半導(dǎo)體物理器ppt課件(完整版)
【正文】 帶隙半導(dǎo)體，導(dǎo)帶極小值和價(jià)帶極大值發(fā)生在布里淵區(qū)同一 點(diǎn)如圖 。對于窄禁帶材料，要得到可見光是困難的，但對于寬禁帶材料，這類發(fā)光還是有實(shí)際意義的，例如 中的紅色發(fā)光，便是屬于這類復(fù)合。 自由激子： 對于直接帶隙半導(dǎo)體材料，自由激子復(fù)合發(fā)射光子的能量為 nexcE式中 為激子能級。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 非輻射復(fù)合 圖 86 多聲子躍遷 0 1 2 5 10 20 50 100 200 300 400 500 600 光子能量 （ meV） 晶體中電子和空穴復(fù)合時(shí)，可以激發(fā)多個聲子的形式放出多余的能量。工作電流約為10mA。 VIII?30, ?pnG a A s ??注射效率就是可以產(chǎn)生輻射復(fù)合的二極管電流在二極管的總電流中所占的百分比。 0?00 ?????? rie ??? 外量子效率可以寫作： 根據(jù)以上分析，內(nèi)量子效率可以寫作 ri r?? ?發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 影響逸出幾率的主要因素：界面反射和 再吸收。 (b)減小耗盡層中的復(fù)合電流。 GaP GaP發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 量子效率 ? 量子效率是發(fā)光二極管特性中一個與輻射量有關(guān)的重要參數(shù)。 N型半導(dǎo)體 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ d ） （ e ） （ f ） P 型 P型半導(dǎo)體 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ g ） （ h ） （ i ） 雜質(zhì)帶 激子 電子 激子 空穴 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 晶體表面處晶格的中斷，產(chǎn)生能從周圍吸附雜質(zhì)的懸掛鍵。 等電子陷阱 ：由等電子雜質(zhì)代替晶格基質(zhì)原子而產(chǎn)生的束縛態(tài) 。所以在實(shí)際工作中，往往需要盡量減少深能級，以提高發(fā)光效率。 12 KK ?? ?k?gEEEh ??? 12?（ 82） 能量守恒要求 式中 2E = 躍遷前電子的能量 1E = 躍遷后電子的能量 ?h = 輻射光子的能量 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 qKK ??? ??? 12q?phEEh ?? ??? 12gE?（ 84） p
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