半導(dǎo)體器件的特性ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 2 場(chǎng)效應(yīng)管以柵 源電壓控制漏極電流，是電壓控制型器件，且只有多子參與導(dǎo)電，是單極性晶體管；三極管以基極電流控制集電極電流，是電流控制型器件，晶體管內(nèi)既有多子又有少子參與導(dǎo)電，是雙極性晶體管。 （三）極限參數(shù) ① 最大漏極電流 IDM：管子正常工作時(shí)漏極電流的上限值。 三、特性曲線 1 輸出特性 2 轉(zhuǎn)移特性 場(chǎng)效應(yīng)管 ( ) | GSD D S VI f V?( ) | DSD G S VI f V?輸出特性：分為三個(gè)區(qū) 可變電阻區(qū) 恒流區(qū)（放大工作區(qū)） 擊穿區(qū) 輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道特性曲線 場(chǎng)效應(yīng)管 （一）直流參數(shù) ① 開啟電壓 VGS(th)：對(duì)增強(qiáng)型 MOS管，當(dāng) VDS為定值時(shí)，使ID剛好大于 0時(shí)對(duì)應(yīng)的 VGS值。 V(BR)CEO—— 基極開路，集電極－發(fā)射極間的反向擊穿電壓。此時(shí)，發(fā)射結(jié) 正偏，集電結(jié)反偏 。 二極管 二極管 小 結(jié) 本講主要介紹了以下基本內(nèi)容： ? 半導(dǎo)體二極管的構(gòu)成和類型：點(diǎn)接觸型、面接觸型、平面型；硅管、鍺管。 最高工作頻率 fM：是二極管具有單向?qū)щ娦缘淖罡吖ぷ黝l率。漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)形成反向電流 IR。 復(fù)合： 自由電子和空穴在運(yùn)動(dòng)中相遇重新結(jié)合成對(duì)消失的過程。 半導(dǎo)體材料： 物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電能力 (電阻率 )的不同，可劃分 導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)和簡化模型 元素半導(dǎo)體硅和鍺共同的特點(diǎn)：原子最外層的電子（價(jià) 電子）數(shù)均為 4。 兩種載流子導(dǎo)電的差異 ： ●自由電子在晶格中自由運(yùn)動(dòng) ●空穴運(yùn)動(dòng)即價(jià)電子填補(bǔ)空穴的運(yùn)動(dòng)，始終在原子的共價(jià)鍵間運(yùn)動(dòng)。 PN結(jié) 小結(jié) 本講主要介紹了以下基本內(nèi)容： ? PN結(jié)形成：擴(kuò)散、復(fù)合、空間電荷區(qū)（耗盡層、勢(shì)壘區(qū)、阻擋層、內(nèi)建電場(chǎng)）、漂移、動(dòng)態(tài)平衡 ? PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赫珜?dǎo)通、反偏截止 PN結(jié) 二極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào) 構(gòu)成： PN 結(jié) + 引線 + 管殼 = 二極管 符號(hào)： ＋ － 分類： 按材料分 硅二極管 鍺二極管 按結(jié)構(gòu)分 點(diǎn)接觸型 面接觸型 平面型 二極管 點(diǎn)接觸型 正極 引線 觸絲 N 型鍺片 外殼 負(fù)極 引線 負(fù)極引線 面接觸型 N型鍺 PN 結(jié) 正極引線 鋁合金 小球 底座 金銻 合金 正極 引線 負(fù)極 引線 集成電路中平面型 P N P 型支持襯底 二極管的伏安特性 一、 PN結(jié)的伏安特性 二極管 (/( s a t ) ( 1 )DTvVDRi I e??/TV kT q? ：溫度的電壓當(dāng)量 k :玻耳茲曼常數(shù) T ：熱力學(xué)溫度 q :電子的電量 2 6m VTV ?室溫時(shí)： 正向特性 反向特性 反向擊穿 擊穿電壓 反向飽和電流 二、實(shí)際二極管的伏安特性 二極管 thV ：門限電壓（開啟電壓） 實(shí)際二極管伏安特性和 PN結(jié)伏安特性略有差別 三、理想二極管的特性 若二極管的正向壓降遠(yuǎn)小于和它串聯(lián)的電壓，反向電流遠(yuǎn)小于和它并聯(lián)的電流，
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