導(dǎo)體中正負(fù)電荷數(shù)量相等，呈電中性而不帶電。這是因?yàn)閁CE增加時(shí)，集電結(jié)的耗盡層變寬，減小了基區(qū)的有效寬度，不利于空穴的復(fù)合，所以IB減小。 電子在基區(qū)的擴(kuò)散和復(fù)合過(guò)程： 由于基區(qū)很薄，其多數(shù)載流子空穴濃度很低，所以從發(fā)射極擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子只有很少一部分和基區(qū)空穴復(fù)合，剩下的絕大部分都能擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣。 晶體管制造工藝上的特點(diǎn)是： 發(fā)射區(qū)是高濃度摻雜區(qū) ， 基區(qū)很薄且雜質(zhì)濃度底，集電結(jié)面積大。 因?yàn)榉€(wěn)壓管的正向特性與普通二極管相同，正向電阻非常小，工作在正向?qū)▍^(qū)時(shí)，正向電壓一般為 ，此電壓數(shù)值一般變化不大。 在反向擊穿狀態(tài)下， 讓流過(guò)管子的電流在一定的范圍內(nèi)變化，這時(shí)管子兩端電壓變化很小 ，利用這一點(diǎn)可以達(dá)到 “穩(wěn)壓”的效果。 穩(wěn)壓管的主要參數(shù)： （ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ：反向擊穿后穩(wěn)定工作的電壓 。圖中 UZ穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓值 。 雪崩擊穿 ： PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)。 普通二極管被擊穿后，由于反向電流很大，一般都會(huì)造成“熱擊穿”， 熱擊穿不同于齊納擊穿和雪崩擊穿 ，這兩種擊穿不會(huì)從根本上損壞二極管，而 熱擊穿將使二極管永久性損壞。 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大 ， 因而能通過(guò)較大的電流 ， 但其結(jié)電容也小 ， 只適用于較低頻率下的整流電路中 。 1. 半導(dǎo)體中的少子雖然濃度很低 ，但少子對(duì)溫度非常敏感，即 溫度對(duì)半導(dǎo)體器件的性能影響很大 。 PN結(jié)的“正偏導(dǎo)通，反偏阻斷”稱為其單向?qū)щ娦再|(zhì)，這正是 PN結(jié)構(gòu)成半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。擴(kuò)散作用越強(qiáng)，耗盡層越寬。在一定條件（例如溫度一定）下，多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)逐漸減弱，而少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)則逐漸增強(qiáng)，最后兩者達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的寬度基本穩(wěn)定下來(lái)， PN結(jié)就處于相對(duì)穩(wěn)定的狀態(tài)。同時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)對(duì)少數(shù)載流子起推動(dòng)作用，把 少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)稱為 漂移運(yùn)動(dòng) 。 N型半導(dǎo)體 不論是 N型半導(dǎo)體還是 P型半導(dǎo)體，雖然都有一種載流子占多數(shù)，但晶體中帶電粒子的正、負(fù)電荷數(shù)相等，仍然呈電中性而不帶電。同時(shí)雜質(zhì)原子由于失去一個(gè)電子而變成帶正電荷的離子，這個(gè)正離子固定在晶體結(jié)構(gòu)中，不能移動(dòng)，所以它不參與導(dǎo)電 。 2. 本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體 （ 1）天然的硅和鍺提純后形成單晶體，稱為 本征半導(dǎo)體 一般情況下，本征半導(dǎo)體中的載流子濃度很小，其導(dǎo)電能力較弱，且受溫度影響很大，不穩(wěn)定，因此其用途還是很有限的。 ? （ 2）溫度可明顯地改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。日常生活中接觸到的金、銀、銅、鋁等金屬都是良好的導(dǎo)體；而像塑料、云母、陶瓷等幾乎不導(dǎo)電的物質(zhì)稱為絕緣體；導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。 ? （ 3）光照不僅可改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)