半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)復(fù)習(xí)題a-wenkub.com
2025-06-04 16:56 本頁(yè)面
【正文】 化學(xué)方程式如下：集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？答：①金屬絕緣體金屬（MIM）結(jié)構(gòu)；②多晶硅/金屬絕緣體多晶硅結(jié)構(gòu)；③金屬叉指結(jié)構(gòu)；④PN結(jié)電容；⑤MOS電容。什么叫光刻？ 光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？答：光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。集成電路封裝有哪些作用？答：(1)機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長(zhǎng)比的情況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN結(jié)電容被減小，對(duì)提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處。例如，PN結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手汗引起的Na離子沾污會(huì)使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆粒塵埃附著在光刻膠表面，會(huì)使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖形模糊；高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快速擴(kuò)散，使結(jié)特性變壞。四 綜合題1. 襯底清洗過(guò)程包括哪幾個(gè)步驟？有什么作用？答：（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學(xué)腐蝕；（4）水清洗；（5）干燥。1 化學(xué)清洗中是利用硝酸的強(qiáng) 酸性和強(qiáng) 氧化性將吸附在硅片表面的雜質(zhì)除去。1 半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑 離子 加速到的需要的 能量 ，直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的 退火處理 。半導(dǎo)體材料的主要晶體結(jié)構(gòu)有 金剛石 型、 閃鋅礦型、纖鋅礦型。 半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類型。 A 電阻加熱 B 電子束 C 蒸氣原子14. 單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定 A A “左零”“右火” B “左火”“右零”15. 人們規(guī)定： A 電壓為安全電壓. A 36伏以下 B 50伏以下 C 24伏以下三 填空題：在擴(kuò)散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個(gè)過(guò)程中這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補(bǔ)充，這種擴(kuò)散方式稱為：恒定表面源擴(kuò)散 對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：邏輯單元符號(hào)庫(kù) 、和功能單元庫(kù) 、拓?fù)鋯卧獛?kù) 、版圖單元庫(kù) 。 A
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