半導(dǎo)體物理器ppt課件(參考版)
2025-05-09 12:46本頁面
【正文】 0?00 ?????? rie ??? 外量子效率可以寫作： 根據(jù)以上分析，內(nèi)量子效率可以寫作 ri r?? ?發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 影響逸出幾率的主要因素：界面反射和 再吸收。同時(shí)，在討論注射效率時(shí)已經(jīng)指出， P側(cè)的高摻雜會(huì)使注射效率下降。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 發(fā)生輻射復(fù)合的電子數(shù)與總的注入電子數(shù)比： nrrrr UU U???rrnU???nrnrnU??? （ 818） （ 817） （ 816） rnrrr ????? ??? 11 （ 819） 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 三種可能的復(fù)合過程 圖 813三種可能的復(fù)合過程 淺施主能級(jí) 淺受主能級(jí) 深復(fù)合中心 cEtEtEvEdEaE1R2R3R發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 atnr rNNC?? ??1以 和 為競爭機(jī)制 ： 2R3R123 e x p1??????? ?????? ????KTEEnCNPCN atnaptr?（ 822） 帶 — 帶復(fù)合過程和非輻射復(fù)合過程相競爭： 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 根據(jù)（ 821）式，欲提高 ，可采用的方法是 r?和增加 P區(qū)的摻雜濃度，而且較高的 還有降低串聯(lián)電阻從而減小正向電壓降和歐姆損耗的作用。 (b)減小耗盡層中的復(fù)合電流。 VIII?30, ?pnG a A s ??注射效率就是可以產(chǎn)生輻射復(fù)合的二極管電流在二極管的總電流中所占的百分比。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 圖 812 帶尾對帶 ?帶復(fù)合的影響；（ a） 型 ， （ b） 型 （ a） （ b） nn p r e cIrI I I???gE gE?hghE? ? ghE? ?發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 (c)選用電子遷移率比空穴遷移率大的材料。量子效率又有內(nèi)量子效率和外量子效率
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