某公司回收bga的重新植球-資料下載頁
2025-05-16 05:42本頁面
【正文】 驗(40~125176。C)和剪切強度試驗?？煽啃栽囼瀰?shù)、規(guī)格 溫度從40~125176。C以每天48周期循環(huán) TD = 15 min, ΔTe = 165176。C TD等于預期的平均駐留時間，這個是重要的，因為它決定互連中的應力釋放。這個應力釋放造成焊接點中的釋放，決定與在焊點應力釋放的最大疲勞損壞有關的循環(huán)疲勞損壞數(shù)量。電路板 FR4多層樹脂玻璃板 玻璃態(tài)轉換溫度為180215176。C 在“平面方向內(nèi)的”CTE不匹配，αS = 176。C 阻焊層高度 = 溫度循環(huán)試驗是在3,521次有80%的封裝失效時終止。最初的失效是在1,258次時。結論 這里考查了四種重整回收BGA錫球的方法。結果顯示，如果植球方法使用認真的元件座準備、適當?shù)闹竸⒑瓦m當?shù)腻a球選擇，那么與其原始條件的元件比較，在返工封裝的可靠性或性能方面沒有觀察到差別?！ ∽C明最重要的參數(shù)是助焊劑參數(shù)。如果得到及其差劣的品質，那么焊錫合金可能是一個問題；可是，影響該工藝性能的外觀缺陷可能性是次要的。在錫球選擇期間必須處理的主要問題包括體積與對稱性公差。放置方法對元件品質的影響很小，如果選擇合適的助焊劑，并且準確率可以接受。 本研究也表明，模板方法是一個當使用適當?shù)闹竸r提供可靠連接的有效方法。雖然剪切強度和壽命分布比原始條件的元件較低，但是數(shù)據(jù)分析表明兩者之間沒有統(tǒng)計差別?！ ‘敓o處理的元件回收時，只有非常低的物理應力出現(xiàn)在硅芯片上。由于這個理由，植球工藝的采用不會給硅芯片的壽命帶來任何有害影響。References 1. MCMS, Inc. 2. Winslow Automation (1998). BGA ReBalling Instruction Manual. San Jose, CA. SolderQuick has been exclusively licensed to Winslow Automation, Inc. by the Raychem Corporation. 3. Chingchen, ., and Lee, . (1997). Balling for BGA. Proceedings of 1997 NEPCON West, Anahei, CA, 327335. 4. This process is proprietary to MCMS, Inc. 5. Casey, . (1998). Reduction of BGA Eutectic Ball Solder Joint Voiding. Proceedings of Surface Mount International. San Jose, CA. 541548. William J. Casey, is process Ramp。D engineer, formerly with MCMS, Inc. Nampa, ID: (208) 8982656.(A 08/09/2001)8 /
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