半導(dǎo)體芯片制造中級復(fù)習(xí)題a-資料下載頁
2025-06-07 16:56本頁面
【正文】 害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要汚染來源。例如，PN結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手汗引起的Na離子沾污會(huì)使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆粒塵埃附著在光刻膠表面，會(huì)使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖形模糊；高溫?cái)U(kuò)散過程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快速擴(kuò)散，使結(jié)特性變壞。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過程中的一項(xiàng)重要技術(shù)。對于大尺寸的MOS管版圖設(shè)計(jì)，適合采用什么樣的版圖結(jié)構(gòu)？簡述原因。答：(1)S管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)。采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長比的情況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN結(jié)電容被減小，對提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處。(2)寸器件在版圖設(shè)計(jì)時(shí)還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。因?yàn)槠骷某叽绱?，即叉指的個(gè)數(shù)較多，如果采用簡單并列的方式，將由于叉指到信號引入點(diǎn)的距離不同引起信號強(qiáng)度的差異。同時(shí)，由于在一維方向上的工藝離散性，也將導(dǎo)致最左端的叉指和最右端的叉指所對應(yīng)的并聯(lián)器件在參數(shù)和結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生失配。集成電路封裝有哪些作用？答：(1)機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。 (2)傳輸信號和分配電源的作用。 (3)熱耗散的作用。(4)環(huán)境保護(hù)的作用。什么叫光刻？ 光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？答：光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。 對光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整齊、線條陡直；圖片內(nèi)無小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準(zhǔn)確；介質(zhì)膜或金屬膜上無針孔；硅片表面清潔、不發(fā)花、無殘留的被腐蝕物質(zhì)。敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。答：在氣相外延生長過程中，首先是反應(yīng)劑輸運(yùn)到襯底表面；接著是它在襯底便面發(fā)生反應(yīng)釋放出硅原子，硅原子按襯底晶向成核，長大成為單晶層。化學(xué)方程式如下：集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？答：①金屬絕緣體金屬（MIM）結(jié)構(gòu)；②多晶硅/金屬絕緣體多晶硅結(jié)構(gòu)；③金屬叉指結(jié)構(gòu)；④PN結(jié)電容；⑤MOS電容。7
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